本发明提供了一种用于预装载腔室上的管道及预装载设备，所述管道包括管体，一端用于连接预装载腔室，另一端用于连接真空泵；阻挡件，嵌设于所述管体内，所述阻挡件具有第一端部、第二端部、气体通道；所述第一端部和所述第二端部分别位于所述阻挡件的两端...

本申请涉及半导体领域，公开了一种晶圆研磨设备和研磨方法，包括：晶圆承载中转件，用于承载待研磨晶圆；图像采集装置，设于晶圆承载中转件的侧端，用于采集待研磨晶圆边缘的图像；图像处理装置，与图像采集装置相连，用于根据图像确定待研磨晶圆的边缘是...

本申请公开了一种功函数层制备方法及MOS管，属于半导体集成电路领域，该方法包括：在沉积多个P型功函数层的过程中，通入含氧原子的气体将所述氧原子插入所述P型功函数层，在不含所述氧原子的所述P型功函数层之间形成含氧原子P型功函数层，以形成第...

本发明提供一种金属栅极的形成方法，包括：提供一基底，在基底上形成多个多晶硅伪栅，且相邻两个多晶硅伪栅之间具有间隔空间；在间隔空间内形成介质层，且介质层的上表面与多晶硅伪栅的上表面平齐；对介质层的远离基底的部分进行重离子注入，并形成掺杂有...

本发明提供一种防护结构清洗装置及清洗方法、半导体工艺设备；半导体工艺设备包括：半导体工艺腔室及设置于半导体工艺腔室中的基座、防护结构及清洗装置；防护结构环绕基座设置；清洗装置包括喷射结构、输送管路和摆动调整结构；喷射结构安装于基座的内部...

本发明公开了一种晶舟及半导体设备和薄膜生长工艺中的防粘接方法，晶舟包括：支撑组件，其包括第一支撑组件和第二支撑组件，所述第一支撑组件和所述第二支撑组件设置为能够在轴向发生相对位置的变化，用于进行交替支撑。本发明通过第一支撑组件和第二支撑...

本技术公开了一种升降销夹具及加热基座，升降销夹具包括：本体，所述本体包括相连的安装部和夹持部，所述安装部上设有销孔，所述夹持部设有多个夹持体，各所述夹持体围绕所述销孔设置；紧固件，设于所述本体上，所述紧固件包括第一紧固件，所述第一紧固件...

本申请涉及集成电路制造领域，公开了一种接触孔制作方法和半导体器件，包括：对预制半导体结构件的介质层进行刻蚀；在对应阻挡层的区域，刻蚀停止至阻挡层；在对应金属栅极的区域，刻蚀停止至金属栅极内；预制半导体结构件包括金属栅极、阻挡层以及介质层...

本发明提供了一种晶圆处理方法和晶圆处理装置，所述晶圆处理方法包括以下步骤：S1、在晶圆的表面涂布正性光刻胶；S2、对所述晶圆表面的所述正性光刻胶进行曝光处理；S3、采用负显影液对所述正性光刻胶进行显影处理，以在保留所述晶圆表面边缘区域的...

本发明提供一种辅助定位装置、研磨设备以及研磨垫定位方法，辅助定位装置包括：定位件和辅助定位件；定位件设置于研磨盘的上方，用于在研磨盘上形成定位标志；定位标志用于在更换研磨垫时，实现研磨盘与研磨垫之间的定位；辅助定位件在定位件进行定位的过...

本发明公开了一种滤光膜的制备方法及滤光膜组件，应用于光刻制备领域，包括：在基板上制备待固型滤光膜结构；待固型滤光膜结构为经成型处理后，未进行固型处理的滤光膜；在待固型滤光膜结构暴露的表面设置冷冻保护层，以使待固型滤光膜结构的形状固定，作...

本申请提供了一种顶升装置，应用于半导体工艺设备，所述顶升装置包括：驱动部件、气体管路及顶针；所述顶针的内部沿轴向开设有气体通路；所述气体通路上连通有出气孔；所述出气孔开设在顶针沿周向的侧面；所述顶针设置在卡盘的通孔中；所述驱动部件用于驱...

本发明涉及晶圆处理领域，特别是涉及一种光阻去边系统、方法、装置、设备及介质，包括晶圆取送组件、晶圆定位组件、洗边手臂、手臂控制组件及校正处理器；晶圆取送组件用于承载待处理晶圆并将所述待处理晶圆送至所述洗边手臂的工作位置；所述晶圆定位组件...

本发明公开了一种研磨液供应装置及方法，装置包括依次设于研磨液供应管路上的混液桶和供液桶，所述混液桶设置为受驱动时作轴向旋转，所述混液桶的内侧壁上设有突出的第一搅拌部，用于对旋转时的所述混液桶内的研磨液提供搅拌力，使研磨液中的研磨颗粒处于...

本申请公开了一种基板夹持装置及湿法处理设备；所述基板夹持装置包括：夹具和驱动部件；所述夹具设置在所述驱动部件的上方，并与所述驱动部件连接；所述驱动部件用于驱动所述夹具旋转；所述夹具的内部设置冲洗通道；所述冲洗通道具有至少一个进口和若干出...

本申请涉及半导体元件制造领域，公开了一种金属栅极制作方法，包括：获得预制半导体结构件，预制半导体结构件包括衬底、伪栅和侧壁；去除部分伪栅，得到处理后伪栅；在处理后伪栅和侧壁的表面沉积介质层；刻蚀介质层和位于栅极开口顶端的侧壁，去除侧壁上...

本技术公开了一种晶圆的反应腔室，包括腔体；设于所述腔体内的罩体，所述罩体靠近所述腔体的底部设置并遮挡所述腔体的底部，所述罩体具有倾斜壁和抽吸孔，所述倾斜壁设置在所述罩体的侧表面，所述倾斜壁的高度从所述腔体的边缘至所述腔体的中心方向逐渐增...

本发明涉及半导体工艺领域，特别是涉及一种异丙醇监控组件、监控方法及半导体工艺机台，包括羧基附着层、导电基底及电信号处理终端；所述羧基附着层设置在所述导电基底上，并通过所述导电基底与所述电信号处理终端电连接；所述羧基附着层的表面包括活性羧...

本申请公开了一种铜互连介质层结构制备方法及铜互连介质层结构，属于集成电路制造技术领域，该方法包括：在衬底表面沉积保护层，以保护预先沉积的铜互连介质层结构中的铜；在所述保护层表面沉积非晶氮化硼膜层作为超低介电常数介质层，以制成所述铜互连介...

本申请公开了一种验证方法、装置、设备及可读存储介质，方法包括：对目标非曼哈顿图形进行圆角化处理，生成参考图形；对目标非曼哈顿图形进行光学临近效应修正，生成掩膜图形；利用掩膜图形进行晶圆成型模拟，生成模拟图形；将参考图形与模拟图形比较，获...