本申请公开了一种光学芯片衬底及制备方法，包括功能层、第一氧化层、衬底层和第二氧化层，衬底层包括相互背离的第一表面和第二表面，第一氧化层位于功能层和第一表面之间，第二氧化层位于第二表面上；第一氧化层包括至少一层第一氧化薄膜，第一氧化薄膜是...

本申请公开了一种单晶薄膜晶圆结构及其制备方法，该单晶薄膜晶圆结构包括衬底层和单晶薄膜层，单晶薄膜层位于衬底层的表面上；单晶薄膜层的欧拉角的进动角为0,章动角的为θ±n*180°,旋进角为0，θ的取值范围为‑90°～‑20°，n为正整数；...

本申请公开了一种单晶压电薄膜结构及其制备方法，该单晶压电薄膜结构包括衬底层和单晶薄膜层，单晶薄膜层位于衬底层的表面上；单晶薄膜层的欧拉角的进动角为0，章动角的为θ±n*180°，旋进角为0，θ的取值范围为‑90°～‑20°，n为正整数；...

本申请涉及一种单晶压电衬底结构，包括：单晶压电层、氧化层和支撑衬底层；氧化层设置于支撑衬底层的一侧表面上；单晶压电层设置于氧化层远离支撑衬底层的一侧表面上；单晶压电层为旋转Y切压电晶体，单晶压电层的欧拉角的进动角为0,章动角的为θ±n*...

本申请公开了一种功能薄膜异质衬底结构及其制备方法、电子元器件，其中，该方法包括：对辅助衬底和经离子注入的功能衬底在第一表面进行接合；对功能衬底中远离缺陷层的该第一表面进行第一温度处理并经剥离处理，形成包括中间薄膜层的第二中间衬底结构；对...

本申请实施例涉及一种异质薄膜衬底的制备方法、异质薄膜衬底及声滤波器，制备方法包括：提供压电衬底；压电衬底包括压电衬底层、位于压电衬底层上的缺陷层和位于缺陷层上的压电薄膜层；压电薄膜层包括孪晶区域；在压电衬底中的压电薄膜层上形成孪晶覆盖层...

本申请公开了一种压电异质衬底结构及制备方法，包括衬底层、介质层和压电薄膜层，所述介质层位于所述衬底层和所述压电薄膜层之间；所述压电薄膜层和所述介质层间的界面具有以第一面密度分布的多种预设微粒，所述介质层和所述衬底层间的界面具有以第二面密...

本发明涉及光电集成技术领域，特别涉及一种硅基压电薄膜异质衬底的制备方法。本发明通过将提供一第一支撑衬底和供体压电衬底；在第一支撑衬底的表面形成锗/石墨烯层，并在供体压电衬底的第一表面形成锗/石墨烯层；以供体压电衬底的与第一表面相对设置的...

本申请涉及一种石英舟移动工具及晶圆移动工具，该石英舟移动工具包括接触连接的石英舟托和握持手柄；石英舟托包括底座、至少一个凸出卡点和连接支架；至少一个凸出卡点和连接支架设置于底座上，以使至少一个凸出卡点和连接支架之间形成固定卡槽；凸出卡点...

本申请涉及一种压电异质衬底结构、制备方法及声波器件，该压电异质衬底结构包括功能衬底层和设置在功能衬底层上的压电复合层；压电复合层包括沿远离功能衬底层的方向上依次设置的介质层、界面层和压电薄膜层，界面层存在预设元素分布，其中，预设元素的浓...

本发明公开了一种目标复合薄膜及其制备方法，所述目标复合薄膜从下到上依次包括目标衬底、介质层以及压电薄膜层，所述压电薄膜层的直径小于等于所述介质层的直径，所述介质层的直径小于等于所述目标衬底的直径，所述压电薄膜层的直径与所述目标衬底的直径...

本发明公开了一种压电异质衬底及其形成方法以及射频声学器件，所述压电异质衬底从上到下包括压电薄膜层、金属层、功能层以及目标衬底；功能层为氧化硅层或由声阻材料堆叠形成的布拉格反射层结构；其中，压电薄膜层与金属层之间设置有界面层，所述界面层的...

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种复合结构衬底及其制备方法。该复合结构衬底包括支撑衬底、第一调控层、第二调控层和压电层；支撑衬底上设有第一调控层，第一调控层的材料包括具有预设硅氧比例的氧化硅材料；第一调控层上设有第二调控层；第二调控...

本申请涉及一种压电复合结构、制备方法及声波器件，该压电复合结构包括：支撑衬底层；位于支撑衬底层上的绝缘介质层；位于绝缘介质层上的压电功能层；压电功能层包括上下分布的无缺陷层和第一缺陷层；第一缺陷层中，靠近绝缘介质层的表面为粗糙表面；压电...

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种复合衬底结构、制备方法及声波器件。结构，包括：支撑衬底、第一多晶硅层、第一氧化层和压电层；第一多晶硅层形成在支撑衬底上；第一氧化层形成在第一多晶硅层上；第一氧化层为对形成在第一多晶硅层上的第二多晶硅...

本申请公开了一种压电异质结构、制备方法及声波器件，包括衬底层、载流子俘获层、介质层和压电功能层，所述载流子俘获层位于所述衬底层的一侧表面，所述介质层位于所述载流子俘获层远离背离所述衬底层的一侧表面，所述压电功能层位于所述介质层背离远离所...

本申请公开了一种异质衬底结构及其制备方法、声表面波器件，其中，该异质衬底结构包括第一衬底、温度调控层和压电层，温度调控层设置在压电层的第一侧和/或第二侧上；该温度调控层由氧化硅材料构成，且满足一定傅里叶变换红外光谱特征。如此，能够改善声...

本发明涉及芯片技术领域，本发明公开了一种光学芯片衬底结构及其制备方法。该光学芯片衬底结构包括依次层叠的衬底结构、压电薄膜层、波导层和硅薄膜层；该波导层包括沿第一方向交替排列的波导和隔离结构；该第一方向为垂直于该衬底结构的轴线的方向；该波...

本申请涉及薄膜材料制备技术领域，特别涉及一种复合衬底的制备装置和制备方法。装置包括：支撑架和多个卡接结构；多个卡接结构沿支撑架的高度方向间隔布置，多个卡接结构相对设置在支撑架的内框的两侧，相对设置的一组卡接结构间形成功能晶圆容置槽；卡接...

本申请涉及一种单晶压电衬底结构，包括：支撑衬底、表面隔离层、载流子陷阱层、绝缘层和压电层；表面隔离层设置于支撑衬底的一侧表面上；载流子陷阱层设置于表面隔离层远离支撑衬底的一侧表面上；绝缘层设置于载流子陷阱层远离支撑衬底的一侧表面上；压电...