本发明涉及微纳空气孔技术领域，公开了一种微纳空气孔三维模型的重建方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上制备微纳空气孔结构；基于预设切样角度对微纳空气孔结构进行切片制样，生成空气孔断层成像图；基于空气孔断层成像图，利用图像融合算...

本申请公开了低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，其中低敏感低发散角半导体发光器件包括衬底层，沿衬底层一侧依次堆叠的第一布拉格反射镜

本发明提供一种外延片光致发光测试装置及其工作方法，其中外延片光致发光测试装置包括：发光结构；旋转支撑座；承载平台，位于旋转支撑座上，承载平台的承载面与旋转支撑座所在的平面垂直，承载平台中具有贯穿承载平台的固定轴，固定轴与旋转支撑座固定连...

本发明揭示了一种刻蚀方法，包括：步骤S1：提供基底结构，所述基底结构的材料为

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光器接触电极及其制备方法，其中，半导体激光器接触电极包括：衬底层；接触层，位于衬底层的一侧表面；扩散阻挡层，位于接触层背离衬底层的一侧表面；上盖层，位于扩散阻挡层背离衬底层的一侧表面；其中，扩...

本发明揭示了一种边发射半导体发光结构及其制备方法，边发射半导体发光结构包括：位于半导体衬底层上依次层叠的下限制层、有源层和上限制层；边发射半导体发光结构具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁在边发射半导体发光结构的慢轴方向...

本发明揭示了一种具有侧壁光栅结构的边发射半导体发光结构及其制备方法，具有侧壁光栅结构的边发射半导体发光结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的脊形结构，所述脊形结构包括在所述半导体衬底层上依次层叠的下限制层、下波导层、有源层、上...

本发明揭示了一种波长锁定装置及其工作方法，波长锁定装置包括：设置在承载平台上间隔的光模块上料组件、体光栅上料组件、第一相机单元、以及抓取和点胶组件；体光栅上料组件包括：料盒支撑板；所述料盒支撑板上用于放置料盒，所述料盒中用于放置体光栅；...

本发明揭示了一种半导体发光结构及其制备方法、封装模组，半导体发光结构包括：有源层；位于所述有源层一侧的上波导限制结构；所述上波导限制结构包括：上波导层，所述上波导层包括第一子上波导层和第二子上波导层，所述第二子上波导层位于所述第一子上波...

本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，制备方法包括：刻蚀初始上波导层、初始有源层和初始下波导层直至暴露出第二初始刻蚀停止层，使初始上波导层形成上波导层，使初始有源层形成有源层，使初始下波导层形成下波导层，下波导层、有源层和上波导层的...

本申请公开了半导体激光器接触电极及其制备方法，其中半导体激光器接触电极包括衬底层、接触层、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层和上盖层；其中，第一扩散阻挡层包括从下至上依次设置的第一粘结金属、难熔金属或难熔合金以及第二粘结金属，第一粘结金属与...

本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块，半导体发光结构包括：位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制单元；上限制单元包括第一上限制层、第二上限制层和第三上...

本发明提供一种半导体外延方法，包括：在保护件的第一面形成第一半导体膜，所述第一半导体膜的热辐射系数大于保护件的热辐射系数；形成第一半导体膜之后，调整保护件的位置使第一面朝向腔盖主体；将腔盖密封盖住腔主体的顶部，在所述保护件的第二面形成第...

本发明提供一种匀化光斑输出系统，包括：半导体发光结构，所述半导体发光结构适于输出第一光；特征光纤，所述特征光纤包括纤芯，所述纤芯在垂直于纤芯的长度方向的横截面的外轮廓包括第一直线和与第一直线连接的第二线单元；所述特征光纤用于将半导体发光...

本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的电流限制层，所述电流限制层包括出光区和环绕所述出光区的氧化区，所述出光区的材料中包括主体...

本发明揭示了一种半导体晶体解理设备及解理方法，半导体晶体解理设备包括：基台，基台的上表面适于放置半导体晶体；第一位置调节单元，第一位置调节单元适于调整基台的空间位置；X射线光源，位于基台的上方，X射线光源适于出射X射线；光电探测器，光电...

本发明揭示了一种波长锁定系统和波长锁定方法，包括：半导体激光芯片；设置在半导体激光芯片的出光侧的透射式闪耀光栅；半导体激光芯片适于给透射式闪耀光栅提供入射光；设置在半导体激光芯片和透射式闪耀光栅之间的准直单元；透射式闪耀光栅设置在特征位...

一种高功率低发散角垂直腔面发射半导体发光器件及制备方法，半导体发光器件包括：第一电流限制层至第M电流限制层，第m电流限制层位于第n

一种激光电池及其制备方法，激光电池包括：半导体衬底层；晶格变异缓冲结构；晶格变异缓冲结构包括自下至上依次层叠的第一缓冲单元至第N缓冲单元、以及位于第N缓冲单元背离半导体衬底层一侧的第N+1组分步进层；第一缓冲单元至第N缓冲单元中的任意第...

一种生长半绝缘掺铁InP外延层的方法，包括：获取第一测试结构至第M测试结构中任意一个第m测试结构的电阻；根据第k测试结构和第k