本发明提供了一种调整沟槽pitch优化IGBT芯片电流密度的方法，属于IGBT芯片技术领域，包括：建立以IGBT芯片性能最优为目标的上层模型，以及以沟槽pitch参数最均匀为目标的下层模型；形成博弈模型，以IGBT芯片电流密度的均匀性为...