本申请公开了一种碳化硅器件制作方法，对需要制造欧姆接触的区域执行如下预处理步骤，包括：前处理，清洗碳化硅表面的所述需要制造欧姆接触的区域，露出清洁的碳化硅表面；在所述碳化硅表面淀积金属膜；在惰性气体的气氛下或者真空下进行硅化物退火，得到...

本申请公开了一种降低接触电阻的碳化硅器件的结构，包括：碳化硅衬底；重掺杂再结晶层，位于所述碳化硅衬底表面需要制作欧姆接触的区域，所述重掺杂再结晶层表面再沉积金属膜，以降低所述金属膜与所述碳化硅衬底之间的接触电阻。本发明的优点在于，可以获...

本公开涉及一种功率开关管的驱动电路及电子设备，所述驱动电路包括：驱动芯片，用于在上电时，输出预设电流至功率放大电路并导通电容电路的第二端与地线之间的连接，直至电容电路的压降达到预设目标值；在接收到的脉冲信号为断开信号的情况下，输出低电平...

本公开涉及一种供电电路及电子设备，所述供电电路中初级绕组的第一端用于接收输入电压，第一次级绕组上设置有第一输出电路，第一输出电路的输出端用于输出第一电压；电压输出模块耦接于变压模块，电压输出模块的输出端用于产生输出电压；高压开关器件的第...

本申请提供了自对准一次性注入式结型场效应管及其制造方法。该结型场效应管包括晶圆基板、外延层、漏极、源极和栅极。外延层设置在晶圆基板的一侧，外延层上形成有凸出的台结构和台结构外侧的栅极连接面。台结构的侧面与栅极连接面的夹角A满足，85°&...

本公开涉及一种碳化硅垂直型功率半导体器件结构及形成方法，所述方法包括：在碳化硅衬底的N型外延层上生长P型外延层；在所述P型外延层上形成掩膜后进行P型离子注入，形成P阱区域；在所述P型外延层的中间区域进行N型离子注入，并在所述中间区域的两...

本公开涉及一种半导体器件结构及其形成方法、半导体器件，所述方法包括：在衬底上生长一层P型外延层；在所述P型外延层上生长一层介质层；通过所述介质层进行第一N型离子注入，形成第一N阱区域；通过所述介质层进行第一P型离子注入，形成第一P阱区域...

本技术涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种驱动装置、驱动芯片及电子设备，所述驱动装置包括：脉冲信号输入端口，用于接收脉冲信号；驱动信号输出端口，用于输出驱动信号，所述驱动信号输出端口通过输出端电容及输出端电阻连接到目标功率开关的栅极；信号...

本技术涉及驱动技术领域，尤其涉及一种功率模块及电子设备，所述功率模块包括：壳体；多个功率连接器，多个功率连接器中包括至少一个包括连接部及至少两个连接引脚的第一功率连接器，第一功率连接器中各个连接引脚的第一端均连接到连接部、各个连接引脚从...

本公开涉及一种栅极驱动装置及电子设备，所述装置用于驱动第一晶体管，所述装置包括栅极驱动单元、第一电阻、开关单元，其中：栅极驱动单元的驱动输出端电连接于所述第一电阻的第一端及开关单元的第一端，第一电阻的第二端电连接于所述第一晶体管的栅极及...

本公开涉及一种栅极控制装置、半导体芯片、功率设备、系统及控制方法，所述装置包括拉灌电源、电容，所述电容连接于所述拉灌电源及所述功率开关，其中，电容被配置为：在控制功率开关关断的关断信号被施加到功率开关的栅极的情况下，向功率开关提供负栅极...

提供了一种用于功率器件的散热装置及包括功率器件的电子设备，散热装置用于连接到设置在电路板上的一个或多个功率器件，所述散热装置包括散热翅片、一个或多个压紧片、前盖板、多个垫片，所述一个或多个压紧片连接到所述前盖板，所述散热翅片和所述垫片用...

本公开涉及一种芯片分组方法及装置、功率模块、功率设备、电子设备，所述方法包括：将晶圆上经过合格测试的各个芯片划分为多个芯片组，每个芯片组中任意两个芯片的同种参数之差小于相应的参数阈值；将各个芯片组按照目标参数进行排序，并将排序后的芯片组...

本公开涉及一种图腾柱功率因数校正电路的电流检测及控制装置、电源，所述装置包括，第一变压器的初级侧绕组的第一端、第二变压器的初级侧绕组的第一端连接于图腾柱功率因数校正电路的电感的一端，第一变压器的初级侧绕组的第二端通过下开关接地，第二变压...

本公开涉及一种恒流控制电路及驱动芯片、电子设备，所述电路包括：电压检测单元、放大单元、恒流控制单元，电压检测单元连接于被驱动晶体管的栅极、所述放大单元的负向输入端及恒流控制单元的电流输出端，放大单元的正向输入端用于接收放大参考电压，电压...

本公开涉及一种功率开关管的驱动电路及电子设备，所述驱动电路包括：镜像电流源用于在电容电路的压降小于或等于第一预设目标值的情况下，根据预设基准电流，生成并输出充电电流至电容电路的第二端，以提高所述压降；过压调节电路用于在电容电路的压降大于...

本公开涉及一种电流型驱动电路、电流源、驱动芯片和电子设备所述电路包括电流源、电流镜单元、恒流调整单元、电流检测输出单元及模式控制单元，模式控制单元用于控制驱动电路的工作模式；电流源用于提供初始电流；电流镜单元及电流检测输出单元的电压接收...

本公开涉及一种垂直型功率半导体器件结构及形成方法，所述方法包括：在衬底的外延层表面区域形成注入掩膜；在注入掩膜两侧，以第一能量、第一剂量及第一角度进行N型离子注入，以得到垂直型功率半导体器件的N+区域，第一角度为N型离子注入方向与外延层...

本公开涉及一种具有终端保护结构的碳化硅器件的制造方法。该方法包括：在衬底上生成第一介质层，衬底的材料包括碳化硅；在衬底中形成碳化硅器件的目标区域，并去除第一介质层，目标区域包括JFET区域、体区域、N型源掺杂区域和P型掺杂区域；在目标区...

本公开涉及一种具有终端保护结构的碳化硅器件的制造方法，该方法包括：在碳化硅衬底上生成第一介质层；在衬底中形成目标区域，去除第一介质层，目标区域包括JFET区域、体区域、N型源掺杂区域和P型掺杂区域；在目标区域的上方生成栅极区域，对衬底进...