本技术公开了一种用于MPCVD金刚石生长的晶种摆放装置，包括限位罐与密封盖，所述限位罐上安装有多个安装槽，多个所述安装槽内底壁均设有上顶槽，所述上顶槽内通过上顶机构设有上顶杆，所述上顶杆上末端固定设有上顶板，所述密封盖弧形外壁设有多块与...

本技术公开了一种MPCVD腔合成后表面杂质去除装置，包括安装架，所述安装架的内侧设有电机，所述电机的输出轴固定连接有清洁辊，所述清洁辊的侧壁周向固定连接有多个清洁布，所述安装架的侧壁设有用于对电机导向与支撑的支撑机构，所述安装架远离电机...

本技术涉及培育钻石技术领域，且公开了一种MPCVD培育钻石生长设备，包括底座，所述底座的顶部安装有培育组件，所述底座的顶部安装有供料组件，所述培育组件包括固定连接在底座顶部的两个固定座，两个所述固定座的顶部之间固定连接有机体，所述机体的...

本技术涉及一种钻石切割设备，包括底座，所述底座顶面的背部固定有背板，所述背板的底面固定安装有驱动装置，所述驱动装置的输出端固定有切割头，所述底座上设有辅助机构，所述底座上设有调节机构，所述辅助机构包括设置在所述调节机构上的箱体，所述箱体...

本发明涉及金刚石技术领域，具体为一种用于MPCVD金刚石生长设备的升降台稳定装置，包括底座，所述底座的上表面固定安装有竖管，所述竖管的表面插设有螺杆，所述螺杆位于竖管内部的一端镶嵌有滚珠，竖管的内底壁固定安装有弹簧，弹簧的顶部通过滑板固...

本技术涉及一种金刚石打磨设备，包括打磨箱，所述打磨箱的内底壁设有用于提高打磨调节效果的调节机构，所述打磨箱内底壁的左侧设有用于提高打磨效果的打磨机构，所述调节机构包括固定在打磨箱内底壁的调节框。该金刚石打磨设备，通过设置了调节机构，经调...

本发明公开了一种人工钻石生长切割用夹持工装，包括壳体

本发明公开了一种用微波等离子体技术生长钻石的可调支架，包括基座，所述基座的顶部设置有外仓体和内仓体，所述外仓体顶部设置有顶板，所述内仓体的下侧卡设在活动槽内，所述活动槽内设置有升降台，所述升降台的底部设置有液压缸，所述升降台顶部设置有定...

本发明公开了一种基于

本发明涉及MPCVD技术领域，具体为具有循环冷却结构的金刚石膜制备用MPCVD设备，设备包括仓室、微波发生器、波导管、天线、石英窗、供气组件、基台、真空泵、粒子发射器，仓室上部设置水平的石英窗，仓室顶部还通过波导管连接微波发生器，天线设...

本实用新型公开了一种具有分层设计的金刚石打磨工具，包括驱动基座、传动机身、防护盖、连接座、分层打磨装置、电源连接口，分层打磨装置设置在防护盖上方，本实用新型通过向下压迫快速卡合座，快速卡合座将会配合辅助卡座与联动块下压，弹环座会向两侧展...