本实用新型公开了一种电吸收调制激光器芯片，属于半导体激光器技术领域，能够降低现有EML的啁啾，可实现长距离传输。所述电吸收调制激光器芯片包括：激光器，用于发射激光束；电吸收调制器，设置在激光器的出光侧，用于对激光束进行调制；饱和体，用于...

本发明公开了一种电吸收调制激光器芯片及其制备方法，属于半导体光电发射技术领域，能够解决现有EML集成SOA激光器中各部分之间光窜扰引起的信号失真、无法实现更远距离传输的问题。所述激光器芯片包括：激光器光源；电吸收调制器，设置在激光器光源...

本发明公开具有抗反射功能的EML芯片结构及制备方法，包括：从下至上依次堆叠的N面电极、InP衬底、光栅层、光栅覆盖层和导电覆盖层；N面电极、高反射镀膜层、抗反射镀膜层和导电覆盖层形成封闭空间；高反射镀膜层和抗反射镀膜层相对设立；N面电极...

本发明公开了一种波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法，属于半导体激光器芯片制备技术领域，能够解决刻蚀后AlInGaAs有源区暴露在空气中表面容易氧化、且掩模上容易形成多晶的问题。所述方法包括：将有源层端部暴露在空气中的含铝晶...

本发明公开一种铝量子阱激光器及其制备方法，制备方法包括以下步骤：采用多硫化铵溶液处理刻蚀面上的氧化物，并生成硫化物保护层；采用金属有机气相沉积在InP基板表面依次生长波导层和第三InP层，在金属有机气相外延沉积生长前的升温过程中，烘烤刻...

本发明公开了一种激光器芯片及制备方法，所述制备方法包括：提供基底；于所述基底上形成有源层；于所述有源层的表面形成电子阻挡层，所述电子阻挡层包括In

本发明公开了一种激光器芯片及制备方法，所述制备方法包括：提供基底；于所述基底的表面形成有源层；于所述基底上形成包括由下至上依次叠置的第一半绝缘层、第二半绝缘层及第三半绝缘层的叠层结构；于所述有源层上形成外延结构；其中，所述叠层结构位于所...