本申请公开了一种封装体结构及制作方法

本发明公开了一种功率放大器测试方法

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种有空腔的电磁屏蔽芯片封装结构，包括封装板、滤波器芯片组、非滤波器芯片、被动元件、高粘度胶、塑封层和电磁屏蔽层，滤波器芯片组集成于封装板的上端，非滤波器芯片集成于封装板的上端，被动元件集成于...

本发明涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种功率放大器AMAM、AMPM快速测试方法；创建测试波形；下载并播放测试波形；捕获IQ数据；解调IQ数据；绘制AMAM、AMPM曲线，通过编写的波形文件，硬件上可通过信号源播放，频谱仪捕获，将测试时...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种基于曝光显影工艺的基板加工工艺，包括如下步骤：基板预处理：对基板表面进行清洗烘干；溅射：在基板上溅射一层种子薄层；光刻：对基板表面涂覆的光刻胶进行光刻处理；洁净基板开窗的铜表面：通过plasma去...

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种散热叠塑封体封装结构；包括基板、倒装芯片、铜片、功率芯片、铜框架、键合金线、第一导热胶和第二导热胶，基板的上方设置有倒装芯片，铜片设置于倒装芯片的上方，铜片的上方设置有功率芯片，铜框架设置于...

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种塑封预成形封装结构；包括基板、镍钯金镀层、塑封层、键合层、TIM填孔层和金属保护层，镍钯金镀层设置于基板的上方，塑封层设置于镍钯金镀层的上方，塑封层具有刻蚀区域，键合层设置于刻蚀区域处，TI...

本申请公开了一种方形晶粒的凸块制备方法，包括：将方形晶圆片切割为N个方形晶粒；将所述N个方形晶粒和S个假晶粒排布于圆形载具，形成圆形晶粒阵列，所述圆形晶粒阵列间存在横向和纵向方向的切割路径，其中，N为正整数，S为整数；将排布于所述圆形载...

本发明提供一种电感结构及射频模块，所述电感结构包括第一端口、第二端口以及连接所述第一端口和所述第二端口的线圈组件，所述线圈组件包括：至少一个内线圈，每个所述内线圈均由多条并行排列的金属细线构成，并且每个所述内线圈均呈环状；至少一个外线圈...

本申请公开了一种用于半导体器件的绝缘层结构，所述绝缘层结构用于电性隔离所述半导体器件的顶层焊盘层和金属电路层，所述绝缘层结构包括N个金属过孔，所述N个金属过孔的上端分别于所述顶层焊盘相连，所述N个金属过孔的下端分别于所述金属电路层相连，...

本申请公开了一种圆形晶圆片结构，所述圆形晶圆片结构上排布有圆形晶粒阵列，所述圆形晶粒阵列包括N个单体的方形晶粒和S个单体的假晶粒，所述圆形晶粒阵列间存在横向和纵向的路径，所述圆形晶粒阵列经由塑封材料塑封固定，所述圆形晶粒阵列的晶粒上均有...

本申请公开了一种用于半导体器件的绝缘层结构、半导体器件和功率放大器PA芯片，所述绝缘层结构用于电性隔离所述半导体器件的顶层焊盘层和金属电路层，所述绝缘层结构包括N个金属过孔，所述N个金属过孔的上端分别于所述顶层焊盘相连，所述N个金属过孔...

本实用新型提供一种电感结构及射频模块，所述电感结构包括第一端口、第二端口以及连接所述第一端口和所述第二端口的线圈组件，所述线圈组件包括：至少一个内线圈，每个所述内线圈均由多条并行排列的金属细线构成，并且每个所述内线圈均呈环状；至少一个外...

本实用新型提供一种电磁耦合结构及耦合器，所述电磁耦合结构包括：具有第一区域的第一线带以及具有第二区域的第二线带，所述第一区域与所述第二区域通过平行耦合形成电容，其中，所述第一区域和/或所述第二区域设有电阻增强结构。本实用新型通过提高第一...