本技术涉及半导体制造技术领域，提供了一种温控固定装置及炉管设备，温控固定装置包括：密封组件、连接组件和温度控制器；所述温度控制器具有装配部，所述装配部上开设有凹槽；所述密封组件围绕所述装配部设置；所述连接组件与炉管连接，所述连接组件压于...

本申请涉及机台栅格校准领域，公开了机台水平向栅格校准方法、装置、套刻机和存储介质，方法应用于套刻机，包括获得机台利用水平向栅格校准掩模版进行曝光形成的单独的场图案；水平向栅格校准掩模版包括多个套刻标记；获得机台利用水平向栅格校准掩模版进...

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善气相薄膜沉积厚度稳定性的装置及方法，装置包括温度监测模块、控制模块及加热模块，温度监测模块及加热模块分别与控制模块通信连接；其中，加热模块，被配置为对进入反应器的反应原料进行加热并产生反应气...

本申请涉及半导体领域，公开了一种干法刻蚀设备及晶圆刻蚀方法，设备包括晶圆加热及承载基台，基环，聚焦环，导热环；所述基环围绕在所述晶圆加热及承载基台的周围；所述聚焦环设于所述基环上表面；所述导热环设于所述基环和所述聚焦环之间，且所述导热环...

本发明提供一种晶圆键合对位方法及装置，包括：提供垂向上布置的第一、第二载台、镜头和光源，镜头和光源位于第一、第二载台相互背离的两侧，光源和镜头安装于基架上，第一载台和第二载台均设置成具有能够透射光线的结构；第一载台承载第一晶圆，第二载台...

本发明涉及离子注入领域，特别是涉及一种新型离子注入机及其控制方法，包括离子发射源及机械臂；所述离子发射源用于发射离子注入束；所述机械臂包括静电夹及第一电荷检测器；所述静电夹与所述第一电荷检测器设置在所述机械臂朝向所述离子发射源的表面；所...

本申请提供了一种清洗腔用喷嘴角度调节装置及系统，涉及半导体工艺技术领域。该装置包括：底座、两个可移动的调节手臂；底座的两侧分别设有一个调节手臂；底座包括：基板、驱动单元和传动单元；调节手臂包括固定部和滑动套杆，固定部位于滑动套杆的一端，...

本申请涉及半导体集成电路制造工艺技术领域，公开了一种试剂瓶中试剂余量的监测方法、装置、设备、系统和介质，包括：获取通向试剂瓶中气体的气压；获取化学试剂流出所述试剂瓶时在管路中的流速；根据所述流速、化学试剂密度和所述管路的内壁对所述流速的...

本发明涉及一种二次刻蚀偏差的计算方法、二次刻蚀图案及其生产方法；所述二次刻蚀偏差的计算方法包括接收二次刻蚀图案；所述二次刻蚀图案包括经过同一次套刻得到的套刻校准图案及缺陷对照组；所述缺陷二次曝光图形为在一次曝光中形成的不透光缺陷经过二次...

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种一维线状离子束扫描装置及其控制方法，包括离子束源、控制器及两个相对设置的极板；所述离子束源设置于两个所述极板之间，用于发射原始离子束；所述原始离子束穿过两个所述极板之间；所述极板包括电磁铁，两个...

本发明公开了一种研磨垫更换装置、更换方法及研磨台设备，研磨垫更换装置包括：下研磨台，下研磨台具有容纳腔；上研磨台，设置于下研磨台的上部，以形成完整的研磨台结构；供膜装置，设置于容纳腔中，用于提供待贴敷的研磨垫；第一移动装置，用于控制上研...

本发明提供了一种嵌入式锗硅器件及其制备方法，所述嵌入式锗硅器件及包括：衬底，所述衬底上设有栅极结构；源漏沟槽，设于所述栅极结构两侧的衬底中；锗硅结构，设于所述源漏沟槽内，且掺杂有P型离子；其中，所述源漏沟槽的内壁掺杂碳，用以抑制所述P型...

本发明公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，应用于半导体器件技术领域，包括获取半导体结构；刻蚀光阻，暴露出预设高度的侧墙；根据预设刻蚀时间对暴露侧墙的半导体结构进行刻蚀，至第二型晶体管的伪栅极顶部残留有部分硬掩膜；基于经过刻蚀的半...

本发明提供了一种晶圆清洗液输送管用的静电测量及去除系统、晶圆清洗装置及其静电去除系统，其包括：接地组件，包括导电相连的接地探针和接地单元，所述接地探针置于晶圆清洗液输送管内且位于清洗液流动方向的上游，所述接地单元位于晶圆清洗液输送管外部...

本发明涉及套刻校准领域，特别是涉及一种基于前馈补偿的套刻方法、装置、设备及介质，通过获取当层在前批次对应的反馈补偿子处方、所述当层对应的前层套刻子处方、当层光刻机漂移子处方及前层光刻机漂移子处方；将所述反馈补偿子处方与所述当层光刻机漂移...

本发明提供了一种化学机械研磨设备用的气泡定位装置及定位方法，化学机械研磨设备包括研磨盘以及粘接在研磨盘上的研磨垫，气泡定位装置用于定位研磨垫与研磨盘间的气泡位置，气泡定位装置包括：发光设备，用于射出检测光，检测光沿研磨垫的表面延伸；视觉...

本发明提供了一种真空吸盘及机械手，所述真空吸盘的盘体上设有真空吸附腔以及泄压槽，所述盘体的一侧设有与所述真空吸附腔连通的气孔，所述盘体的另一侧为吸附面，所述泄压槽位于所述吸附面上且与所述真空吸附腔相通；所述真空吸盘上还设有气密结构，所述...

本申请涉及半导体领域，公开了冗余金属填充优化方法、装置、电子设备和可读存储介质，包括：步骤S101：获取待填充版图，待填充版图包括可填充金属区域和划分的多个大小相同的窗口区域；步骤S102：在可填充金属区域内填充冗余金属，得到填充后版图...

本申请涉及半导体领域，公开了一种冗余金属填充方法、装置、电子设备和可读存储介质，包括：获取待填充版图，待填充版图包括第一密度区域和第二密度区域；第一密度区域的逻辑金属图形密度大于第二密度区域的逻辑金属图形密度；对第一密度区域填充第一冗余...

本发明公开了一种金属栅极填充金属铝的温度稳定性的监控方法及装置，应用于半导体制备领域，该方法包括：获取标准叠层电阻值，若校验标准叠层电阻值合理，则将标准叠层电阻值作为第一标准叠层电阻值；第一标准叠层电阻值为工艺温度是第一预设温度时，对应...