本文描述一种终端效应器，其既适于搬运晶圆，又适于搬运晶圆盒。所述终端效应器具有被配置成容置及保持单个晶圆的第一抓取单元；以及被配置成容置及保持晶圆盒的第二抓取单元，其中所述第一及第二抓取单元相连，使其可紧固在共同的机器手臂上并且互成一定...

本发明涉及用于等离子体辅助的化学气相沉积的设备(1)、系统(50)和方法(100)。在此，处理室(2)被配置成用于接纳至少一个工件载体(30)。根据本发明，该设备(1)被配置为用于借助于至少一个能够被该处理室(2)接纳的工件载体(30)...

本发明涉及用于等离子体辅助的化学气相沉积的设备

说明了一种基于纤维素和/或纤维素衍生物的连续纤维，所述连续纤维尤其用于制备耐火纺织品或碳纤维。所述纤维素和/或纤维素衍生物在所述连续纤维中以脱水形式存在。氧含量为29至39重量％，氧指数LOI为25至40(根据DINENISO6941；...

本发明涉及等离子体产生器、等离子体处理设备及电力脉冲供应方法。等离子体产生器包括：控制单元，配置为获得及评估有关至少两个制程室中的制程的制程数据；具有输出的可控制的供电单元，配置为在其输出上以响应控制单元的控制信号的方式输出直流电；以及...

本发明涉及用于等离子体辅助的化学气相沉积的设备(1)、系统(50)和方法(100)。在此，处理室(2)被配置成用于接纳至少一个工件载体(30)。根据本发明，该设备(1)被配置为用于借助于至少一个能够被该处理室(2)接纳的工件载体(30)...

本发明涉及一种用于等离子体辅助的化学气相沉积系统(50)的工件载体(1)、一种这样的系统(50)以及一种用于此类系统(50)的操作方法(100)。该工件载体(1)被配置为用于从包围该工件载体(1)的处理气体来产生等离子体。根据本发明，该...

本发明涉及一种用于选择性废气处置的系统及方法。所述方法包括：基于相应的所连接的泵单元的出口处的至少预期的废气成分而各别地控制多个阀单元，以将废气选择性地引导到第一气体净化器、第二气体净化器和/或可选的另外的气体净化器，以用于在相应的气体...

本发明公开一种稳定用于制造碳纤维的先质纤维的方法。该方法具有以下步骤：将该等先质纤维连续地输入、穿过及排出制程室；在该至少一制程室中设定在该组成方面与该环境空气不同的预设的制程气氛，其中该制程气氛含有至少一具有预设分压的反应成分和/或催...

本发明描述一种等离子处理装置和一种将电力脉冲输出至至少一个处理室的方法。所述等离子处理装置具有用于将电力脉冲输出至至少一个处理室的等离子体发生器，此等离子体发生器被配置以在处理时间内根据预定的脉冲序列产生和输出脉冲。所述等离子体发生器具...

提供了一种等离子增强化学气相沉积设备(1)，包括：反应室(11)；用于向反应室(11)供送反应气体的供气装置(12)；用于使反应室(11)内的反应气体产生等离子体的等离子发生器(13)；用于对反应室(11)进行排气的排气装置(14)；以...

用于稳定制造碳纤维的前驱物纤维的方法及装置。该方法先将前驱物纤维加热至第一温度并在预设时间段内保持该温度。随后将前驱物纤维加热至至少一高于第一温度的第二温度并在预设时间段内保持该温度。相应加热期间及加热步骤之间，前驱物纤维处于具有12至...

本发明提供一种输送单元及同时装载间隔水平距离的处理管的方法。输送单元具有沿用于移入或移出衬底载体的方向的第一方向直线延伸的水平导引装置、以可以在第一方向上沿水平导引装置运动的方式受到导引的竖直导引装置、以可以沿竖直导引装置上下运动的方式...

本发明提供一种针对处理管的管塞，所述处理管具有一个闭合的末端和一个敞开的末端，且在处理区域内具有第一内径、在与敞开末端相邻处具有更大的第二内径。所述处理管在敞开末端处具有第一抵靠边沿，并且在第一与第二内径之间的过渡处具有朝向敞开末端的第...

公开一种晶片舟，用于容置晶片，特别是半导体晶片的晶片舟。所述晶片舟具有至少两个长形容置元件。每个容置元件均由石英构成且具有横向于纵向延伸度的平行延伸的容置槽。此外，所述晶片舟具有若干长形支撑元件，其中每个容置元件均分配有至少一个支撑元件...

本实用新型提供一种用于制备三甲基铝的装置，其具有壳体、为制程模块供气的多个管路、调温单元、具有排出管路和进入管路的TMA蒸发器容器和控制单元。排出管路从TMA蒸发器容器的上区域伸入壳体且通过壳体中的定量单元与制程模块连接。进入管路穿过壳...

本文描述一种用于连接晶片舟和电力供应的接触装置，此种接触装置实现了可靠的接触。该接触装置具有包含第一基本元件及至少两个接触元件的第一连接件，其中该等接触元件中的至少一个与该基本元件弹性连接。该接触元件还具有包含至少一接触元件的第二连接件...

本发明涉及一种用来在多个半导体基材上形成膜层的方法，其中所述半导体基材容置在晶片舟中，使得所述半导体基材成对相对且以其待涂布表面相向的方式布置，并且每对半导体基材之间皆可被施加交流电压以在一对晶片之间产生等离子体，且晶片舟及所述多个半导...

本发明涉及用于向至少两个制程室脉冲供应具有至少40KHz频率的电力的等离子体产生器以及方法。等离子体产生器包括：控制单元，配置为获得及评估有关至少两个制程室中的制程的制程数据；具有输出的可控制的供电单元，配置为在其输出上以响应控制单元的...

本发明公开了一种太阳能电池叠层钝化结构，其包括：硅片，依次设于硅片背面的氧化铝层、混合钝化层和钝化层；其中，所述氧化铝层通过PECVD法形成；所述混合钝化层通过电离含氢材料得到的等离子体轰击所述氧化铝层形成。本发明还公开了一种叠层钝化太...