本实用新型涉及一种用于射频微波功放器件的封装结构，包括射频功放芯片、电路基板、金属基板和无源器件，射频功放芯片设置在金属基板上；无源器件设置在电路基板上；金属基板和电路基板拼接组合；射频功放芯片与电路基板通过金属连接线连接。本实用新型通...

本发明涉及一种用于射频微波功放器件的封装结构，包括射频功放芯片、电路基板、金属基板和无源器件，射频功放芯片设置在金属基板上；无源器件设置在电路基板上；金属基板和所述电路基板拼接组合；射频功放芯片与电路基板通过金属连接线连接。本发明通过采...

本发明涉及GaN HEMT芯片生产制造领域，特别是涉及一种用于GaN HEMT芯片生产中通孔的刻蚀方法，包括如下步骤：(1)在SiC衬底背面，溅射或者蒸发第一层易腐蚀金属；(2)在SiC衬底背面进行通孔图形光刻，采用腐蚀液浸泡晶圆，去除...

本实用新型公开了一种新型栅结构的GaN基HEMT器件，所述绝缘层的上端设有倒直角梯形的插孔，且插孔位于源极和漏极之间，所述插孔内插接有对应的直角梯形的底层栅极，所述底层栅极的上端设有顶层栅极。该新型栅结构的GaN基HEMT器件，底层栅极...

本发明公开了一种新型栅结构的GaN基HEMT器件，所述绝缘层的上端设有倒直角梯形的插孔，且插孔位于源极和漏极之间，所述插孔内插接有对应的直角梯形的底层栅极，所述底层栅极的上端设有顶层栅极。该新型栅结构的GaN基HEMT器件，底层栅极为直...