本发明属于半导体器件设计与仿真技术领域，提供了一种提高TFT半导体器件设计效率的方法及装置。本方法包括以下步骤：S1：获取TFT半导体器件的几何模型的设计数据，该模型包括若干器件组件的几何模型；S2：对每个器件组件的几何模型分别赋予边界...

本发明涉及计算机辅助设计技术领域，公开了一种器件参数的人工智能拟合方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质以及计算机程序产品，用于解决现有技术中对半导体器件进行仿真计算时的拟合精度不足、步骤复杂、需要时间成本高的技术问题。包括：构建器件...

本申请提供了一种光线追踪的优化方法、系统和电子设备，涉及光学工程领域，包括获取入射光线信息和模拟信息，所述模拟信息包括预设分布信息和随机信息；结合所述入射光线信息和所述模拟信息，匹配对应的采样策略，确定采样点；其中，根据所述入射光线信息...

本发明提供了一种波导电磁波传播的仿真计算方法及装置，该方法包括：获取预先建立的波导模型，将波导模型切分为多段波导段，获取波导段中的弯曲波导段，计算弯曲波导段对应的曲率半径；基于曲率半径对弯曲波导段进行保角变换计算，得到弯曲波导段变换为直...

本发明涉及电通信技术领域，公开了一种电磁波传播信息计算方法、装置、设备及存储介质，用于解决现有技术中的电磁波传播信息计算方法精度不够的技术问题。该方法包括：获取待进行传播信息计算的通信器件的几何信息和材料信息；基于几何信息和材料信息构建...

本发明提供了一种面向微结构阵列模型的光线追迹仿真加速方法及系统，可以对微结构统一设置光学属性，使用CSG方法避免了布尔操作定义凹凸微结构带来的时间成本，提升了场景构建的效率；按照扩散板案例空间分布特点，对于空间分布较为随机的表面使用BV...

本发明公开了半导体器件设计技术领域内的一种半导体器件设计的优化方法及装置。该方法包括以下步骤：S1:获取设计的各基础参数，根据各所述基础参数构建仿真方程；S2:对所述仿真方程进行分离和约化处理，获取构造线性方程，并计算所述线性方程的解；...

本发明提供了一种基于掺杂效应的SiC材料精确迁移率确定方法及系统，该方法包括：获取基于掺杂效应的SiC材料的掺杂浓度参数及温度参数；将掺杂浓度参数及温度参数输入预先训练的改进Caughey‑Thomas迁移率模型，仿真得到SiC材料迁移...