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上海赛米德半导体科技有限公司专利技术
上海赛米德半导体科技有限公司共有15项专利
一种传动机构及片状电机制造技术
本发明提供了一种传动机构及片状电机,包括平行设置的定子和转子,所述定子可在正对转子的方向上振动,所述转子为可转动设置;定子与转子之间通过弹性件连接,在所述定子振动的方向靠近转子方向时,在弹性件的弹力作用下,转子则受到横向的推力,从而实现...
一种芯片外观检测平台制造技术
本技术提供了一种芯片外观检测平台,包括:芯片载台,所述芯片载台设有对称的两列芯片放置位;旋转机构,设置在芯片载台的上方,包括旋转电机,与旋转电机输出端连接的吸嘴组件,所述吸嘴组件用于将其中一列芯片放置位的芯片转移至另一列芯片放置位上;本...
一种芯片检测用的旋转机构制造技术
本技术提供了一种芯片检测用的旋转机构,设置在芯片载台上方,所述芯片载台设有对称的两列芯片放置位,包括旋转电机,与旋转电机输出端连接的吸嘴组件,所述吸嘴组件用于将其中一列芯片放置位的芯片同时转移至另一列芯片放置位上;本技术的芯片载台设有两...
一种晶圆测试承载台制造技术
本技术提供了一种晶圆测试承载台,盘体,所述盘体包括吸附面,所述吸附面用于吸附晶圆;位于所述吸附面的若干负压气槽,所述负压气槽的深度小于0.2mm;位于所述负压气槽的若干负压气孔;通过将负压气槽的深度设计成小于0.2mm,有效避免了杂质嵌...
一种晶圆测试承载台及用于晶圆测试的晶圆固定方法技术
本发明提供了一种晶圆测试承载台,盘体,所述盘体包括吸附面,所述吸附面用于吸附晶圆;位于所述吸附面的若干负压气槽,所述负压气槽的深度小于0.2mm;位于所述负压气槽的若干负压气孔;通过将负压气槽的深度设计成小于0.2mm,有效避免了杂质嵌...
一种芯片测试治具制造技术
本发明提供了一种芯片测试治具,包括底座,在底座上设有下治具模组,所述下治具模组包括下治具板和限位侧边,所述限位侧边围绕下治具板布置;还设有上治具模组,所述上治具模组包括上治具板,上治具板可与所述下治具模组装配形成密闭空间;所述上治具板形...
一种半导体芯片封装引线键合方法技术
本发明提供了一种半导体芯片封装引线键合方法,首先,通过球形键合的方式在支架焊盘上形成第一键合点;在测试焊盘连接形成第二键合点;返回支架焊盘上形成第三键合点;本发明的半导体芯片封装引线键合方法将金属焊线在支架焊盘、测试焊盘、支架焊盘上分别...
一种芯片外观检测平台制造技术
本发明提供了一种芯片外观检测平台,包括:芯片载台,所述芯片载台设有对称的两列芯片放置位;旋转机构,设置在芯片载台的上方,包括旋转电机,与旋转电机输出端连接的吸嘴组件,所述吸嘴组件用于将其中一列芯片放置位的芯片转移至另一列芯片放置位上;本...
一种芯片测试用的探针测试装置制造方法及图纸
本实用新型提供了一种芯片测试用的探针测试装置,包括工作台,在工作台上设有芯片固定机构,所述芯片固定机构,在芯片固定机构的下方设有探针座,所述探针座布置有多组探针,在探针座下方设有移动机构,所述移动机构包括在竖直方向上层叠的X轴移动组件和...
一种芯片测试治具制造技术
本实用新型提供了一种芯片测试治具,包括底座,在底座上设有下治具模组,所述下治具模组包括下治具板和限位侧边,所述限位侧边围绕下治具板布置;还设有上治具模组,所述上治具模组包括上治具板,上治具板可与所述下治具模组装配形成密闭空间;所述上治具...
一种用于芯片封装测试的送料机构制造技术
本实用新型提供了一种用于芯片封装测试的送料机构,包括:芯片承载台,设有用于放置芯片料盒的槽位,所述槽位的底部为镂空结构,在所述槽位的下方设有第一顶升部件,第一顶升部件用于顶升芯片料盒;在槽位的边缘设有限位边框,所述限位边框的下方设有第二...
一种用于芯片测试的转移机构制造技术
本实用新型提供了一种用于芯片测试的转移机构,包括:进料平台,用于输送摆放芯片的芯片料盒,包括入料槽,输送通道以及在X轴方向上设置的第一推动部件,所述第一推动部件沿着X轴方向将芯片料盒从输送通道的一端推至另外一端;转移机构,设置在输送通道...
多芯片无寻址通信方法、电子装置和介质制造方法及图纸
本发明公开了一种多芯片无寻址通信方法、电子装置和介质,属于通信技术领域,该方法包括先将主芯片与m个从芯片通过信号束串联连接,生成依顺排列的m个从芯片对应的m个从芯片编号;再基于串联连接由所述主芯片将数据在时钟信号线的每一周期分发至对应的...
多芯片串联高速全双工无寻址通信系统技术方案
本发明公开了一种多芯片串联高速全双工无寻址通信系统,属于通信技术领域,包括中控芯片、若干个运算芯片和信号束,所述中控芯片端与依序排列的若干个运算芯片均通过信号束相互串联连接,自动形成m个运算芯片的编号,所述中控芯片与依序排列的每一所述运...
基于扇出型的封装结构、芯片及其制作方法技术
本发明公开了一种基于扇出型的封装结构、芯片及其制作方法,属于半导体技术领域,包括第一芯片封体、模塑化合物层和布线层,所述模塑化合物层顶面设有第一芯片封体,所述模塑化合物层底面设有布线层,所述模塑化合物层设有若干个导线通孔,所述模塑化合物...
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