本发明涉及电子器件领域，公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法。本发明中，IGBT结构的栅极并不是整个一块，而是将位于场氧化层上的栅极局部去除，以降低栅极区面积，从而在保持其静态功耗不变的情况下，可以有效地降低IGBT的动态功耗。具有该...

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明中，绝缘栅双极型晶体管包括至少一个元胞，每个元胞包括位于第一半导体类型基底中的第二半导体类型阱、沟槽型栅极和隔离沟槽；位于基底中的沟槽型栅极包括第一绝缘介质层和位...

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种半导体器件中实现载流子寿命控制的结构及其制造方法。本发明中，该半导体器件中实现载流子寿命控制的结构包括半导体衬底、绝缘介质层、和半导体外延层；该绝缘介质层位于半导体衬底和半导体外延层之间，且该绝缘介质...

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种平面型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明中，该平面型绝缘栅双极型晶体管包括位于第一半导体类型衬底上的第二半导体类型阱、第一半导体类型掺杂区、第二半导体类型掺杂区和将第一半导体类型掺杂区和第二半导体...

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种平面型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明中，该平面型绝缘栅双极型晶体管包括至少一个单元，每个单元的正面具有至少三个角；每个单元包括位于第一半导体类型衬底中的第二半导体类型阱、第一半导体类型掺杂区和...

本发明涉及集成电路制造领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明中，包括以下步骤：提供第二半导体类型衬底；在该衬底上生成第一半导体类型外延层；生成位于外延层中的第二半导体类型阱；生成位于阱中的第一半导体类型掺杂区；生成发射极...

本发明涉及电子器件领域，公开了一种沟槽型金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。本发明中，不同宽度的沟槽，在填充多晶硅后形成两级场板的效果，可以将电场峰值转移至场板末端，即窄多晶硅的底部，同时通过优化长度可以降低电场峰值，提高耐压，提高产...

本发明涉及电子器件领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。本发明中，在绝缘栅双极型晶体管IGBT中，第一掺杂区作为超结，沟道区与第二掺杂区形成内置的快速恢复二极管，结合了超结MOS和逆导IGBT的优点，可以有效减小IGBT的饱和...

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种终端保护环及其制造方法。本发明中，终端保护环包括至少一组位于半导体衬底的复合场限环；每组复合场限环包括至少一个N型场限环和至少一个P型场限环，且每个P型场限环至少有一侧连接一个N型场限环形成PN结；N...

本发明涉及电子器件领域，公开了一种制作IGBT器件的方法及其装置。本发明中，背面的FS区和集电极不是在完成IGBT的MOSFET制作和背面研磨后进行，而是穿插在MOSFET制作工序的前后和中间。通过先形成较厚的FS，在形成所需厚度的FS...