本实用新型揭示了一种硅麦克风，包括线路板基板、MEMS声压传感芯片及ASIC芯片，线路板基板上形成有与MEMS声压传感器芯片的感应区正对的进音孔，MEMS声压传感芯片及ASIC芯片与线路板基板通过倒装互联，且包裹于热固性塑料膜层中，热固...

本发明揭示了一种硅麦克风及其加工方法，其中硅麦克风包括线路板基板、MEMS声压传感芯片及ASIC芯片，线路板基板上形成有与MEMS声压传感器芯片的感应区正对的进音孔，MEMS声压传感芯片及ASIC芯片与线路板基板通过倒装互联，且包裹于热...

本发明提供一种用于动态校准磁场传感器的方法，包括以下步骤：将磁场传感器的原始三维磁场数据顺序保存于长度为L的队列中；在所述的长度为L的队列中的数据中寻找出满足预设条件的N个数据作为椭球拟合运算的拟合数组；根据所述的N个数据的拟合数组，进...

本发明提供一种用于差压式流量传感器的流量测量方法和流量测量装置，所述流量测量方法包括以下步骤：步骤S0，采集t1时刻，差压式流量传感器的压力差值P1；步骤S1，采集tn时刻，差压式流量传感器的压力差值Pn，n为整数，且n≥2；步骤S2，...

本实用新型揭示了微型电场传感器封装件及其半成品，电场传感器封装件包括基板以及与其连接形成内腔的塑料上盖，基板上设置有位于内腔中的MEMS芯片，MEMS芯片通过引线与基板上的电路连接通信，塑料上盖的顶板的底面形成有与MEMS芯片贴近的凸起...

本实用新型揭示了一种多功能芯片倒装封装元件，包括基板，所述基板上固设有至少一个晶元，所述晶元采用倒装形式，所述基板与所述晶元产生间距而形成容纳所述电路的空腔，所述晶元的下表面与所述基板的上表面之间还设有至少两个弹性树脂墙，所述弹性树脂墙...

本实用新型揭示了基于MEMS技术的差压流量传感器，包括位于外壳内腔中的MEMS差压传感器芯片封装体及信号处理电路板，MEMS差压传感器芯片封装体设置于信号处理电路板上且它们通信，MEMS差压传感器芯片封装体的去向压力导压口与信号处理电路...

本发明揭示了基于MEMS技术的差压流量传感器及其加工方法，包括位于外壳内腔中的MEMS差压传感器芯片封装体及信号处理电路板，MEMS差压传感器芯片封装体设置于信号处理电路板上且它们通信，MEMS差压传感器芯片封装体的去向压力导压口与信号...

本实用新型揭示了基于MEMS技术的气体传感器封装件，包括微型陶瓷壳体，微型陶瓷壳体包括凹设的安装槽、位于安装槽内的印刷电路以及与印刷电路电连接且位于微型陶瓷壳体外表面上的信号引出端；安装槽的底部固定一MEMS气体检测芯片，MEMS气体检...

本实用新型揭示了光电传感器封装件、半成品，包括带有信号引出端的基板，基板上固定有与其通信的控制存储类芯片、发光芯片、光敏接收芯片以及阻容器件；发光芯片的发光区和光敏接收芯片的光接收区上分别设置有光透胶层，光透胶层的顶面为平面且其与所述基...

本实用新型揭示了一种气密型陶瓷封装的系统级封装电路，包括陶瓷下壳及陶瓷上壳组成的内部为空腔的陶瓷气密型腔体，所述陶瓷下壳台阶上架设一基板，所述基板的顶面及底面上均设置有若干元器件，且所述基板的两端分别通过第一锡膏焊接层连接引线的一端，所...

本实用新型揭示了一种流量传感器，包括PCB基板，所述PCB基板上固设有引出端焊盘及处理芯片，处理芯片上依次固设有MEMS下芯片及MEMS上芯片，MEMS下芯片与MEMS上芯片组合形成中间具有导流孔的台阶形MEMS芯片体，MEMS下芯片表...

本发明揭示了基于MEMS技术的气体传感器封装件及其批量封装方法，包括微型陶瓷壳体，微型陶瓷壳体包括凹设的安装槽、位于安装槽内的印刷电路以及与印刷电路电连接且位于微型陶瓷壳体外表面上的信号引出端；安装槽的底部固定一MEMS气体检测芯片，M...

本发明揭示了光电传感器封装件、半成品及批量封装方法，包括带有信号引出端的基板，基板上固定有与其通信的控制存储类芯片、发光芯片、光敏接收芯片以及阻容器件；发光芯片的发光区和光敏接收芯片的光接收区上分别设置有光透胶层，光透胶层的顶面为平面且...

本实用新型揭示了一种2.5D集成封装半导体器件，包括转接板，转接板的顶面上设置有背金层，转接板的底面通过若干锡球与PCB基板连接通信，且它们配合形成指定数量的半封闭屏蔽空间，每个屏蔽空间中设置有至少一个倒装于转接板底面的芯片，芯片的底面...

本实用新型揭示了一种超薄3D封装的半导体器件以及超薄3D封装的半导体器件的半成品，包括超薄基板，超薄基板的顶面设置有至少一个上芯片，上芯片通过键合线和键合点与超薄基板连接通信，超薄基板的顶面上还设置有包裹所述上芯片、键合线和键合点的塑封...

本发明揭示了一种超薄3D封装的半导体器件、其加工方法以及加工方法中的半成品，包括超薄基板，超薄基板的顶面设置有至少一个上芯片，上芯片通过键合线和键合点与超薄基板连接通信，超薄基板的顶面上还设置有包裹所述上芯片、键合线和键合点的塑封层；超...

本发明揭示了一种2.5D集成封装半导体器件及其加工方法，包括转接板，转接板的顶面上设置有背金层，转接板的底面通过若干锡球与PCB基板连接通信，且它们配合形成指定数量的半封闭屏蔽空间，每个屏蔽空间中设置有至少一个倒装于转接板底面的芯片，芯...

本实用新型揭示了一种多芯片3D二次封装半导体器件，包括至少两个相互独立的半导体器件，每个所述半导体器件均包括PCB基板，所述PCB基板上固设有至少一个元器件，所述元器件通过导线层连接所述PCB基板，三个所述半导体器件通过互连导线进行连接...

本发明揭示了一种多芯片3D二次封装半导体器件及其封装方法，包括至少两个相互独立的半导体器件，每个所述半导体器件均包括PCB基板，所述PCB基板上固设有至少一个元器件，所述元器件通过导线层连接所述PCB基板，三个所述半导体器件通过互连导线...