本技术涉及半导体放电管技术领域，且公开了一种带保护套的半导体放电管，包括放电管本体、引线与护套体，所述引线连接在放电管本体的端部；所述护套体内开设有贯通的通风通道，所述放电管本体置于通风通道内，所述通风通道内设置有与放电管本体抵靠并对其...

本技术属于二极管技术领域，具体公开了一种新型二极管，包括基座，所述基座的顶部固定连接有下半环，所述下半环的内侧通过扣紧机构活动安装有二极管本体，所述二极管本体的两端均设置有引脚本体，所述基座的上表面固定连接有斜靠板，所述斜靠板的上方设置...

本实用新型涉及二极管技术领域，并公开了一种抗静电二极管，包括二极管本体，所述二极管本体上套设有若干支撑片，若干所述支撑片上均开设有开口，所述开口的形状与二极管本体的形状相适配

本实用新型提出了一种电气设备用可控硅，包括可控硅本体，所述可控硅本体上安装有多个引脚，多个所述引脚上均套设有防护筒，所述防护筒内设有与引脚抵靠的缓冲件，多个所述防护筒上均安装有固定块，多个所述固定块上均滑动穿接有连接柱，所述连接柱上设有...

本实用新型公开了一种电子通讯用可控硅，包括可控硅与第一导电片，所述第一导电片安装再可控硅上，所述第一导电片内滑动连接有导电接头，所述导电接头上转动连接有第二导电片。本实用新型所述的一种电子通讯用可控硅，该一种电子通讯用可控硅，可在导电片...

本实用新型公开了一种用于半导体集成电路的可控硅，包括可控硅主体，所述可控硅主体上开设有插装孔，插装孔内可拆卸插装有针脚，插装孔的一侧内壁连接有接触端块，插装孔远离接触端块的一侧内壁活动连接有挡位压紧块，所述可控硅主体上螺纹插接有压紧螺钉...

本实用新型公开了一种通讯模块用可控硅，包括可控硅主体，所述可控硅主体上连接有固定块，所述固定块上开设有通孔且通孔内连接有用于固定可控硅主体的紧固件。本实用新型所述的一种通讯模块用可控硅，方便人们直接固定，而不需在寻找螺栓固定，还防止螺栓...

本实用新型提出了一种电路控制用可控硅，包括可控硅本体，所述可控硅本体的正面安装有多个引脚，所述可控硅本体的顶部可拆卸安装有防护罩，所述可控硅本体上设有用于防护罩锁定的锁定件，所述防护罩的侧面安装有位于引脚上方位置的连接杆，所述连接杆的底...

本实用新型公开了一种引线框架，包括引线板，所述引线板的顶面开设有凹槽，所述凹槽的内面开设有排线通道，所述引线板底面的两端均固定连接有支撑板，两个所述支撑板的底面均固定连接有多个凸块，所述引线板的侧面固定连接有多个第一接线引脚与多个第二接...

本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅驱动电路及可控硅芯片中，通过可控硅器件的控制极可控硅驱动电路的控制端，可控硅器件的第一电极作为可控硅驱动电路的输出端，可控硅器件的第二电极与齐纳二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的电源输...

本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅驱动电路及可控硅芯片中，通过可控硅器件的控制极可控硅驱动电路的控制端，可控硅器件的第一电极作为可控硅驱动电路的输出端，可控硅器件的第二电极与齐纳二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的电源输入端...

本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种双向半导体放电管，所述双向半导体放电管包括衬底层以及分别设于衬底层两侧的第一器件层和第二器件层，第一器件层和第二器件层的结构呈对称设置，其中，第一器件层包括：具有第二导电类型的扩散层；用于将扩...

本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在衬底层掺杂铂元素的方式对其少数载流子的寿命进行调节，从而在不改变衬底层的掺杂浓度...

本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在正面阳极发射区上设置深入至第一侧表面区域中的阳极隔离区，对可控硅器件的击穿电压进...

本实用新型属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件，通过将衬底层第一侧的正面阳极层以及衬底层第二侧的背面阳极层设置成“凸”形，且正面阳极层的凸起部位于所述正面阳极层的基部与所述衬底层之间，背面阳极层的凸起部位于所述背面阳极层的基部与...

本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件及其制备方法，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在衬底层掺杂铂元素的方式对其少数载流子的寿命进行调节，从而在不改变衬底...

本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件及其制备方法，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在正面阳极发射区上设置深入至第一侧表面区域中的阳极隔离区，对可控硅器件...

本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种双向半导体放电管及其制备方法，所述双向半导体放电管包括衬底层以及分别设于衬底层两侧的第一器件层和第二器件层，第一器件层和第二器件层的结构呈对称设置，其中，第一器件层包括：具有第二导电类型的扩散层；...

本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件及其制备方法，通过将衬底层第一侧的正面阳极层以及衬底层第二侧的背面阳极层设置成“凸”形，且正面阳极层的凸起部位于所述正面阳极层的基部与所述衬底层之间，背面阳极层的凸起部位于所述背面阳极层...