本发明提供了一种改善SiC热氧化后的界面态的制造方法，包括以下步骤：步骤一，定义硅晶圆底材MOSFET工艺制程；步骤二，定义植入了低温H2或N2/H2退火工艺方法的硅晶圆底材MOSFET工艺制程用于碳化硅底材MOSFET工艺制程。本发明...

本发明提供了一种降低功率晶体管导通电阻的方法，其包括以下步骤：步骤一，多晶硅沉积，以作为闸极控制导电层；步骤二，多晶硅曝光，显影及蚀刻以将闸极的设计形貌、图案定义完成；步骤三，多晶硅薄氧化，以形成保护膜并且消除蚀刻过程中所造成的伤害；步...

本实用新型提供了一种功率元件，包括氧化层、多晶硅栅层、绝缘层、金属层、第一护层、第二护层、P型阱、N+掺杂层、P+掺杂层、衬底、凹槽，P型阱位于衬底的上方，氧化层、多晶硅栅层、N+掺杂层、P+掺杂层都位于绝缘层和P型阱之间，第一护层位于...

本实用新型提供了一种功率MOSFET，包括衬底、多重终止环、浮接多晶硅环、芯片边界、高温热氧化层，多重终止环位于衬底和高温热氧化层之间，浮接多晶硅环位于高温热氧化层上，芯片边界位于衬底的侧面。本实用新型功率MOSFET能完全消除突波的或...

本发明提供了一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，包括以下步骤：步骤一，在衬底上依次形成绝缘层、氧化层、金属层，在金属层上形成第一护层；步骤二，在第一护层上形成第二护层；步骤三，利用遮光罩进行显影并蚀刻一个凹槽，凹槽穿过第一护层、第二...

本发明提供了一种分离式元件的制造方法，包括以下步骤：步骤一，普通研磨方式对晶圆减薄，将晶圆研磨掉第一部分；步骤二，微细研磨方式对晶圆减薄，将晶圆研磨掉第二部分；步骤三，通过湿式蚀刻方式在步骤二处理好的晶圆上形成均匀表面粗糙度；通过混合式...