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深圳飞骧科技股份有限公司专利技术
深圳飞骧科技股份有限公司共有288项专利
应用于5G通信系统的射频功率放大器及射频前端架构技术方案
本实用新型实施例公开了一种应用于5G通信系统的射频功率放大器,包括输入变压器匹配网络、第一级双路放大电路、级间LC匹配网络、第二级双路放大电路以及输出变压器匹配网络;其中,所述输入变压器匹配网络包括一个第一变压器T1,所述级间LC匹配网...
一种功率放大电路及射频信号的处理方法技术
本发明提供了一种功率放大电路及射频信号处理方法,所述电路包括:电源管理模块、三级管、以及输出匹配模块;所述电源管理模块的输入端用于连接电源,通过所述电源进行供电;所述电源管理模块的第一输出端连接至所述三极管的基极,所述电源管理模块的第一...
应用于5G-Sub6G频段通信系统的射频功率放大器技术方案
本发明实施例公开了一种应用于5G
一种SMD调试器制造技术
本实用新型提供了一种SMD调试器,包括外壳、伸缩杆、吸盘、绕线电感以及金属线;所述外壳的一端为锥形,所述外壳的内部沿轴线设有贯通的伸缩杆孔;所述外壳为锥形的一端为锥形端,所述外壳远离所述锥形端的另一端为尾端;所述伸缩杆穿入所述伸缩杆孔,...
一种宽带Doherty功率放大器制造技术
本发明提供一种宽带Doherty功率放大器,包括驱动放大器、功率分配器、第一输入匹配网络、载波功率放大器、第二输入匹配网络、峰值功率放大器及功率合成和移相网络;第一输入匹配网络用于将接收的信号实现
声表面波滤波器仿真方法、相关设备及存储介质技术
本发明实施例提供了一种声表面波滤波器仿真方法,其包括步骤:步骤S1、根据所述谐振器进行建模;步骤S2、组成广义刚度矩阵;步骤S3、生成消去内部自由度刚度矩阵;步骤S4、生成谐振器矩阵;步骤S5、获得所述谐振器的导纳曲线。本发明实施例还提...
射频开关偏置电压反馈控制电路制造技术
本实用新型提供了一种射频开关偏置电压反馈控制电路,其包括依次连接的频率可调振荡器、电荷泵、电平检测电路以及译码电路,译码电路还连接于频率可调振荡器;频率可调振荡器用于根据将接收的频率控制信号产生与频率控制信号相对应频率的时钟信号并输出;...
一种SMA连接器制造技术
本实用新型提供了一种SMA连接器,包括:法兰盘;介质材料,介质材料设置在法兰盘内;中心导体,中心导体贯穿介质材料固定连接;连接头,连接头固定在法兰盘的上表面,并位于介质材料的外侧;法兰盘上贯穿设有柱脚固定槽,柱脚固定槽内可拆卸设置有多个...
一种多路功率合成的射频功率放大器及射频前端架构制造技术
本实用新型实施例公开了一种多路功率合成的射频功率放大器及射频前端架构,所述射频功率放大器包括依次连接的第一级变压器匹配网络、第一级双路放大电路、第二级变压器匹配网络、第二级四路放大电路、第三级变压器匹配网络、第三级八路放大电路以及输出变...
一种应用于射频电路组装调试的收纳盒制造技术
本实用新型提供了一种应用于射频电路组装调试的收纳盒,包括:盒体,所述盒体包括顶壁、底壁及周壁,所述顶壁、所述底壁及所述周壁共同围成收纳腔,所述周壁设置有贯穿其上的插接槽;存储单元,所述存储单元包括多个,每一所述存储单元均由所述顶壁远离所...
射频功率放大器制造技术
本发明提供了一种射频功率放大器,包括偏置电路,该偏置电路中,第三晶体管的基极连接至第三晶体管的集电极,集电极连接至基准电压源,发射极连接至第二晶体管的集电极;第二晶体管的基极连接至第二晶体管的集电极,发射极接地;第四晶体管的基极连接至第...
MMIC微波功率放大器及射频前端模组制造技术
本发明提供了一种MMIC微波功率放大器,包括输入端;输入功率分配器,其输入连接至输入端,用于将输入信号转换为两路差分信号;功率放大单元,其输入端分别连接至输入功率分配器的两路输出,用于将两路差分信号进行功率放大并输出;功率合成单元,其输...
一种Doherty射频集成功率放大器制造技术
本发明提供一种Doherty射频集成功率放大器,包括驱动放大器、载波输入匹配网络、载波功放、峰值输入匹配网络、峰值功放及功率合成和移相网络;驱动放大器的输出端分两路分别连接载波输入匹配网络的输入端和峰值输入匹配网络的输入端;载波输入匹配...
功率放大器和射频芯片制造技术
本发明提供了一种功率放大器,包括第三电容、第一晶体管、第一级匹配电路、第二晶体管、第二级匹配电路、第三晶体管、输出匹配电路、跨接于第一晶体管的基极与地之间的第一级串联反馈网络电路以及跨接于第二晶体管的基极与地之间的第二级串联反馈网络电路...
一种适用于巴伦的谐波抑制匹配电路结构及功率放大器制造技术
本申请提供一种适用于巴伦的谐波抑制匹配电路结构及功率放大器。所述电路结构包括巴伦、第一调谐单元、第二调谐单元和第三调谐单元,巴伦包括主耦合线圈、第一副耦合线圈和第二副耦合线圈,主耦合线圈连接在非平衡信号端口与接地端之间,第一副耦合线圈的...
一种适用于巴伦的谐波抑制匹配电路结构及功率放大器制造技术
本申请提供一种适用于巴伦的谐波抑制匹配电路结构及功率放大器。所述电路结构包括巴伦、第一调谐单元和第二调谐单元,所述巴伦包括主耦合线圈、第一副耦合线圈和第二副耦合线圈,主耦合线圈连接在非平衡信号端口与接地端之间,第一副耦合线圈的一端连接第...
谐波抑制电路、功率放大器模组、通信系统及芯片技术方案
本申请提供了一种谐波抑制电路、功率放大器模组、通信系统及芯片。其中适用于5G
一种新型宽带多赫蒂射频功率放大器制造技术
本发明涉及电子技术领域,提供一种新型宽带多赫蒂射频功率放大器,包括:功率分配器、输入匹配网络、驱动放大网络、差分信号转换网络、主功放网络、辅助功放网络、以及折叠型功率合成变压器网络;其中,功率分配器用于将输入信号进行功率分配后输出第一正...
带隙基准启动电路及射频芯片制造技术
本发明提供了一种带隙基准启动电路,包括带隙基准单元,用于产生基准电压并输出;启动电路,所述启动电路连接至所述带隙基准单元的输出端,用于将处于兼并态时的所述带隙基准单元输出的低电平电压反相,以触发所述启动电路输出高电平至所述带隙基准单元,...
射频功率放大电路、发射模组、通信设备及通信系统技术方案
本申请涉及射频功率放大电路、发射模组、通信设备及通信系统。其中射频功率放大电路包括:变压器,所述变压器的原边包括第一功放端、第二功放端和中间抽头,所述中间抽头与电源连接,所述变压器的副边包括功率输出端和参考端;第一电容模组,跨接于所述参...
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