本技术公开一种硅基电容结构，所述硅基电容为深沟槽电容，所述硅基电容结构的绝缘层、m周期堆叠的导电层和介电层、顶导电层位于硅基电容结构的深沟槽内部。所述硅基电容减少了光罩数量，降低了制造成本，同时提升了电容面积利用率，降低了接触通孔的蚀刻...

本发明公开一种基于CMOS工艺的嵌入式沟槽电容器及形成方法。所述嵌入式电容器包括多个深沟槽，以及置于所述深沟槽中的第一导电层、第一介电层、第二导电层、第二介电层和第三导电层的连续堆叠。所述嵌入式电容器形成于CMOS工艺中第一栅氧工艺之后...

本发明提供一种用于硅通孔TSV套刻标记，包括TSV前层和TSV当层。TSV前层包括两个X向和两个Y向的条状图形，经光刻工艺和蚀刻工艺在半导体衬底上形成凹型沟槽，作为TSV套刻标记的基准。TSV当层部分为标准TSV（圆形结构）的内切（或外...

本发明涉及一种具有双侧互连的对称型双栅FDSOI器件及其制造方法，所述器件包括位于第一衬底的背栅极、背栅极接触和背侧互连结构，位于第二衬底的背栅氧、超薄硅体、正栅氧、正栅极、抬起的源/漏极、正栅/源/漏极接触和正侧互连结构。所述方法包括...

本发明涉及一种降低晶边保护环附近深沟槽侧壁缺陷的方法，所述方法：保留晶边保护环，在晶边保护环内侧区域增加额外一层硬掩膜层，具体如下，提供半导体衬底；形成第一介质层和第一光阻层；边缘曝光第一光阻层；蚀刻第一介质层；形成第一硬掩膜层；化学机...

本发明公开一种集成无源器件及其制造方法，所述集成无源器件包括由第一金属层、介电层和第二金属层构成的金属‑绝缘层‑金属电容器，以及由所述第一金属层构成的金属薄膜电阻器。本发明还公开了一种集成无源器件的制造方法，包括：将电容器上极板和电阻器...

本发明公开一种硅基电容结构及形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一硬掩膜层、第二硬掩膜层和光阻层；在所述半导体衬底、所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层的堆栈结构中形成多个深沟槽；蚀刻并暴露出所述第一硬掩膜层；...