本发明涉及集成电路芯片封装技术领域，特别涉及一种集成电路芯片加工封装装置及其封装方法。包括工作台，所述工作台上对称开设有两组滑槽，一组所述滑槽内转动连接有第一螺纹杆，所述第一螺纹杆上传动连接有胶封组件；所述工作台上固定连接有导胶机构；所...

本发明涉及半导体器件监测技术领域，提供一种SiC MOSFET老化参数在线测量系统，老化参数包括阈值电压和导通电阻，在线测量系统包括体效应监测模块、栅极驱动监测模块、及相互校验模块。通过本申请提供的技术方案，第一方面，实现不影响功率器件...

本发明涉及芯片加工技术领域，特别涉及一递进式半导体芯片生产设备及其工作方法。包括生产平台，所述生产平台上设有限位上料机构；所述生产平台上设有激光加工机构。本发明通过控制若干组限位杆带动若干组限位环对硅晶棒形成固定，支撑圆盘底部环形阵列设...

本发明涉及碳化硅芯片技术领域，特别涉及一种碳化硅芯片抗辐照测试系统及其测试方法，包括传感器模块、数据收集处理模块、数据预测模块、预警与控制模块、通信模块、电源管理模块和安全保护模块，本发明通过传感器模块、数据收集处理模块、数据预测模块、...

本发明涉及芯片晶圆加工技术领域，特别涉及一种能够对芯片晶圆精准定位的切割系统及其切割方法，包括切割机主体以及安装在切割机主体上的图像处理模块、传感器模块、运动控制模块、调焦模块和数据处理模块，本发明通过图像处理模块和传感器模块的协同工作...

本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种SiC MOSFET逆变器死区补偿方法，包括步骤：S1，获取SiC MOSFET逆变器输出电流，计算SiC MOSFET逆变器过零点时的电流波纹值；S2，根据电流波纹值划分电流过零区域和电流非过零区...

本技术涉及涉及半导体技术领域，特别涉及一种结势垒肖特基二极管，包括外延层、肖特基金属层、第一欧姆接触层、第一电极，外延层具有相对的第一表面和第二表面；外延层中形成有多个间隔设置于第一表面一侧的P型区；肖特基金属层设置于外延层的第一表面上...

本申请公开了半导体封装组件及电路板组件，涉及封装技术领域。半导体封装组件包括半导体封装结构和散热件；半导体封装结构包括塑封体、裸芯垫以及芯片；塑封体具有顶表面和底表面；裸芯垫设置于塑封体内且裸芯垫的顶表面外露于塑封体的顶表面；芯片设置于...

本发明公开一种浅沟槽型碳化硅MOSFET及其制造方法，所述MOSSFET包括：漏区、N型基区、第一P型基区、第二P型基区、栅极沟槽、第一N型源区、第二N型源区。N型基区远离漏区的一侧设有JFET区。JFET区相对于N型基区的高度低于第一...

本发明公开了一种集成电流传感器的碳化硅mos功率器件，其包括：芯片设置有主电流mosfet单元和电流传感器，电流传感器设置有传感器mosfet单元；芯片设置有隔离区域，电流传感器集成在隔离区域，芯片设置有对应于所述传感器mosfet单元...

本发明公开了一种沟槽型碳化硅器件结构，其包括：衬底上设置有外延层，外延层形成有第一区域，外延层上侧设置有第一体层；第一体层形成有第一源区域、第二源区域，第二源区域位于两个第一源区域之间；第二源区域刻蚀形成有沟槽；沟槽形成有第一屏蔽区域；...

本发明公开一种绑线设备及其控制方法，其中，绑线设备包括：安装架，安装架的顶部设有安装位，安装位的斜上方具有避让位；按压驱动件、传动组件和按压组件，按压驱动件、传动组件和按压组件均安装于安装架，并且按压驱动件和传动组件均位于安装位的下方；...

一种SiC集成模块及电力电子设备，该SiC集成模块包括：介质基板，具有相对的第一侧边和第二侧边，以及相对的第三侧边和第四侧边，所述介质基板自所述第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区、第二安装区、第三安装区及第四安装区；第一电阻模组，设...

一种半导体集成模块及电力电子设备，该半导体集成模块包括：介质基板，具有相对的第一侧边和第二侧边，以及相对的第三侧边和第四侧边，介质基板自第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区、第二安装区、第三安装区及第四安装区；电阻模组，设置于第一安装...

本发明公开一种绑线设备的控制方法，绑线设备包括安装架，安装架的顶部设有安装位，安装位被配置为放置工件；驱动件、传动组件以及按压组件，按压组件包括按压件和安装于安装架的导向件；按压件包括连接杆和设置于连接杆顶端的按压部连接杆与导向件活动连...

本发明涉及电力电子元器件组件加工技术领域，公开了一种耐高温电力电子元器件组件的全自动打孔设备，包括打孔装置和打磨装置，所述打孔装置和打磨装置平行设置，所述打孔装置包括下压组件、打孔组件、固定组件和移送组件，所述下压组件设置于所述固定组件...

一种半导体集成模块及磁阻电机，该半导体集成模块包括：介质基板，具有相对的第一侧边和第二侧边，以及相对的第三侧边和第四侧边，介质基板自第一侧边至第二侧边依次设置有第一安装区和第二安装区；第一二极管模组设置于介质基板的第一安装区内；第二二极...

本发明公开一种固定治具的固定方法，该固定治具用于基板和铜排的固定，该固定方法包括：在第一压接脚朝靠近基板的方向运动时，获取第一压接脚与基板的焊接位之间的第一相对挤压力；确定第一相对挤压力与第一阈值的大小；在第一相对挤压力满足第一阈值时，...

本发明公开一种固定治具的控制方法，用于插针和DBC基板的安装，该固定治具的控制方法包括：检测插针与DBC基板之间的当前间距；确定插针与DBC基板之间的当前间距与预设间距的大小；在插针与DBC基板之间的当前间距大于预设间距时，控制抵压柱以...

一种半导体集成模块及电力电子设备，该半导体集成模块包括：介质基板组件，具有相对的第一侧边和第二侧边，相对的第三侧边和第四侧边，介质基板组件包括相互连接的第一介质基板和第二介质基板；第一介质基板包括第一安装区、第二安装区和第三安装区，第二...