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思敏光子控股有限责任公司专利技术
思敏光子控股有限责任公司共有19项专利
光子集成电路及其制造方法技术
本公开涉及光子集成电路及其制造方法。光子集成电路PIC,包括衬底上的多个半导体层,所述多个半导体层形成PIN或PN掺杂结构,所述PIC包括:波导,其被布置用于传导光波;光学元件,其连接到波导,其中所述光学元件在操作中处于反向偏置模式,并...
用于光子集成电路的干涉仪制造技术
本发明揭示一种用于一光子集成电路之干涉仪(100),该干涉仪包括一第一波导(104)、一第二波导(108)及该第一波导(104)或该第二波导(108)之至少一者上之一层(106)。该第一波导(104)具有一第一有效折射率及沿该第一波导(...
光耦合器制造技术
一种用于光子集成电路的光耦合器,所述光耦合器包括:光栅,所述光栅位于第一表面与第二表面之间;和半导体层的第一区域。所述光子集成电路的不同于所述光耦合器的部件包括所述半导体层的第二区域。所述光栅以及所述光栅与所述第一表面之间的距离各自被配...
抑制电串扰的半导体结构制造技术
一种用于一光子集成电路的半导体结构。该半导体结构包括波导和光子集成电路的有源组件。一电阻材料在该波导与该有源组件之间,其沿着该波导与该有源组件之间的一光传播轴。该电阻材料具有高于该波导的一电阻率。
偏振转换器及其制造方法技术
一种用于光子集成电路的偏振转换器。所述偏振转换器包括第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层。当在垂直于光传播轴线的横截平面上观察时,所述第二半导体层的第一部分比第二部分厚。所述第二半导体层位于所述第一半导体层与所述第三半导体层之间并与...
可调谐激光器制造技术
一种线性可调谐激光器,其包括:第一可调谐谐振器、第二可调谐谐振器、干涉仪、光学放大器和功率分配器。所述第一可调谐谐振器包括波导。所述干涉仪包括多个波导。所述干涉仪的所述波导中的至少一者光学连接到所述第一可调谐谐振器。所述光学放大器光学连...
电光调制器制造技术
一种用于光子集成电路的电光调制器。电光调制器包括:基板;基板的第一部分上的第一波导;第一电极;基板的第二部分上的第二波导;以及第二电极。第一电极与第二电极之间的第一电阻抗值不同于第一电极与第二电极之间的第二电阻抗值。第一电阻抗值沿着与第...
光偏振转换器及其制造方法技术
一种用于光子集成电路的光偏振转换器,其包括衬底和波导。衬底包括第一表面和第二表面。波导包括与第一表面接触的第一波导部分和与第二表面接触的第二波导部分。第二表面沿着第一轴线和第二轴线从第一表面偏移。每条轴线垂直于用于转换光的偏振的光传播方...
光偏振转换器及其制造方法技术
一种用于光子集成电路的光偏振转换器,其包括第一层。第一层包括第一表面和第二表面。第二表面沿着第一轴线和第二轴线从第一表面偏移。第一轴线垂直于第一表面。第二轴线平行于第一表面。光偏振转换器包括第二层和波导。波导位于第一层与第二层之间,并与...
用于光子集成电路的半导体结构和制造方法技术
一种用于光子集成电路的半导体结构(100),其包括:衬底(102);在所述衬底(102)上的波导(104);无源区,所述无源区包括与波导层(105)的第一部分(112)接触的第一包覆层(108);以及有源区(114),所述有源区包括与所...
波导结构和制造方法技术
一种波导结构(100),其包括:衬底(102);衬底(102)上的波导层(104);与波导层(104)的第一侧接触的包层(106),波导层(104)在包层(106)与衬底(102)之间;以及包括用于调节波导层(104)的波导功能的第一材...
用于光子集成电路的结构制造技术
一种用于光子集成电路的结构,其包括:衬底;所述衬底的第一表面区域上的n型半导体材料的第一部分,所述衬底的第二表面区域上的n型半导体材料的第二部分;波导;以及所述第一部分与所述第二部分之间的元件。所述波导在所述元件上并与其接触。所述元件被...
光子集成电路和方法技术
一种用于生成随机数的光子集成电路PIC。所述PIC包括:光源,所述光源在衬底上;光检测器,所述光检测器在所述衬底上并被配置为响应于从所述光源接收到光而输出用于生成所述随机数的电信号;以及光导系统,所述光导系统在所述衬底上并被配置为将来自...
用于光子集成电路的波导结构制造技术
一种用于光子集成电路的波导结构(100),所述波导结构包括:衬底;作用区域(102),其包括二极管结,所述作用区域包括:光发射部分(102a),其用以在第一方向及垂直于所述第一方向的第二方向上发射光;及光吸收部分(102b),其用以吸收...
制造半导体结构制造技术
本公开涉及制造一半导体结构的方法。该方法包含:沉积一第一层,使其与一基材的一第一表面区域接触,该基材具有一第一半导体材料且该第一层具有一第二半导体材料;沉积一第二层,使其与该基材的一第二表面区域接触,该第二表面区域基本上与该第一表面区域...
制造具有多个量子井的半导体结构制造技术
实例是关于一种制造具有多个量子井的一半导体结构的方法。该方法包括:提供一基板,该基板包括具有一第一晶格常数的一种二元半导体化合物;沉积至少在该基板上的一第一层及与该第一层接触的一第二层,以在该基板上形成实质上平面半导体层的一第一堆栈,为...
单片集成的InP电光可调谐环形激光器、激光器设备及对应方法技术
一种具有环形腔的可调谐环形激光器,其中所述环形腔包括:至少一个环形谐振器,所述至少一个环形谐振器具有用于引导波的波导;相位调制器,所述相位调制器具有用于引导波的波导;一个或多个功率耦合器,所述一个或多个功率耦合器用于将所述波耦合进出所述...
用于电光集成磷化铟基相位调制器的改进构建块制造技术
一种光子集成电路PIC,其包括衬底上的多个半导体层,所述多个半导体层形成PIN或PN掺杂结构,所述PIC包括:波导,其被布置用于传导光波;光学元件,其连接到波导,其中所述光学元件在操作中处于反向偏置模式,并且其中光学元件包括被布置用于连...
用于光子IC表征和封装的多端口光学探头制造技术
提供了与光子集成电路(PIC)芯片的改善无源光学耦合。采用了具有一个或多个柔性光波导构件(112,114,116)的内插件单元(108)。所述柔性光波导构件经由其尖端耦合至所述PIC芯片(118)。所述PIC芯片包括对准特征,所述对准特...
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