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上海玺唐半导体科技有限公司专利技术
上海玺唐半导体科技有限公司共有34项专利
防黏连的内衬组件及其制造方法、反应釜技术
本申请提供了防黏连的内衬组件及其制造方法、反应釜。防黏连的内衬组件包括内衬本体和设置在内衬本体外侧的防黏层,内衬本体的材料与防黏层的材料不同。防黏连的内衬组件的防黏层为单层套筒或多层套筒,其制造方法包括:加热防黏层和/或冷却内衬本体;将...
氮化物晶体反应釜制造技术
本申请提供了氮化物晶体反应釜。该氮化物晶体反应釜包括内衬和釜体。其中,内衬包括圆筒形的内衬主体和连接在内衬主体的顶部的法兰,法兰包括环状的法兰主体和从法兰主体向径向外侧凸出的定位凸出块。釜体包括容纳腔、位于容纳腔顶部的定位环槽和从定位环...
氮化物晶体反应釜内筒的焊接方法技术
发明涉及反应釜内筒焊接技术领域,尤其涉及一种氮化物晶体反应釜内筒的焊接方法。其技术方案包括以下步骤:步骤S1,将纯银锭通过真空熔铸为纯银管并加工为合格零件,将镍基合金锻件加工为环形镍基合金,并对两种零件进行清洗,步骤S2,通过焊接夹具将...
HVPE制造技术
本实用新型涉及半导体材料制备装置技术领域,尤其涉及
一种用于立式HVPE设备的镓舟氨气匀流结构制造技术
这种用于立式HVPE设备的镓舟氨气匀流结构,包括镓舟筒体、载盘、以及设于镓舟筒体内腔上部金属镓存放腔体空间中心位置设置的氯化氢导入管、设置氯化氢导入管两侧的穿透金属镓存放腔体底板的载气导入管和氨气导入管、以及设置在氯化氢导入管下方并同样...
一种常压HVPE制作珊瑚状多晶氮化镓晶体的方法技术
一种常压HVPE制作珊瑚状多晶氮化镓晶体的方法,其特征如下:1)在载盘上放上直径1mm左右的种子颗粒,间隔10mm左右;2)向反应区内通入氮气和氢气、升温到900
一种GaN单晶生长装置的加热装置制造方法及图纸
本实用新型提供一种GaN单晶生长装置的加热装置,包括一密闭高压釜以及位于高压釜外部的加热装置,高压釜固定安装于热等静压容器内部,高压釜外侧设有一气体导流罩,热等静压容器内部还设有一气体循环装置,以实现高压釜外部气体的对流循环。本实用新型...
一种金相显微镜样品夹具制造技术
本实用新型公开了一种金相显微镜样品夹具,包括底面为平面的第一夹具和第二夹具,所述第一夹具设有凹部,所述凹部扣合连接第二夹具的凸部,所述凹部和凸部通过空心轴连接,所述空心轴内连接有带刻度的伸缩连接杆,所述伸缩连接杆轴承连接有平行设置的定面...
反应釜、生长氮化镓晶体的装置及方法制造方法及图纸
本发明涉及一种反应釜、生长氮化镓晶体的装置以及生长方法。反应釜为材料在超临界流体中生长提供高温和超高压环境,包括釜体,具有第一筒体和套设于第一筒体外壁的第二筒体,其中,第一筒体具有容纳待生长材料的容腔,第二筒体用于使所述第一筒体产生压缩...
一种用于氮化镓晶体生长高压釜的移动装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种用于氮化镓晶体生长高压釜的移动装置,包括底板和底座,底板上固定安装有固定板、第一限位板、第二限位板和第三限位板,底板的顶部设置有滑轨,底座的底部固定安装有万向轮,底座的顶部固定连接有高压釜,高压釜的两侧连接有连接块,...
单晶生长加热装置制造方法及图纸
本实用新型涉及一种单晶生长加热装置,包括:容器,容器包括第一区和位于第一区下方的第二区;加热部件,位于容器外侧,加热部件包括彼此温度能独立控制的第一加热单元和第二加热单元,第一加热单元位于第一区外围,第二加热单元位于第二区外围,第一加热...
晶体生长装置和热等静压设备制造方法及图纸
本实用新型涉及晶体生长技术领域,提供了一种晶体生长装置和热等静压设备。装置包括生长容器、端盖、密封件、泄放装置和紧固件,生长容器具有至少一个开口,开口与生长容器内空腔相连通;端盖覆盖开口,以与生长容器内形成生长腔室,端盖上设置有通孔,通...
防爆装置制造方法及图纸
本申请涉及一种防爆装置,包括箱体,具有用于容纳反应容器的内腔;氨气传感器,设于箱体的内壁,用于检测内腔中的氨气浓度并输出第一信号;排气管路,与内腔连通,排气管路上设置有单向阀,单向阀的进气口靠近内腔;以及控制装置,分别与氨气传感器、单向...
加热装置及加热方法制造方法及图纸
本发明涉及一种加热装置及加热方法,加热装置包括:容器;加热部件,位于容器外侧,用于对容器加热;冷却层,位于容器外侧且通过加热部件和绝热层与容器相隔离。上述加热装置中包括冷却层,使得容器外侧的温度恒定,减少环境温度变化对容器内温度的影响,...
一种GaN单晶生长装置及其加热方法制造方法及图纸
本发明提供一种GaN单晶生长装置及其加热方法,包括一密闭的热等静压容器、设置于热等静压容器内的高压釜以及环绕高压釜外壁设置的加热装置,所述高压釜与所述热等静压容器之间设置有气体循环装置,使得热等静压容器内部产生气体循环。本发明能够通过加...
晶体生长装置、热等静压设备及晶体生长方法制造方法及图纸
本发明涉及晶体生长技术领域,提供了一种晶体生长装置、热等静压设备及晶体生长方法。装置包括生长容器、端盖、密封件和泄放装置,生长容器具有至少一个开口,开口与生长容器内空腔相连通;端盖覆盖开口,以与生长容器内形成生长腔室;密封件设置于生长容...
半导体材料生产系统及生产方法技术方案
本发明涉及一种半导体材料生产系统,包括:清洗装置、干燥装置、充氨装置、抽真空装置、多个反应釜和多组输送管道,清洗装置、干燥装置、充氨装置、抽真空装置均可通过输送管道与同一个反应釜连通并传输物料至同一个反应釜,避免人工将反应釜搬运至各设备...
带温度传感器的氮化物制备系统技术方案
本实用新型提供一种带温度传感器的氮化物制备系统,其包括热等静压设备(1)和若干反应容器(2),反应容器(2)设置在热等静压设备(1)的内腔,反应容器(2)用于在一定的温度和压力下制备氮化物,反应容器(2)的外周设有在轴向上间隔开的第一加...
氮化物的制造设备制造技术
本实用新型提供一种氮化物的制造设备,其包括反应容器(1)、第一管路(21)、第二管路(22)和真空泵(3),所述反应容器(1)的外周设有第一加热器(51),所述第一管路(21)连接到反应容器(1),所述第一管路(21)用于向所述反应容器...
带压力传感器的氮化物制备系统技术方案
本实用新型提供一种带压力传感器的氮化物制备系统,其包括热等静压设备(1)和若干反应容器(2),所述反应容器(2)设置在所述热等静压设备(1)的内腔,所述反应容器(2)用于在一定的温度和压力下制备氮化物,所述系统还包括第一压力传感器(S1...
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