本技术公开了一种单晶硅片包装盒结构，涉及包装结构技术领域，包括防护箱体，所述防护箱体的外表面上沿处设有上防护沿，所述防护箱体的外表面设有加强格，所述防护箱体的外表面且在所述加强格的内部设有拿取槽，所述防护箱体的下表面外沿处设有限位沿，所...

本技术公开了一种单晶硅籽晶夹持固定装置，涉及硅制造设备技术领域，包括连接套筒，所述连接套筒的侧壁四个方向开设有通槽，所述通槽的内部设有弹性板，所述弹性板的下端外表面设有收缩楔，所述弹性板的下端内表面与所述收缩楔对应的位置设有夹持槽，所述...

本技术公开了一种单晶热场石墨坩埚取料结构，包括圆杆，圆杆的两端对称固定连接有挡块，压缩弹簧的另一端固定连接有套块，套块的中心处与圆杆的侧壁间隙配合，套块的下表面固定连接有弯杆，弯杆的另一端固定连接有半圆环，半圆环的内环壁设置有石墨坩埚。...

本实用新型公开了一种电阻式方形碳化硅晶体生长的热场装置，涉及碳化硅单晶生长热场技术领域，包括炉体，所述炉体的内部中间位置设有坩埚，所述炉体的下壁内表面与所述坩埚之间设有支撑架，所述炉体的上端设有盖板，所述炉体的侧壁内表面设有石墨耐热毡，...

本实用新型公开了一种真空腔体室复位升降结构，涉及升降装置技术领域，包括上壳体，所述上壳体的下端设有下壳体，所述上壳体的上壁中间位置贯穿设有设备通道，所述下壳体的内部上表面左右两端均设有线性执行器，所述下壳体的下端与所述线性执行器对应的位...

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长坩埚固定及坩埚盖自支撑结构，涉及石墨坩埚技术领域，包括固定底座，所述固定底座的上表面中间位置设有套筒，所述套筒的上端设有生长罩，所述套筒及所述生长罩的外表面均设有隔热覆盖，所述生长罩的上端设有顶盖，所述...

本实用新型公开了一种提取石墨坩埚的数控铣床主滑台结构，涉及石墨坩埚加工设备技术领域，包括主板，所述主板的上表面左右两端设有固定板，两个所述固定板之间前后方均设有滑杆，两个所述滑杆上且在所述主板的上端设有滑台，所述滑台的上表面中间位置设有...

本实用新型公开了一种导流式石墨导流筒，涉及导流筒技术领域，包括外筒，所述外筒的内部设有内筒，所述外筒的上壁外沿处设有连接沿，所述外筒的上壁且在所述连接沿的内侧设有固定外沿，所述内筒的上壁外侧端设有固定内沿，所述固定内沿的外侧表面抵在所述...

本实用新型公开了一种高质量碳纤维保温材料制备装置，涉及保温材料制备装置技术领域，包括底板，所述底板的上表面前后端分别设有安装板，两个所述安装板之间分别设有一号辊及二号辊，两个所述安装板之间下端且在所述底板的上表面上滑动连接有收集盒，两个...

本实用新型公开了一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，涉及石墨坩埚技术领域，包括坩埚，所述坩埚的下方设有支撑板，所述支撑板的上表面设有支撑柱，所述支撑柱的数量为四根，所述坩埚的下表面与四根所述支撑柱对应的位置设有支撑座，四根所述支撑柱...

本实用新型公开了一种调整单晶硅生长过程中温场分布的装置，涉及单晶硅材料生产技术领域，包括炉体，所述炉体的内部下端贯穿设有支撑座，所述支撑座的上端设有坩埚，所述炉体的内部且在所述坩埚的外部设有保温罩，所述保温罩的上壁贯穿设有防护筒的下端，...

本实用新型公开了一种金属化合物化学气相沉积气体导流机构，涉及化学气相沉积设备技术领域，包括导流罩，所述导流罩的上壁中间位置连通连接有进气管，所述导流罩的内部下端设有排气板，所述排气板上贯穿设有排气孔，所述导流罩的内部且在所述排气板的上端...

本实用新型公开了一种耐高温石墨发热体温梯装置，涉及石墨加热器技术领域，包括主板体，所述主板体的两端设有连接端，所述主板体上设有安装槽，所述安装槽的内依次设有温梯块，所述温梯块的内部依次设有三个蒸发盅，三个所述蒸发盅之间连接有导热块，所述...

本实用新型公开了一种用于碳化硅设备长晶支撑热场隔热的支架，涉及晶体制备装置技术领域，包括固定圈及石墨加热器，所述石墨加热器的上端设有连接台，所述连接台的数量为四个，四个所述连接台的上表面均设有连接板，所述连接板上贯穿设有连接螺纹孔，所述...

本实用新型公开了一种碳纤维保温材料结构PVT单晶体生长装置，涉及单晶体制备装置技术领域，包括顶板，所述顶板的下端设有底板，所述顶板与所述底板之间设有保温侧壁，所述顶板的中间位置贯穿设有防护筒，所述底板的中间位置贯穿设有支撑座，所述支撑座...

本发明提供一种复合碳化硅纤维硬质毡及其制备方法和应用，所述复合碳化硅纤维硬质毡包括碳化硅/碳纤维软毡预制体以及依次包覆在预制体表面的热解碳界面层和浸渍层；所述碳化硅/碳纤维软毡预制体包括至少两层碳纤维毛毡层和至少一层碳化硅纤维布层，所述...