本技术提供了一种GaN帽层结构，属于GaN帽层技术领域，该GaN帽层结构用于氮化镓器件中，包括GAN器件，所述GAN器件设置有2DEG沟道，其中，所述GAN器件设置有p‑GaN帽层，所述p‑GaN帽层设置于所述GAN器件的2DEG沟道之...

本技术提供了一种双栅极的IGBT芯片结构，属于IGBT芯片技术领域，该双栅极的IGBT芯片结构，其特征在于，包括N型衬底,所述N型衬底的上表面开设有多个宽沟槽,所述宽沟槽的内部填充有中部绝缘物,所述宽沟槽的内壁两侧分别设置有第一栅极和第...

本发明提供了一种调整沟槽pitch优化IGBT芯片电流密度的方法，属于IGBT芯片技术领域，包括：建立以IGBT芯片性能最优为目标的上层模型，以及以沟槽pitch参数最均匀为目标的下层模型；形成博弈模型，以IGBT芯片电流密度的均匀性为...