本发明公开一种适用于功率半导体器件的功率循环测试系统，包括控制电路、稳压电源、制冷装置及被测器件驱动电路；所述稳压电源的输出分别与多个检测支路相接；所述检测支路具有与稳压电源相接的检流电阻，所述检流电阻串联有低阻开关器件；被测器件与低阻...

本发明公开一种功率循环测试系统，包括控制电路、稳压电源、制冷装置及被测器件驱动电路；所述稳压电源的输出分别与多个检测支路相接；所述检测支路具有与稳压电源相接的检流电阻，所述检流电阻串联有低阻开关器件；被测器件与低阻开关器件相串联；所述检...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了耗尽型GaN器件及HEMT级联型器件，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、金属连接条以及由下至上依次设置的第一介电层、衬底、叠层结构和第二介电层，源电极和漏电极均位于叠层结构和第二介电层中，栅...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种耗尽型GaN器件的制备方法，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、金属连接条以及由下至上依次设置的第一介电层、衬底、叠层结构和第二介电层，源电极和漏电极均位于叠层结构和第二介电层中，栅电极位...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种HEMT级联型器件，包括耗尽型GaN器件，所述耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、金属连接条以及由下至上依次设置的第一介电层、衬底、叠层结构和第二介电层，源电极和漏电极均位于叠层结构和第二...

本发明属于半导体技术领域，公开了晶圆过渡结构、晶圆及其制备方法、老化测试装置及老化测试方法，晶圆过渡结构包括多个芯片，其一侧具有过渡层，每个芯片均包括源电极、漏电极、栅电极、第一电阻、第二电阻、第一电阻电极、第二电阻电极、场板、连接段以...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种GaN芯片及其制备方法、HEMT级联型器件及其封装方法，GaN芯片包括匹配电容、第一源电极、第一漏电极、第一栅电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构、第一介电层和第二介电层，匹配电容表面包括匹配电容电...

本发明涉及半导体领域，公开了一种共源共栅结构GaN器件及其制备方法，GaN器件包括蓝宝石基底、MOS芯片和GaN芯片；蓝宝石基底的第一表面设置有第一区域和第二区域，第二区域包围第一区域，第一区域相对于第二区域呈凹槽状，第一区域对应的蓝宝...

本发明公开了一种耗尽型GaN器件及其制备方法，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、独立电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，源电极、漏电极和独立电极均位于叠层结构和介电层中，叠层结构包括由下至上依次设置的成核层、缓冲层...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种耗尽型GaN器件及HEMT级联型器件，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、独立电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，源电极、漏电极和独立电极均位于叠层结构和介电层中，叠层结构包括...

本发明属于半导体技术领域，具体公开一种HEMT级联型器件，由耗尽型GaN器件与MOS器件共源共栅级联形成，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、独立电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，源电极、漏电极和独立电极均位于叠层...

本发明公开了一种含可变电势多场板结构的器件，包括漏电极、源电极、栅电极、多个电阻和多个场板，所述电阻的数量与所述场板的数量相等，多个场板包括第一场板和剩余场板，所述第一场板与栅电极连接，其余为所述剩余场板；所述剩余场板通过电阻连接在所述...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了耗尽型GaN器件及其制备方法、HEMT级联型器件，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、金属连接条以及由下至上依次设置的第一介电层、衬底、叠层结构和第二介电层，源电极和漏电极均位于叠层结构和第二...

本发明公开了一种器件，所述器件含可变电势多场板结构，包括漏电极、源电极、栅电极、多个电阻和多个场板，所述电阻的数量与所述场板的数量相等，多个场板包括第一场板和剩余场板，所述第一场板与栅电极连接，其余为所述剩余场板；所述剩余场板通过所述电...

本发明公开了一种含可变电势多场板结构的器件的制备方法，包括如下步骤：在叠层结构的势垒层上，进行图形化处理，并注入离子材料，形成电性隔离区域，所述电性隔离区域外保留用于形成电阻的导电区域；所述电性隔离区域位于相邻电阻之间和电阻与未连接的电...

本发明公开了一种半导体器件，包括外延结构，所述外延结构包括高阻层、沟道层和势垒层，所述沟道层和高阻层之间设置有多层的掺杂有Mg的新增p‑GaN层，所述沟道层和高阻层之间设置有多层的新增沟道层，所述新增p‑GaN层和所述新增沟道层交替设置...

本发明公开了一种半导体器件的外延结构，包括高阻层、沟道层和势垒层，所述沟道层和高阻层之间设置有多层的掺杂有Mg的新增p‑GaN层，所述沟道层和高阻层之间设置有多层的新增沟道层；所述新增p‑GaN层和所述新增沟道层交替设置；最靠近所述沟道...

本发明公开了一种含半导体场板的器件，包括漏电极、源电极、栅电极和场板，所述场板的两端分别连接所述源电极和漏电极或所述栅电极和漏电极，所述场板为半导体材质。本发明的含半导体场板的器件，含有半导体材质的场板，其一端连接漏电极，另一端与栅电极...

本发明公开了一种半导体器件外延结构的制备方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长AlN层、过渡层、高阻层、掺杂有Mg的新增p‑GaN层、新增沟道层、沟道层、势垒层和p‑GaN层；多层所述新增p‑GaN层和多层所述新增沟道层交替设置；生长所述...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种耗尽型GaN器件及其制备方法、HEMT级联型器件，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、独立电极及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介电层，源电极、漏电极和独立电极均位于叠层结构和介电层中，...