本发明单晶硅埚底料中石英与硅料的分离方法，属于半导体分离技术领域；所要解决的技术问题是提供了一种耗时短，耗能少的单晶硅埚底料中石英与硅料的分离方法；采用的技术方案为：第一步、将要分离的埚底料破碎至粒径不超过10mm；第二步、用50℃的纯...