深圳市晶存科技有限公司专利技术

深圳市晶存科技有限公司共有69项专利

  • 本发明公开了一种动态随机存储器的测试方法及存储介质,该方法包括将动态随机存储器的存储空间划分成至少两个测试单元;获取用于测试的多个背景数据;对于每个背景数据,将背景数据写入动态随机存储器的存储空间后,按照测试单元的地址顺序,根据背景数据...
  • 本发明公开了一种ODT校准方法、计算机设备及存储介质,该方法包括:获取初始阻值和总校准次数;获取当前校准次数;根据初始阻值与当前校准次数确定ODT的目标阻值;根据目标阻值进行Training动作,并记录与目标阻值对应的运行指标;当当前校...
  • 本实用新型公开了一种LPDDR降容电路及具有其的装置,LPDDR降容电路包括SOC控制芯片、第一LPDDR芯片和第二LPDDR芯片;其中,SOC控制芯片、第一LPDDR芯片和第二LPDDR芯片均为32位的芯片,且都具有双通道;第二A通道...
  • 本发明涉及一种动态随机存储器的测试方法,包括:擦除动态随机存储器的待测区域中的数据(S101);在所擦除的待测区域中再写入数据,其中,将待测区域平均分页,在首页中写入数据,通过拷贝相邻页中数据的方式写满整个待测区域(S102);读取所写...
  • 本发明涉及一种多内存芯片的产品信息辨别方法,包括以下步骤:初始化动态随机存储器芯片(S101);获取DRAM控制器的扫描结果(S102);读取JEDEC读取寄存器的数据(S103);根据DRAM控制器的扫描结果、JEDEC寄存器的读取数...
  • 本发明公开了一种LPDDR的bank地址映射方法,包括以下步骤:通过SOC芯片的DRAM控制器,采用测试算法对LPDDR芯片的每个bank分别写入测试数据并读取;分别比较每个bank写入的测试数据与读取的数据是否一致,若一致,则判定相应...
  • 本发明公开了一种动态随机存储器的测试方法及系统,具体包括以下步骤:步骤一、准备操作;步骤二、数据测试;步骤三、问题诊断;步骤四、中值选定;步骤五、问题定位;步骤六、展示记录;本发明涉及存储器测试技术领域。该动态随机存储器的测试方法及系统...
  • 本实用新型公开了一种一种基于展讯平台的LPDDR4芯片的测试装置,包括:治具架和设置在治具架上的展讯SOC测试控制模块、显示模块、电流检测模块、开关控制模块和测试架;开关控制模块一端与外界电源连接,其另一端与展讯SOC测试控制模块连接,...
  • 本实用新型公开了一种LPDDR4芯片电流检测装置,包括:检测主控模块、电流检测模块、LPDDR4测试架、检测控制模块、电源模块、继电器模块、串口通信模块和上位机;所述检测主控模块分别与所述串口通信模块、所述检测控制模块、所述继电器模块和...