三菱硅材料株式会社专利技术

三菱硅材料株式会社共有2项专利

  • 一种半导体衬底的清洗方法包括以下步骤:将半导体衬底侵入混合过氧化氢和氢氧化铵制备的混合溶液中;将在混合溶液中浸泡过的半导体衬底浸入至少包括溶解有臭氧的水溶液、硝酸溶液或过氧化氢溶液中一种的氧化溶液中;将在氧化溶液中浸泡过的衬底浸入氢氟酸...
  • 外延生长用气体的供给方法及其装置。在气化器19中将液体原料加热至该液体的沸点以上的温度以使其气化,将气化的原料气与载气在混合器43中按预定的浓度混合,将该温合气在其露点以上的温度下加热保温,同时调节该混合气的流量,然后在将该混合气加热保...
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