本发明涉及一种硅锗集成光探测器及其制备方法，在硅衬底的同一侧分别生长单晶硅和生长单晶锗，得到对应的硅光探测单元和锗光探测单元，在硅衬底生长有单晶硅和单晶锗的一侧，对应于硅光探测单元和锗光探测单元的位置进行与硅衬底相反的掺杂，在硅衬底形成...