本技术涉及一种低导通电阻的横向MOS器件，包括固定盒，所述固定盒的内部安装有MOS器件主体，所述MOS器件主体的右端固定连通有连接板，所述MOS器件主体的左端固定连通有等距离排列的连接导条，所述连接板的上表面开设有连接通槽，所述连接板的...

本技术公开的一种碳化硅结型场效应管，属于场效应管技术领域；包括N型碳化硅衬底、N型碳化硅外延层，所述N型碳化硅衬底部设置漏极导电层，N型碳化硅外延层顶部两侧设置有P+注入区，P+注入区内设置N+注入区，P+注入区顶部设置有与N+注入区对...

本技术属于静电消除技术领域，尤其为一种半导体静电消除机构，包括箱体，所述箱体的内部安装有传送带，所述箱体的内部分别开设有第一滑槽与第二滑槽，所述第一滑槽与第二滑槽的内部安装有静电消除组件，所述箱体的上表面安装有传动组件，所述箱体的下表面...

本发明公开了一种耐压可调节的屏蔽栅沟槽型

本实用新型涉及显示模块技术领域，具体涉及一种数值显示器，包括数值显示盒以及开设在数值显示盒外表面的第一拼接外槽，第一拼接外槽的一侧开设有第二拼接外槽，第一拼接外槽的外侧设置有第一防护外壳，第一防护外壳的一侧设置有第二防护外壳，第一拼接外...

本实用新型涉及二极管技术领域，公开了一种超薄插片式快恢复二极管模块，包括二极管主体，二极管主体设置在并联机构的内部，并联机构的内部设置有安装机构，二极管主体的一端设置有第一引脚和第二引脚，并联机构包括底座和转动连接在底座上的盖板，底座和...

本实用新型涉及绝缘栅双极型晶体管技术领域，公开了一种高性能低功耗绝缘栅双极型晶体管器件，包括外壳体，设置在外壳体内部的电子元件，以及设置在外壳体一侧的引脚，引脚的一端与电子元件相连接，外壳体的一侧设置有锁定组件A和锁定组件B，锁定组件A...

本实用新型涉及MOS半导体技术领域，公开了一种沟槽式高功率MOS半导体器件，包括MOS半导体和MOS半导体一端设置的引脚，MOS半导体外表面两侧开设有沟槽，沟槽外表面一侧设置有直角杆，一对直角杆之间设置有横板，横板一侧设置有套管，沟槽一...

本实用新型涉及MOS管技术领域，公开了一种用于温控电路的智能开关MOS管，包括MOS管，MOS管上端套接有散热组件，散热组件包括安装套，安装套上端设置有散热鳍片，安装套内腔上端设置有均热板，MOS管外表面两侧开设有安装孔，安装孔内腔开设...

本实用新型涉及MOS管技术领域，公开了一种高压串联MOS管驱动电路结构，包括MOS管本体和安装在MOS管本体一侧的防护机构，防护机构包括卡条和固定安装在卡条一侧的防护套，防护套的一端设置有连接管，连接管的一侧设置有延长管A和延长管B，连...

本实用新型公开了一种集成电路用二极管触发可控硅的静电防护结构，涉及静电防护设备技术领域，包括防护罩，在防护罩的侧壁上均匀间隔设置静电导体，静电导体的顶端设置导电杆，导电杆的另一端分别固定连接于静电电容的侧壁上，静电电容设置于防护罩的顶部...

本实用新型涉及MOS管技术领域，公开了一种防止MOS管引脚软化的散热结构，包括主箱体和设置在主箱体下端的副箱体，主箱体的外表面设置有固定机构和散热机构，所述固定机构包括设置在副箱体上端的放置杆，开设在主箱体外表面上的第一方槽和开设在第一...

本实用新型公开了一种多个MOS管快速组装压紧结构，涉及MOS管加工技术领域，包括操作台和活动安装在操作台上端的放置机构，操作台的上表面开设有滑槽，滑槽设置在操作台的中心位置，且内部设置有丝杆，丝杆的一侧固定安装有把手，放置槽等距开设在放...

本实用新型涉及MOS场效应管技术领域，公开了一种安全性能高的MOS场效应管，包括场效应管主体，场效应管主体设置在接线机构内，接线机构内设置有安装机构，接线机构包括设置在场效应管主体外的壳体，场效应管主体的顶部设置有引脚，且引脚设置有三组...