本发明公开了一种磁控溅射阴极。磁控溅射阴极，包括：靶材、冷却系统、磁铁架、磁铁、导磁板及底座。本发明磁控溅射阴极的冷却系统内设置若干个栅格，通过格栅将冷却通道分隔成若干个分流道，从入口流入的冷却液分别向各分流道进行分流，最终汇聚到出口流...

本发明公开了一种大尺寸真空镀膜设备及其使用方法，其中，所述大尺寸真空镀膜设备包括真空室，以及设于所述真空室内的加热系统、工件传输系统、监控系统、弧光放电模块和高功率磁控放电模块，所述加热系统用于控制所述真空室内的温度；所述工件传输系统用...

本发明涉及等离子体放电物理技术领域，具体是涉及一种磁控溅射阴极动态刻蚀模型的构建方法、装置、设备。本发明在仿真刻蚀的过程中考虑了因刻蚀形貌变化而导致的等离子体放电状态的变化，及其对刻蚀形貌的反作用，并将溅射离子组分和背景温度作为计算刻蚀...

本发明公开一种SBC陶瓷表面覆厚金属层技术及其陶瓷封装基板。该技术包括步骤：提供陶瓷基板；采用DSC技术在所述陶瓷基板表面沉积一定厚度的金属导电层；采用真空镀膜技术在所述金属导电层表面沉积金属钎料层；在真空条件下将沉积有金属钎料层的陶瓷...

本发明公开一种DSC陶瓷金属化技术及其制备的陶瓷封装基板。该方法包括步骤：提供陶瓷基板；采用持续高功率磁控溅射技术在所述陶瓷基板表面沉积金属导电层，得到陶瓷封装基板。本发明采用DSC技术制备陶瓷封装基板，DSC技术指的是：使用高离化、高...