本申请公开了一种场效应管制备方法、场效应管以及集成电路，其中方法包括提供碳化硅基板；碳化硅基板包括碳化硅衬底以及设置于碳化硅衬底上的第一碳化硅外延层；在第一碳化硅外延层中形成源极屏蔽层并在第一碳化硅外延层上形成第二碳化硅外延层；在第二碳...

本申请公开了一种MOSFET器件制作方法。方法包括：提供MOSFET器件半成品；MOSFET器件半成品包括两个栅极以及源极接触孔；源极接触孔设置于两个栅极之间；在MOSFET器件半成品上形成第一间隙层、第二间隙层以及第三间隙层；第三间隙...

本技术公开了一种半导体分立器件及电路结构，包括封装外壳及封装于封装外壳内部的碳化硅二极管和硅二极管；碳化硅二极管和硅二极管共阴极连接；封装外壳上并排地设置有三个引脚，三个引脚中的任意两个引脚分别与碳化硅二极管和硅二极管连接。本方案通过将...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种LVFF碳化硅场效应管及制备工艺，包括碳化硅MOSFET元胞和碳化硅SBD元胞；碳化硅MOSFET元胞包括SiC外延层，SiC外延层的第一表面上设有栅极结构，SiC外延层的第一表面上的非栅极区域的预设...

本申请公开了一种芯片引线框架及半导体器件，其中芯片引线框架包括装配区基岛、主管脚、中筋连筋以及次管脚；所述中筋连筋用于连接所述主管脚以及所述次管脚；所述装配区基岛与所述主管脚通过连接部连接；其中所述连接部包括散应力孔；所述散应力孔与所述...

本技术公开一种具有温度采集功能的宽禁带半导体器件，其中，具有温度采集功能的宽禁带半导体器件包括封装壳体、开关电路以及温度采集模块，封装壳体内部形成有内腔；开关电路设于内腔；温度采集模块设于内腔，温度采集模块与开关电路电连接，用于采集宽禁...

本申请提供一种碳化硅肖特基二极管芯片、电路板组件和电子设备，该碳化硅肖特基二极管芯片所述碳化硅肖特基二极管芯片包括多个肖特基二极管单元；对于每个所述肖特基二极管单元，所述肖特基二极管单元包括：阴极金属层、N型衬底层、N型外延层、阳极金属...

本申请公开了一种氮化镓器件及其制作方法，其中方法包括以下步骤：提供一器件半成品；器件半成品从下至上依次包括衬底

本申请公开了一种常关型P型氮化镓器件及其制作方法。方法包括：提供一氮化镓器件半成品；在GaN沟道层上依次形成第一ALGaN势垒层以及第一钝化层；通过湿法腐蚀部分去除第一钝化层，形成待生长区；在待生长区以外的区域形成第二ALGaN势垒层；...

本申请提出一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构。通过形成多个等同过...

本实用新型属于半导体技术领域，公开了沟槽型MOS场效应晶体管。上述场效应晶体管包括：从下至上依次层叠设置的半导体衬底层、N型半导体外延层、阱区和掺杂区；沟槽，包括栅极沟槽和虚拟沟槽，栅极沟槽位于中心位置，其两侧分别设置一个虚拟沟槽，虚拟...

本申请提出一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构。通过形成多个等同过...

本申请提供一种碳化硅肖特基二极管芯片、电路板组件和电子设备，该碳化硅肖特基二极管芯片所述碳化硅肖特基二极管芯片包括多个肖特基二极管单元；对于每个所述肖特基二极管单元，所述肖特基二极管单元包括：阴极金属层、N型衬底层、N型外延层、阳极金属...

本发明属于半导体技术领域，公开了沟槽型MOS场效应晶体管的制备方法和应用。制备方法：在半导体衬底层上依次形成N型半导体外延层、阱区和掺杂区；在掺杂区的中间区域的两侧分别刻蚀一个虚拟沟槽，向虚拟沟槽的底部注入P型杂质，形成P+层；在掺杂区...

本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种双沟槽型MOS场效应晶体管。上述场效应晶体管包括：依次层叠设置的半导体衬底层、半导体外延层；堆叠于半导体外延层上的阱区；设置于阱区上的掺杂区，掺杂区包括N型重掺杂区和P型重掺杂区；沟槽，包括栅极沟...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种双沟槽型MOS场效应晶体管的制备方法和应用。制备方法：在半导体衬底层上形成半导体外延层；在半导体外延层上方形成阱区；在阱区上表面的中间区域形成N型重掺杂区，在阱区上表面、N型重掺杂区两侧的区域，形成P...

本申请提供一种SPST场效应管制备方法及SPST场效应管，属于半导体技术领域。该方法包括：对样品的外延层注入P型杂质，形成P

本申请提供AOT场效应管制备方法及AOT场效应管，属于半导体技术领域。该方法包括：对样品的外延层注入P型杂质，形成P

本申请公开了一种DP场效应管制备方法及DP场效应管。DP场效应管制备方法包括：对外延片进行刻蚀，以形成槽栅；在所述槽栅的两侧注入P型杂质以形成P阱层；通过推结工艺对所述P阱层进行推结，以使所述P阱层的深度大于所述槽栅的深度；其中，所述P...