本申请公开了一种键合晶圆的减薄方法及异质薄膜，减薄方法包括：提供键合晶圆，所述键合晶圆包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆之间具有键合界面；对所述第一晶圆的边缘进行修边处理，形成台阶结构，所述台阶结构的台阶宽度为第一预设宽...

本申请涉及半导体制造工艺技术领域，特别涉及一种衬底结构键合强度的测试方法。本申请中的方法包括如下步骤：提供异质衬底结构，在所述异质薄膜层的远离所述支撑衬底层的一侧形成测试层，得到具有测试层的异质衬底结构，所述测试层的热膨胀系数低于所述异...

本申请公开了一种复合结构衬底及其制备方法、电子器件，其中，该复合结构衬底依次包括支撑衬底、键合结构层和功能薄膜层，所述功能薄膜层是通过对第一功能层和第二功能层进行表面处理得到，所述第一功能层上远离所述支撑衬底的第一表面形成有损伤层；其中...

本申请公开了一种压电异质衬底、制备方法及半导体器件，包括衬底层、介质层、图形化电极层和压电薄膜层，介质层位于衬底层和压电薄膜层之间，图形化电极层位于介质层内，且图形化电极层的一侧暴露于介质层并与压电薄膜层电性连接；压电薄膜层具有相互背离...

本申请公开了一种压电异质结构、制备方法及半导体器件，包括衬底层、介质层、图形化电极层和压电功能层，介质层位于衬底层和压电功能层之间，图形化电极层位于介质层内，且图形化电极层的一侧暴露于介质层并与压电功能层电性连接；压电功能层具有相互背离...

本申请涉及声波器件技术领域，尤其涉及一种声表面波器件、制备方法及滤波装置。声表面波器件包括：压电层；电极层，形成在压电层上；电极层包括电极区和裸露区，电极区中形成有电极条纹，裸露区暴露出压电层表面；电极条纹具有顶面和侧面；钝化层，钝化层...

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种硅基异质衬底结构及其制备方法、半导体器件。本申请中的硅基异质衬底结构包括：支撑衬底，位于支撑衬底一侧表面的第一氧化层，以及位于第一氧化层背离支撑衬底的一侧表面的功能薄膜层，支撑衬底的具有第一氧化层的...

本申请涉及半导体制造工艺技术领域，特别涉及一种晶圆键合方法及其功能衬底制备方法。本申请中的晶圆键合方法包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，对第一晶圆和第二晶圆进行分隔处理，并使第一晶圆的第一键合面和第二晶圆的第二键合面相对设置且对准，...

本申请公开了一种光学芯片衬底及制备方法，包括功能层、第一氧化层、衬底层和第二氧化层，衬底层包括相互背离的第一表面和第二表面，第一氧化层位于功能层和第一表面之间，第二氧化层位于第二表面上；第一氧化层包括至少一层第一氧化薄膜，第一氧化薄膜是...

本申请公开了一种单晶薄膜晶圆结构及其制备方法，该单晶薄膜晶圆结构包括衬底层和单晶薄膜层，单晶薄膜层位于衬底层的表面上；单晶薄膜层的欧拉角的进动角为0,章动角的为θ±n*180°,旋进角为0，θ的取值范围为‑90°～‑20°，n为正整数；...

本申请公开了一种单晶压电薄膜结构及其制备方法，该单晶压电薄膜结构包括衬底层和单晶薄膜层，单晶薄膜层位于衬底层的表面上；单晶薄膜层的欧拉角的进动角为0，章动角的为θ±n*180°，旋进角为0，θ的取值范围为‑90°～‑20°，n为正整数；...

本申请涉及一种单晶压电衬底结构，包括：单晶压电层、氧化层和支撑衬底层；氧化层设置于支撑衬底层的一侧表面上；单晶压电层设置于氧化层远离支撑衬底层的一侧表面上；单晶压电层为旋转Y切压电晶体，单晶压电层的欧拉角的进动角为0,章动角的为θ±n*...

本申请公开了一种功能薄膜异质衬底结构及其制备方法、电子元器件，其中，该方法包括：对辅助衬底和经离子注入的功能衬底在第一表面进行接合；对功能衬底中远离缺陷层的该第一表面进行第一温度处理并经剥离处理，形成包括中间薄膜层的第二中间衬底结构；对...

本申请实施例涉及一种异质薄膜衬底的制备方法、异质薄膜衬底及声滤波器，制备方法包括：提供压电衬底；压电衬底包括压电衬底层、位于压电衬底层上的缺陷层和位于缺陷层上的压电薄膜层；压电薄膜层包括孪晶区域；在压电衬底中的压电薄膜层上形成孪晶覆盖层...

本申请公开了一种压电异质衬底结构及制备方法，包括衬底层、介质层和压电薄膜层，所述介质层位于所述衬底层和所述压电薄膜层之间；所述压电薄膜层和所述介质层间的界面具有以第一面密度分布的多种预设微粒，所述介质层和所述衬底层间的界面具有以第二面密...

本发明涉及光电集成技术领域，特别涉及一种硅基压电薄膜异质衬底的制备方法。本发明通过将提供一第一支撑衬底和供体压电衬底；在第一支撑衬底的表面形成锗/石墨烯层，并在供体压电衬底的第一表面形成锗/石墨烯层；以供体压电衬底的与第一表面相对设置的...

本申请涉及一种石英舟移动工具及晶圆移动工具，该石英舟移动工具包括接触连接的石英舟托和握持手柄；石英舟托包括底座、至少一个凸出卡点和连接支架；至少一个凸出卡点和连接支架设置于底座上，以使至少一个凸出卡点和连接支架之间形成固定卡槽；凸出卡点...

本申请涉及一种压电异质衬底结构、制备方法及声波器件，该压电异质衬底结构包括功能衬底层和设置在功能衬底层上的压电复合层；压电复合层包括沿远离功能衬底层的方向上依次设置的介质层、界面层和压电薄膜层，界面层存在预设元素分布，其中，预设元素的浓...

本发明公开了一种目标复合薄膜及其制备方法，所述目标复合薄膜从下到上依次包括目标衬底、介质层以及压电薄膜层，所述压电薄膜层的直径小于等于所述介质层的直径，所述介质层的直径小于等于所述目标衬底的直径，所述压电薄膜层的直径与所述目标衬底的直径...

本发明公开了一种压电异质衬底及其形成方法以及射频声学器件，所述压电异质衬底从上到下包括压电薄膜层、金属层、功能层以及目标衬底；功能层为氧化硅层或由声阻材料堆叠形成的布拉格反射层结构；其中，压电薄膜层与金属层之间设置有界面层，所述界面层的...