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深圳赛意法微电子有限公司专利技术
深圳赛意法微电子有限公司共有192项专利
多管脚半导体产品的封装方法技术
本发明公开了多管脚半导体产品的封装方法,包括贴芯片步骤、引线键合步骤、模封步骤以及电镀步骤;在电镀步骤之前增加切筋步骤和去毛刺步骤,电镀步骤之后增加分离步骤和成型步骤;进而可通过切筋步骤对模封后的引线框架中与管脚连接的连筋去除,并通过去...
半导体切胶装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种半导体切胶装置,包括上模以及与所述上模适配的下模,所述下模用于放置由多个通过连接筋连接在一起的半导体构成的矩阵框架,所述上模上安装有预切割装置,所述预切割装置适于对连接筋进行预切割,该半导体切胶装置其通过在原有模具的...
晶粒层厚度测量方法及晶粒层异常的判断方法技术
本发明公开了晶粒层厚度的测量方法,至少包括以下步骤:步骤S10:将待测晶粒使用FIB处理至目标区域;步骤S20:在所述目标区域滴入由CH3COOH、HNO3、HF或者H2O、HNO3、HF按预设比例混合形成的混合酸溶液,静置预设时间后清...
状态锁存电路及应用该电路的高压监控保护装置制造方法及图纸
本发明公开了状态锁存电路,包括采样模块、状态锁存模块、控制模块;所述采样模块包括第一采样输入端和第二采样输入端,所述第一采样输入端用于连接测试电路的第一采样点,所述第二采样输入端用于连接测试电路的第二采样点,所述采样模块的输出端连接所述...
半导体晶圆芯片分选方法、半导体产品的封装方法及系统技术方案
本发明公开半导体晶圆芯片分选方法,其能够将原初晶圆上的合格芯片拣选出来,并按照芯片的性能等级分组规则,将所述合格芯片布置在重构晶圆上。所述半导体晶圆芯片分选方法包括以下步骤:性能等级标记步骤S101:器件追溯系统将所述原初晶圆上的合格芯...
半导体功率器件的并行测试设备制造技术
本发明公开半导体功率器件的并行测试设备,其用于并行地测量多个所述半导体功率器件的电性参数,其包括测试头(100)、连接电缆(200)、和测试电脑(400),其中,借助于所述连接电缆(200),所述测试头(100)能够与所述测试电脑(40...
一种钢带传输装置制造方法及图纸
本发明公开了一种钢带传输装置,包括钢带、钢带弹簧夹与垫簧,所述钢带弹簧夹与所述垫簧安装于所述钢带,所述钢带弹簧夹末端穿过所述钢带并形成第一夹紧部,所述垫簧末端穿过所述钢带并形成第二夹紧部,所述第二夹紧部前端形成有适于与所述第一夹紧部配合...
引线框架制造技术
本实用新型提供了一种引线框架,包括多个框架单元,框架单元包括基体和管脚区,基体包括散热部和芯片基岛,散热部上开设有固定孔,该固定孔在引线框架的厚度方向上贯通散热部,固定孔的顶部边缘水平,该固定孔顶部边缘与散热部顶端边缘之间的距离为1.6...
半导体功率器件的并行测试方法技术
本发明公开半导体功率器件的并行测试方法,其用于在封装测试工序中,通过芯片封装测试装置对整条引线框架上的半导体功率器件进行并行测试,所述芯片封装测试装置包括测试头(100)、测试支架(110)、和操作机台(111)。所述并行测试方法包括以...
多点近距离感应器的封装方法技术
本发明公开一种多点近距离感应器的封装方法,包括以下步骤:PCB基板制备步骤:感应器芯片制备步骤:组装步骤:将感应器芯片通过芯片贴装工艺安置在PCB基板的感应器芯片光学设计位置处,并将预先准备的VCSEL芯片通过芯片贴装工艺安置在PCB基...
半导体器件的自动化分级封装方法及系统技术方案
本发明公开半导体器件的自动化分级封装方法,其中,所述半导体器件的追溯性信息包括批次、坐标、和分级信息;所述自动化分级封装方法在生产线的处理工位上对所述半导体器件进行封装处理;多个所述半导体器件按阵列的方式排列在载具上。所述自动化分级封装...
碳化硅基晶圆的分束激光切割方法技术
本发明公开碳化硅基晶圆的分束激光切割方法,其用于将所述碳化硅基晶圆切割成独立的芯片,其特征在于,其包括以下步骤:预处理步骤;衍射分光步骤:用光栅装置(106)将单束激光(105)分成多束激光(108),并形成光束图案;分束切割步骤:使用...
硅基晶圆的分束激光切割方法技术
本发明公开硅基晶圆的分束激光切割方法,其用于将所述硅基晶圆切割成独立的芯片,其特征在于,其包括以下步骤:预处理步骤;衍射分光步骤:用光栅装置(106)将单束激光(105)分成多束激光(108),并形成光束图案;分束切割步骤:使用所述样式...
引线框架和半导体封装器件制造技术
本实用新型揭示了一种引线框架和半导体封装器件,所述引线框架包括至少一引线单元,该引线单元包括边框、用于承载芯片的第一芯片焊接部、第二芯片焊接部和管脚,第一芯片焊接部和第二芯片焊接部相对设置,且第二芯片焊接部相对于第一芯片焊接部下沉预定高...
低密度材料透视成像方法及系统技术方案
本发明公开了低密度材料透视成像方法及系统,用于通过超声波对封装体内的检视器件进行成像,检视器件包括具有第一表面的第一元件、具有第二表面的第二元件,以及连接第一表面和第二表面的导线;第一表面与第二表面位于不同的平面,导线为密度低于5克每立...
半导体器件的切筋成型方法技术
本发明公开了一种半导体器件的切筋成型方法,其中,多个半导体器件按阵列的方式设置在矩阵框架上,相邻行所述半导体器件通过连接筋连接,所述矩阵框架包括边框、多个连接所述边框与半导体器件的引脚以及连接各引脚的加强筋,所述切筋成型方法包括以下步骤...
多点近距离感应器制造技术
本发明公开了一种多点近距离感应器,包括多点近距离感应器模组和镜头组件,多点近距离感应器模组包括设置有感应器芯片光学设计位置和VCSEL芯片金属平台的PCB基板,还包括VCSEL芯片驱动器和VCSEL芯片,VCSEL芯片驱动器和VCSEL...
手持式继电器测试仪制造技术
本发明公开了手持式继电器测试仪,包括控制模块、驱动模块和触点检测模块;驱动模块用于与待测继电器的线圈连接,触点检测模块用于与待测继电器的触点连接;控制模块用于向驱动模块输出PWM波,驱动模块根据PWM波驱动待测继电器的线圈,以使待测继电...
一种超小型微处理器制造技术
本发明公开了一种超小型微处理器,包括芯片、引线框架和引线,引线框架上设有芯片贴区和管脚,芯片贴装在芯片贴区上,芯片上设有焊区,引线一端焊接在芯片的焊区上,引线另一端焊接在管脚上,芯片的厚度范围为:190‑230微米,芯片设在芯片贴区的居...
引线框架及半导体器件制造技术
本实用新型提供了一种引线框架及半导体器件,引线框架包括多个框架单元,各框架单元中第二侧管脚设置在中间管脚的另一侧,第二侧管脚包括第二内管脚,第二内管脚沿靠近中间管脚的方向增大,且第二内管脚靠近中间管脚的一侧具有一由顶端延伸至底端的斜边,...
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