本发明公开了一种功率MOSFET器件的热阻仿真模型构建方法，根据功率器件的封装结构绘制对应的三维模型，并在热仿真分析平台上导入三维模型仿真分析功率器件内部的热分布，利用多层等价简化方法，将功率器件内部的芯片结构等价简化为五层薄膜，并设置...

本技术涉及一种改进型框架，包括框架体和开设于所述框架体上的隔溢槽，所述隔溢槽包括下槽部和位于所述下槽部上侧的上槽部，所述下槽部靠近所述上槽部的上部形成有用于抵接顶杆的压片区，所述压片区位于所述下槽部之外。本技术可改善现有的TO‑247P...

本发明公开了一种基于薄膜体声波滤波器的环形器，包括两个结构相同的单端环形器，两个单端环形器的端口互联形成差分结构，每个单端环形器均包括三端口非互易网络，三端口非互易网络包括两个采用薄膜体声波滤波器构成的线性时不变网络以及用于调制两个线性...

本技术涉及MOS管测试设备技术领域，具体而言，涉及一种MOS管测试用固定装置，采用本技术所提供的上述结构，主要包括了测试底座和设置于测试底座上的固定机构，固定机构包括围绕所述安装槽设置的两组固定单元，所述两组固定单元分别用于限制MOS管...

本技术涉及MOS管测试设备技术领域，具体而言，涉及一种MOS管测试工作台，主要包括了底座和设置于底座上的若干测试工位，不同的所述测试工位用于测试MOS管的不同功能，在不同的所述测试工位之间设置有滑轨，所述滑轨上设置有移动装置。该装置在使...

本发明涉及功率管测试技术领域，具体而言，涉及一种功率管温度检测方法及系统，采用本发明所提供的方法主要包括了通过相关参数计算得到当前第一热阻值，进行预处理，得到若干个第二热阻值，通过若干第二热阻值和对应的电源温度建立温度求解模型；通过电源...

本实用新型提供了一种全包封TO220封装结构及PCB板和半导体器件，所述全包封TO220封装结构包括框架、芯片及塑封体，其中，所述框架包括载片台和引脚，所述载片台上端部不设置螺丝孔，所述引脚具有n组彼此连接的管脚和限位台阶，且所述限位台...

本实用新型提供了一种MOS管封装结构、PCB板和电子设备，MOS管封装结构采用贴片式工艺，并包括封装壳体和MOSFET芯片，MOSFET芯片被封装在封装壳体中，封装壳体的两侧设置有多个相间排列的管脚，其中，管脚外露部分的长度为0.5mm...

本实用新型提供了一种TO262FS封装、MOS器件、PCB板和电源。所述封装包括金属框架和塑封体，金属框架包括散热片、载片和引脚；塑封体绝缘且将散热片和载片完全包裹；所述引脚不具有限位台阶。在本实用新型还提供了一种MOS器件，所述MOS...

本实用新型提供了一种TO251封装结构、MOS器件、PCB板和电源。所述封装结构包括金属框架和塑封体，其中，金属框架包括从上到下依次连接的散热片、载片和引脚；塑封体将载片和散热片完全包裹，并将引脚的一部分包裹，塑封体与引脚连接处的气密性...

本实用新型提供了一种高压MOS全包封TO262封装结构、PCB板和整机，所述全包封封装结构包括金属框架和塑封体，其中，所述金属框架包括从上到下依次连接的散热片区、载片区和引脚区；所述塑封体将散热片区和载片区全部包裹以避免散热片区和载片区...

本实用新型提供了一种小引脚MOS全包封TO262封装、PCB板和整机，所述全包封封装结构包括金属框架和塑封体，其中，所述金属框架包括从上到下依次连接的散热片区、载片区和引脚区；所述塑封体将散热片区和载片区全部包裹以避免散热片区和载片区与...

本实用新型提供了一种适用于高压MOS的全包封封装结构、PCB板和整机，所述全包封封装结构包括金属框架和塑封体，其中，所述金属框架包括从上到下依次连接的散热片区、载片区和引脚区；所述塑封体将散热片区和载片区全部包裹以避免散热片区和载片区与...

本实用新型提供了一种适用于大功率MOS的SOP封装结构、PCB板和整机，所述适用于大功率MOS的SOP封装结构包括金属框架、芯片和塑封体，其中，所述金属框架包括载片台和与载片台连接的引脚；所述芯片设置在所述载片台上；所述塑封体将所述芯片...