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上海盛剑微电子有限公司专利技术
上海盛剑微电子有限公司共有28项专利
2-氯吡嗪的合成方法和湿电子化学品技术
本发明公开了一种2‑氯吡嗪的合成方法和湿电子化学品,涉及材料制备技术领域,所述2‑氯吡嗪的合成方法包括:使氯代环氧乙烷与乙二胺在第二催化剂和第二溶剂条件下进行环化反应,生成2‑氯吡嗪。本发明提供的2‑氯吡嗪的合成方法中,采用氯代环氧乙烷...
铜钼金属蚀刻液及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种铜钼金属蚀刻液及其制备方法和应用,涉及蚀刻液技术领域。包括过氧化脲、过氧化脲稳定剂、酸性组合物、自组装膜化合物、腐蚀抑制剂、络合剂以及余量为水。通过以过氧化脲作为主要氧化剂,以酸性组合物作为主要腐蚀剂,并配合络合剂和过氧...
铝钼蚀刻液及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种铝钼蚀刻液及其制备方法和应用,涉及蚀刻剂技术领域。包括溶剂和功能性成分,功能性成分包括氟锑酸、山梨酸、羟基乙叉二膦酸、氟化物和硫酸盐。通过在功能性成分中加入羟基乙叉二膦酸和山梨酸两种有机弱酸氧化剂,以氟锑酸作为主氧化剂对...
ITO蚀刻液、制备方法及使用方法技术
本发明公开了一种ITO蚀刻液、制备方法及使用方法,其中,按质量百分数计,所述ITO蚀刻液包括硼酸1.0wt%~5.00wt%,硅酸5.0wt%~20wt%,羟基乙叉二膦酸20wt%~30wt%,缓蚀剂0.1wt%~0.5wt%和余量的水...
一种蚀刻液及其制备方法和蚀刻方法技术
本发明涉及金属蚀刻液技术领域,尤其是涉及一种蚀刻液及其制备方法和蚀刻方法。本发明的蚀刻液,按照质量百分比计,包括如下组分:过氧化氢5wt%~10wt%、硝酸4~6wt%、过氧化氢稳定剂0.1wt%~5wt%、金属离子螯合剂0.1wt%~...
一种清洗组合物及其制备方法和蚀刻残留物的清洗方法技术
本发明公开了一种清洗组合物及其制备方法和蚀刻残留物的清洗方法。所述清洗组合物,按照质量百分比计,包括如下组分:碱性化合物1%~25%、氟化物0.1%~15%、金属缓蚀剂0.1%~25%、清洗助剂0.01%~25%和有机溶剂10%~70%...
氧化铝蚀刻液及其制备方法、应用技术
本发明提供了一种氧化铝蚀刻液及其制备方法、应用,涉及蚀刻液的技术领域,该氧化铝蚀刻液包括按质量百分比计的以下组分:磷酸胺类蚀刻剂0.50%‑25.00%、pH缓冲剂0.50%‑15.00%、表面活性剂0.01%‑10.00%以及巯基醇类...
光刻胶清洗液及其制备方法、应用技术
本发明提供了一种光刻胶清洗液及其制备方法、应用,涉及清洗去胶的技术领域,该光刻胶清洗液包括按质量百分比计的以下组分:碱性化合物1.00%‑25.00%、羟基氨25.00%‑55.00%、有机溶剂1.00%‑30.00%以及金属腐蚀抑制剂...
无残留的银蚀刻液及其制备方法、蚀刻方法和应用技术
本发明涉及蚀刻溶液技术领域,具体而言,涉及无残留的银蚀刻液及其制备方法、蚀刻方法和应用,该蚀刻液按照质量百分数计包括:30.00wt%~40.00wt%的磷酸,10.00wt%~20.00wt%柠檬酸,5.00wt%~10.00wt%的...
蚀刻液和蚀刻液在对两层以上金属膜蚀刻中的应用制造技术
本发明公开了蚀刻液和蚀刻液在对两层以上金属膜蚀刻中的应用,其中蚀刻液包括以下组分:H<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt; 16.00wt%‑24.00wt%;鳌合剂1.00wt%‑5...
一种清洗组合物及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种清洗组合物及其制备方法和应用,涉及半导体光刻胶剥离技术领域。所述清洗组合物按质量百分含量计包括以下组分:氧化胺25.00~65.00%、保水剂0.10~15.00%、缓蚀剂0.10~15.00%、表面活性剂0.01~10...
光刻胶剥离液及其应用制造技术
本发明公开了一种光刻胶剥离液及其应用,涉及电子化学品技术领域。通过采用质子极性溶剂和非质子极性溶剂进行复配,并控制其浓度范围,能够同时提高光刻胶剥离液的水洗性能和溶胶能力;烷醇胺类物质作为主要的光刻胶的剥离组分,有利于提高光刻胶剥离的完...
一种光刻胶剥离液及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种光刻胶剥离液及其制备方法和应用,涉及光刻胶技术领域。通过混合使用烷醇胺类和脂环胺类化合物,配合质子极性溶剂、非质子极性溶剂、金属保护剂和表面活性剂,并对各组分用量进行调整,使光刻胶剥离液能够有效剥离固化的光刻胶,在基板上...
蚀刻液及其在对铜制造技术
本发明实施例公开了蚀刻液及其在对铜
光刻胶剥离液及其制备方法和光刻胶的剥离方法技术
本发明涉及光刻胶的去除技术领域,具体而言,涉及光刻胶剥离液及其制备方法和光刻胶的剥离方法,光刻胶剥离液包括醇醚类物质40.00%
一种湿法制程装置及产线模拟系统制造方法及图纸
本实用新型的实施例提供了一种湿法制程装置及产线模拟系统,涉及湿法制程领域。该湿法制程装置包括壳体、输送件、第一喷出件和第二喷出件;其中,输送件、第一喷出件以及第二喷出件设置于壳体,第一喷出件和第二喷出件分别设置于输送件的两侧,第一喷出件...
掩膜版设计方法及掩膜版技术
本发明提供一种掩膜版设计方法及掩膜版,涉及掩膜版设计技术领域。方法包括:S1:获取掩膜版上设计的图形;S2:判断掩膜版上图形的各个区域的图形密度相对于所有区域中图形密度的最大值的差值是否在预设范围内;预设范围为0~30%;若判定各个区域...
一种光致抗蚀剂剥离液及其制备方法与应用技术
本发明公开了一种光致抗蚀剂剥离液及其制备方法与应用,属于光致抗蚀剂清洗技术领域。按质量份数计,光致抗蚀剂剥离液包括40.00份
一种化学品供液装置制造方法及图纸
本实用新型实施例提供的一种化学品供液装置,涉及化学品输送技术领域。化学品供液装置包括支架及流路组件。支架包括四个支撑腿、侧台以及底台,四个支撑腿与底台连接,侧台与底台远离支撑腿的一侧连接,支撑腿、侧台及底台形成的支架大致呈“太师椅”状,...
一种混配设备制造技术
本实用新型的实施例提供了一种混配设备,涉及化学品混配技术领域。该混配设备包括混配储罐、至少两个计量罐及至少两个原料桶,每个计量罐和混配储罐均连通,每个原料桶和每个计量罐连通,其中,每个原料桶装可以装有不同的化学品,并将不同化学品分别输送...
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