本发明公开了一种光触发晶闸管、晶闸管、其制作方法及电子器件，光触发晶闸管包括：衬底、以及依次层叠设于衬底之上的掺杂层和电极层；掺杂层内设置有超结单元，超结单元包括：多个P型掺杂柱和多个N型掺杂柱，各P型掺杂柱和各N型掺杂柱沿第一方向交替...

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括：衬底、以及依次位于衬底之上的碳化硅层和栅极结构；栅极结构包括：氧化硅层、栅电极和保护层，氧化硅层设于栅电极与碳化硅层之间，保护层包裹栅电极背离衬底一侧表面和侧面；碳化硅层中未被栅极结构覆盖的...

本公开提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高薄膜晶体管的稳定性。薄膜晶体管包括：源极图案、漏极图案、填充图案和有源层图案。源极图案和漏极图案设置于衬底一侧，源极图案和漏极图案沿第一方向间隔设置...

本发明公开了一种半导体器件、其制作方法及电子器件，包括衬底和漂移层，漂移层背离衬底的一侧表面设置有主结和场限环结构，任意相邻两个场限环结构在第一方向上具有间隙，沿着远离主结的方向，各相邻场限环结构之间的间隙逐渐增加。如此，掺杂区的深度可...

本发明公开一种金刚石基晶体管器件、其制作方法及电子器件，表面氢截止层中设置有第一凹槽、第二凹槽和第一连接壁，第一凹槽和第二凹槽均具有侧壁和连接所有侧壁的第二连接臂，所有侧壁相对于金刚石衬底表面的倾斜角均大于0度，第一连接壁和第二连接壁均...

本发明公开了一种本发明实施例提供的一种绝缘栅双极晶体管、其制作方法及电子器件，衬底的制作材料包括P+型碳化硅，衬底之上设置有缓冲层，缓冲层的制作材料包括P型碳化硅，缓冲层之上设置有碳化硅层；碳化硅层中设置有栅极沟槽，栅极沟槽两侧分别设置...

本发明公开了一种碳化硅晶体管、其制作方法及电子器件，包括碳化硅衬底层、碳化硅外延层和栅极结构，碳化硅外延层中包括多个第一P‑掺杂区域，在相邻两个第一P‑掺杂区域之间设置第二P‑掺杂区域或栅极沟槽，第二P‑掺杂区域或栅极沟槽与相邻的第一P...

本发明公开了一种碳化硅晶体管、其制作方法及电子设备，在设于衬底表面的碳化硅层中设置有栅极沟槽，该栅极沟槽的侧壁为{0‑33‑8}晶面族和{01‑1‑4}晶面族之一，且均包含沟道区，由于{0‑33‑8}晶面族和{01‑1‑4}晶面族的面缺...

本公开提供了一种籽晶托及其制备方法、晶体生长装置、晶体生长方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在降低碳化硅单晶材料中的位错密度。所述籽晶托包括籽晶托主体和多个填充部。籽晶托主体的第一表面开设有多个凹槽，多个凹槽间隔设置，第一表面用于设置籽晶...

本发明提供了一种金刚石悬浮液及其制备方法，用以解决当前金刚石悬浮液容易生成油性沉淀所导致的使用寿命低的问题。该金刚石悬浮液包括悬浮体系和分散于所述悬浮体系中的金刚石颗粒；其中，所述金刚石颗粒的粒径为3‑12μm，所述悬浮体系包括分子式为...

本公开提供了一种抛光液及其制备方法与应用，涉及化学机械抛光技术领域，旨在解决抛光液对衬底的抛光中，表面粗糙度和去除速率不能同时满足使用需求的问题。所述抛光液中各原料的质量份数含量组成包括：1份～3份的球形二氧化硅，70份～80份的多元醇...

本公开提供了一种金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法，涉及半导体技术领域，旨在提高金刚石衬底及金刚石外延层的质量。金刚石衬底的生长方法包括：提供多片金刚石籽晶，金刚石籽晶具有主表面及多个拼接侧面；金刚石籽晶的主表面为(100)...

本公开提供了一种单晶金刚石外延片及其制备方法、金刚石外延层生长用基片及单晶金刚石基板的制备方法，涉及半导体材料技术领域，旨在解决现有的单晶金刚石基板杂质多且表面粗糙度高的问题。单晶金刚石外延片包括：籽晶层和生长于所述籽晶层上的至少一组叠...

本申请提供了一种金刚石生长方法、金刚石材料、工作台及金刚石生长装置，涉及金刚石材料生长技术领域，旨在能够获得高质量、快生长速率、大尺寸的金刚石材料。该方法包括提供衬底，采用微波等离子体化学气相沉积法在衬底上以预设路径生长金刚石材料，其中...

本公开提供了一种碳化硅晶体的定向治具、定向方法和切割方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决碳化硅晶体定向工艺复杂的问题。碳化硅晶体的定向治具包括第一工作状态和第二工作状态。在第一工作状态下，定向治具提供第一承载面，在第二工作状态下，定向...