本公开提供了一种新的半导体衬底制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决衬底制备过程中材料损耗较大的问题。一种新的半导体衬底制备方法包括：提供支撑层和供体层；供体层包括：相对设置的第一表面和第二表面，将支撑层键合至供体层的第一表面；在供...

本公开提供了一种新的半导体复合衬底的制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决衬底制备过程中材料损耗较大的问题。一种新的半导体复合衬底的制备方法包括：提供支撑层和供体层，支撑层包括：D级碳化硅衬底；供体层包括相对设置的第一表面和第二表面...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的阈值电压的同时，提升半导体器件的可靠性，半导体器件包括衬底、势垒层、第一盖帽层、第二盖帽层、源极和漏极，势垒层设置于衬底的一侧，第一盖帽层设...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的阈值电压的同时，提升半导体器件的可靠性，半导体器件包括衬底、势垒层、第一盖帽层、第二盖帽层、源极和漏极，势垒层设置于衬底的一侧，第一盖帽层设...

本公开提供了一种增强型氮化镓器件及其制备方法和电子设备，通过将凹槽栅极和P‑帽层栅极在栅极区域沿栅极长度方向排列设置的复合栅极结构，实现三维结构的栅极，一方面可有效提高氮化镓器件的阈值电压，实现增强型氮化镓器件；另一方面，凹槽栅极可通过...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的性能，所述半导体器件包括衬底、盖帽层、栅极层、保护层、源极和漏极，盖帽层设置于所述衬底的一侧，栅极层设置于所述盖帽层远离所述衬底的一侧，保护...

本公开提供一种增强型氮化镓器件及其制备方法和电子设备，Al<subgt;X</subgt;Ga<subgt;1‑X</subgt;N势垒层可以修复P型掺杂层刻蚀侧壁的损伤以降低侧壁漏电，以及修复势垒层表面损伤，补...

本公开提供的一种半导体器件及其制备方法和电子设备，通过在P+集电极区上方增加低掺杂的N型高阻区，这样增大了P+集电极区上方的电阻，通过在N型高阻区和N型缓冲层之间设置具有隔断区的P型浮空区，这样延长了P+集电极区上方的电流路径，并且将P...

本公开实施例提供了一种复合导电终端金刚石及其制备方法、场效应晶体管及其制备方法和装置，由于在一片金刚石单晶衬底上具有至少两种不同的导电终端，解决了传统提供的单一导电终端金刚石单晶衬底的灵活性差、多样性差的问题，在采用本公开提供的复合导电...

本公开实施例提供了一种锡终端金刚石和场效应晶体管的制备方法及相关产品，生长的金刚石单晶外延层在降温过程中会出现应力不均匀而实现自剥离，因此可以省去金刚石单晶外延层的传统切割研磨工艺。并且，剥离的金刚石单晶外延层的第一表面直接含有第一锡终...

本公开的肖特基二极管、其制备方法及电子装置，包括衬底；漂移层，位于衬底的一侧；第一介质层，位于漂移层远离衬底的一侧，第一介质层包括贯穿其厚度的沟槽；再生长层，位于沟槽内，再生长层远离衬底一侧的表面与第一介质层远离衬底一侧的表面共面；肖特...

本公开提供了一种半导体器件、集成电路及电子设备，涉及半导体芯片技术领域，用于实现电场的有效调制，提高半导体器件的耐压水平以及稳定性；半导体器件包括：衬底、沟道层、势垒层、P型Ⅲ族氮化物层、第一极、第二极和控制极；在向衬底的正投影中，控制...

本公开的绝缘栅双极晶体管、其制作方法及电子装置，可提高IGBT的可靠性，包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：依次叠置的第一n‑漂移层、第二n型掺杂漂移层、p‑阱层和n+发射极；沟槽，贯穿n+发射极、p‑阱层和第二n型掺杂漂移层，沟槽包括...

本公开提供了一种半导体器件、集成电路及电子设备，涉及半导体芯片技术领域，用于实现电场的有效调制，提高半导体器件的耐压水平以及稳定性；半导体器件包括：衬底、沟道层、势垒层、P型Ⅲ族氮化物层、第一极、第二极和控制极；其中，沿第二方向，在所述...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的功率密度和响应速度，并提升半导体器件的性能。所述半导体器件包括衬底、沟道层、第一调整层、栅极层、源极和漏极，沟道层设置于所述衬底的一侧，第一...

本公开的晶体管、其制备方法及电子装置，包括衬底；源极，位于衬底的一侧；栅极，与源极在衬底的同侧沿第一方向排列，栅极包括远离衬底一侧的第一边界，第一边界的两端为弧形边界。本公开的栅极远离衬底一侧的第一边界两端为弧形边界，即本公开的栅极包括...

本发明公开了一种晶体管、其制作方法及电子器件，包括：衬底、以及依次叠层设于衬底之上的外延层和电极层；电极层包括：设于外延层之上的源极、栅极结构和漏极；外延层还包括阻断结构，二维空穴气被阻断结构分割为多段；阻断结构包括第一阻断结构和第二阻...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的功率密度和响应速度，并提升半导体器件的性能。所述半导体器件包括沟道层、空穴提供层、栅极层和调整层。空穴提供层层叠设置于沟道层的一侧。栅极层层...

本申请提供了一种用于金刚石生长的工作台及金刚石生长装置，涉及金刚石材料生长技术领域，旨在能够高质量、快速率、大尺寸的生长金刚石材料。所述工作台包括样品托和承载装置。样品托用于承载衬底。样品托和衬底设置于用于提供微波等离子球体的反应腔室中...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子器件，涉及半导体芯片技术领域，旨在减少半导体器件的驱动损耗。该半导体器件包括：衬底、沟道层、势垒层、栅介质层和第一栅金属层，沟道层位于衬底的一侧，势垒层位于沟道层远离衬底的一侧，栅介质层位于势...