本技术涉及SIC MOSFET器件清洗技术领域，公开了一种SIC MOSFET器件加工清洗装置，包括清洗箱和清洗机构；所述清洗箱的内侧设有隔板；所述清洗机构包括移动车、移动板、清洗盒和清洁组件；所述清洁组件包括加固板、收集盒、安装架、清...

本申请提供了一种SIC MOSFET芯片生产用切割装置，涉及芯片生产加工技术领域，包括切割箱，以及在切割箱的内侧中部设置有激光切割组件，切割箱的内侧底部设置有加工柜，加工柜的上端中部设置有切割台，切割台的上端表面设置有夹持组件；夹持组件...

本技术涉及二极管规整收集装置技术领域，公开了一种GaN二极管规整收集装置，包括底座和二极管本体，两个放置台的底部均活动式连接有两个活动杆，两个活动杆的一端固定式连接有连接杆，连接杆的一侧固定式连接有握把，活动杆的顶部固定式连接有多个滑板...

本技术提供了一种通过sin插入层优化GaN器件背面欧姆接触结构，属于GaN器件技术领域，该通过sin插入层优化GaN器件背面欧姆接触结构包括GaN基板以及置于所述GaN基板背面的sin层，其中，所述sin层设置有凹凸结构，所述凹凸结构具...

本技术提供了一种用于GaN‑SBD的列阵P‑GaN岛终端结构，属于芯片封装技术领域，该用于GaN‑SBD的列阵P‑GaN岛终端结构，包括P‑GaN岛、热传导路径、散热鳍片，其特征在于，所述P‑GaN岛与所述热传导路径固定连接，所述热传导...

本技术提供了一种GaN帽层结构，属于GaN帽层技术领域，该GaN帽层结构用于氮化镓器件中，包括GAN器件，所述GAN器件设置有2DEG沟道，其中，所述GAN器件设置有p‑GaN帽层，所述p‑GaN帽层设置于所述GAN器件的2DEG沟道之...

本技术提供了一种双栅极的IGBT芯片结构，属于IGBT芯片技术领域，该双栅极的IGBT芯片结构，其特征在于，包括N型衬底,所述N型衬底的上表面开设有多个宽沟槽,所述宽沟槽的内部填充有中部绝缘物,所述宽沟槽的内壁两侧分别设置有第一栅极和第...

本发明提供了一种调整沟槽pitch优化IGBT芯片电流密度的方法，属于IGBT芯片技术领域，包括：建立以IGBT芯片性能最优为目标的上层模型，以及以沟槽pitch参数最均匀为目标的下层模型；形成博弈模型，以IGBT芯片电流密度的均匀性为...