本发明公开硅基晶圆的分束激光切割方法，其用于将所述硅基晶圆切割成独立的芯片，其特征在于，其包括以下步骤：预处理步骤；衍射分光步骤：用光栅装置(106)将单束激光(105)分成多束激光(108)，并形成光束图案；分束切割步骤：使用所述样式...

本实用新型揭示了一种引线框架和半导体封装器件，所述引线框架包括至少一引线单元，该引线单元包括边框、用于承载芯片的第一芯片焊接部、第二芯片焊接部和管脚，第一芯片焊接部和第二芯片焊接部相对设置，且第二芯片焊接部相对于第一芯片焊接部下沉预定高...

本发明公开了低密度材料透视成像方法及系统，用于通过超声波对封装体内的检视器件进行成像，检视器件包括具有第一表面的第一元件、具有第二表面的第二元件，以及连接第一表面和第二表面的导线；第一表面与第二表面位于不同的平面，导线为密度低于5克每立...

本发明公开了一种半导体器件的切筋成型方法，其中，多个半导体器件按阵列的方式设置在矩阵框架上，相邻行所述半导体器件通过连接筋连接，所述矩阵框架包括边框、多个连接所述边框与半导体器件的引脚以及连接各引脚的加强筋，所述切筋成型方法包括以下步骤...

本发明公开了一种多点近距离感应器，包括多点近距离感应器模组和镜头组件，多点近距离感应器模组包括设置有感应器芯片光学设计位置和VCSEL芯片金属平台的PCB基板，还包括VCSEL芯片驱动器和VCSEL芯片，VCSEL芯片驱动器和VCSEL...

本发明公开了手持式继电器测试仪，包括控制模块、驱动模块和触点检测模块；驱动模块用于与待测继电器的线圈连接，触点检测模块用于与待测继电器的触点连接；控制模块用于向驱动模块输出PWM波，驱动模块根据PWM波驱动待测继电器的线圈，以使待测继电...

本发明公开了一种超小型微处理器，包括芯片、引线框架和引线，引线框架上设有芯片贴区和管脚，芯片贴装在芯片贴区上，芯片上设有焊区，引线一端焊接在芯片的焊区上，引线另一端焊接在管脚上，芯片的厚度范围为：190‑230微米，芯片设在芯片贴区的居...

本实用新型提供了一种引线框架及半导体器件，引线框架包括多个框架单元，各框架单元中第二侧管脚设置在中间管脚的另一侧，第二侧管脚包括第二内管脚，第二内管脚沿靠近中间管脚的方向增大，且第二内管脚靠近中间管脚的一侧具有一由顶端延伸至底端的斜边，...

一种功率器件的封装模块及其引线框架。该封装模块包括封装外壳、基板、功率芯片和引线单元。基板封装在所述封装外壳内，所述基板具有底面和顶面，所述顶面和底面均镀银，所述基板底面的镀银区裸露在所述封装外壳外；功率芯片封装在所述封装外壳内，所述功...

本实用新型揭示了一种芯片，该芯片包括形成有电路的晶片、包裹在晶片侧部和顶部的树脂层、位于晶片的顶部且露出树脂层的电极以及覆盖在晶片底部的硅土膜，电极的上表面与树脂层的上表面齐平，且电极由形成在晶片上的锡球经打磨后形成。该芯片能够保护晶片...

本实用新型提供了一种晶圆切割设备，其包括：支架、工作平台、切割刀、驱动机构和喷水装置。工作平台用于放置待切割的晶圆；切割刀立设于工作平台的上方，切割刀能够相对于工作平台运动，切割刀的刀刃在高度上大于晶圆的厚度；驱动机构的主轴与切割刀连接...

本发明揭示了一种引线框架及半导体封装器件，所述引线框架包括至少一引线单元，该引线单元包括边框、用于承载芯片的第一芯片焊接部、第二芯片焊接部和管脚，第一芯片焊接部和第二芯片焊接部相对设置，且第二芯片焊接部相对于第一芯片焊接部下沉预定高度，...

本发明提供了一种半导体器件及其封装方法。封装方法包括：镀金属层过程：提供芯片和衬底，在芯片的其中一面镀上金属层，在衬底上与芯片预粘合的区域镀上金属层；预烧结过程：利用低温低压烧结工艺，将金属薄膜与芯片的金属层、衬底的金属层预烧结在一起；...

一种功率器件的封装方法及其封装模块、引线框架。该封装方法包括烧结过程、连接引线框架的过程、塑封过程和切筋过程。烧结过程中，将银薄膜粘接在功率芯片镀银的背面，通过烧结工艺将功率芯片烧结在基板顶面的镀银区中。烧结完成的基板和功率芯片，通过焊...

本发明提供了一种晶圆切割设备及晶圆切割方法，该切割设备包括：支架、工作平台、切割刀、驱动机构和喷水装置。工作平台用于放置待切割的晶圆；切割刀立设于工作平台的上方，切割刀能够相对于工作平台运动，切割刀的刀刃在高度上大于晶圆的厚度；驱动机构...

一种芯片测试载具及芯片测试设备，芯片测试设备包括：芯片测试载具、测试机台、多组测试探头以及移动平台，芯片测试载具包括：可相互重叠卡装并可相互分离的专用托盘和核心托盘；转运托盘包括：托板和设于托板正面的多排平行分布的用以盛放芯片的盛放单元...

本实用新型提供了一种引线框架和半导体器件。引线框架包括边框和沿边框长度方向排布于边框内的多个芯片封装单元；各芯片封装单元包括芯片基岛、多个管脚，以及连接芯片基岛和边框的多个连接筋；各管脚与边框位于同一平面，芯片基岛与边框所在平面之间具有...

本发明提供了一种超薄晶圆的封装方法，所述超薄晶圆为一体成型结构，包括：超薄晶圆本体和设置于所述超薄晶圆本体周向外缘的外环，所述外环的厚度大于所述超薄晶圆本体的厚度；外环的正面和超薄晶圆本体的正面平齐；外环的背面凸出于超薄晶圆本体的背面；...

本实用新型揭示了一种半导体器件的测试机及其漏电检测装置，该漏电检测装置包括：高压接入端口，与测试机的高压输出电路电连接；分压稳压电路，其输入端与高压接入端口电连接；漏电控制电路，其输入端与分压稳压电路的输出端电连接，漏电控制电路的第一继...

本实用新型揭示了一种半导体封装装置和半导体引线框架,该半导体封装装置包括：封装外壳；半导体器件，包覆在所述封装外壳内；管脚，用于与所述半导体器件电气连接，且裸露在所述封装外壳外；所述管脚靠近所述封装外壳的两侧分别具有由两凸起和一凹槽形成...