本发明涉及一种量子‑经典混合程序中量子线路编译方法、装置和系统，包括：使用与量子线路的编程语法对应的编译器对量子线路进行编译，得到图数据结构的中间表示；中间表示的图数据结构中包括表示量子比特、经典比特和量子门的多个顶点，其中，每一表示量...

本发明公开了一种基因组组装方法、基因组组装装置、存储介质和计算机设备。基因组组装方法包括：根据待测序基因组构建有向有环图；根据有向有环图构建得到组合优化问题的无约束条件的目标函数；根据无约束条件的目标函数构建得到哈密顿量；利用量子变分算...

本申请涉及一种基于量子算法的车辆路径优化方法

本实用新型公开了一种量子芯片，应用于量子芯片技术领域，包括相对设置的第一衬底以及第二衬底；设置于第一衬底朝向第二衬底一侧表面的芯片功能结构，以及焊点；设置于第二衬底朝向第一衬底一侧表面的连接桥组件；空气桥的桥面与第二衬底相接触，空气桥的...

本发明公开了一种赝纯态的制备方法、核磁共振量子计算机及其计算方法。赝纯态的制备方法包括：基于线选法对样品的热平衡态进行操作得到近似赝纯态，近似赝纯态的密度矩阵的次对角元非彼此相同和/或近似赝纯态的密度矩阵的非对角元中出现非零项；交替进行...

本发明公开了一种空气桥的制备方法，涉及量子芯片技术领域，包括以预设的曝光剂量分布对电子束光刻胶中的空气桥区域进行灰度曝光，在空气桥区域中形成桥撑结构；曝光剂量分布中，对应桥墩区域的曝光剂量大于对应桥面区域的曝光剂量，且从桥墩区域至桥面区...

本发明公开了一种组合优化问题的量子化求解方法、装置、存储介质和计算机设备。量子化求解方法包括：将待求解组合优化问题对应的损失函数映射为整体哈密顿量；将整体哈密顿量分解成多个子哈密顿量，各个子哈密顿量的量子比特数之和等于整体哈密顿量的量子...

本申请公开了一种量子电路编辑方法、装置及一种电子设备和计算机可读存储介质，该方法包括：在量子电路中确定多个待组合量子逻辑门操作；基于多个待组合量子逻辑门操作在量子比特和时序上的关系在代码中声明目标量子逻辑门操作组合的定义；将目标量子逻辑...

本发明公开了一种赝纯态的制备方法、核磁共振量子计算机及其计算方法。赝纯态的制备方法包括：发射第一射频脉冲到样品，第一射频脉冲用于对样品的热平衡态进行第一幺正操作，得到具有第一密度矩阵的第一过渡态，第一密度矩阵中的次对角元彼此相同，且第一...

本申请涉及一种量子线路编辑方法、装置、设备及介质。该方法包括：响应于对量子门选择栏中任一量子门组件的触摸指令，将量子门组件的属性信息存入预设编辑数据对象，生成量子门组件镜像；响应于对量子门组件镜像的拖动指令，将量子门组件镜像与预设编辑数...

本发明公开了一种多量子比特量子脉冲控制方法、装置和系统。该方法包括：在确定目标量子比特的量子脉冲控制参数过程中，以泡利基矢的态保真度形式定义的幺正演化保真度作为损失函数优化量子脉冲控制参数；幺正演化保真度采用如下方式确定：分别获取量子系...

本申请实施例提供了一种超导量子芯片及其基底，用于低成本地减小芯片串扰的效果。超导量子芯片的基底包括：主体；通孔，其中所述通孔贯穿所述主体的上、下表面；金属膜层，其中所述金属膜层覆盖于所述通孔的内壁；金属柱，其中所述金属柱填充于覆盖有所述...

本发明公开了一种量子测控系统、量子计算机、系统及网络和通信方法。量子测控系统包括：至少一个任意波形发生器和至少一个量子分析仪，其中，任意波形发生器，用于接收上位机传送过来的波形控制参数，根据波形控制参数生成所需的任意波的数据，将任意波数...

本发明公开了一种频谱测试分析、频谱测试波生成方法和相关系统、装置。包括：若所需扫描频率范围在波形发生器的工作频率范围内，根据被测器件的频谱扫描参数确定波形种类和参数；获取波形发生器根据波形种类和参数生成的发射信号，及采集发射信号经过被测...

本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法，涉及量子芯片技术领域，包括在衬底表面设置电子束光刻胶；基于电子束光刻设备，以预设曝光剂量对电子束光刻胶进行过曝光，基于电子束曝光过程中的前散射，在电子束光刻胶中形成底切结构；在对电子束光刻胶进行过曝...

本申请涉及一种量子算法的拓扑结构构建方法、装置、设备及介质。该方法包括：将量子算法中的多比特逻辑门操作分解为单比特逻辑门操作和两比特逻辑门操作；根据每一两比特逻辑门操作中各比特的连接关系，将每组逻辑上相互连接且纠缠操作次数相同的多个比特...

本发明公开了一种量子芯片及其制备方法，应用于量子芯片技术领域，包括相对设置的第一衬底以及第二衬底；设置于第一衬底朝向第二衬底一侧表面的芯片功能结构，以及焊点；设置于第二衬底朝向第一衬底一侧表面的连接桥组件；空气桥的桥面与第二衬底相接触，...

本申请实施例提供了一种超导量子芯片及其基底、及基底的制作方法，用于减小芯片串扰的效果。基底的制作方法包括：于金属基座上生长芯片基底主体；其中，所述金属基座包括金属底座及垂直设置于所述金属底座的上表面的第一金属柱；对所述金属底座进行打磨处...

本发明公开了一种芯片的制作方法，其包括：在衬底上制作形成位于标记区的镂空标记和位于电路区的芯片底层电路；在所述镂空标记中制作形成实体标记，以形成套刻标记；以所述套刻标记为对准标记在所述电路区中制作形成芯片上层电路；以所述套刻标记为划片定...

本发明公开了一种量子电路的布线方法、布线装置、存储介质和设备。布线方法包括：将待布线版图中各个量子比特器件和焊盘之间的布线区域划分为若干个块状子区域；构建间距目标函数，间距目标函数的值为各条扇出边的平均间距的倒数之和；根据各个量子比特器...