本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。光电二极管的阳极区和阴极区形成在半导体衬底中。在半导体衬底的主表面处，多个第一STI区形成在阴极区上，并且氧化物膜形成在多个第一STI区之间。屏蔽电极形成在多个第一STI区和氧化物膜上。多个第...

本公开的各实施例涉及半导体器件。一种半导体器件包括暂存存储器、存储器控制器，和乘法累加(MAC)单元。暂存存储器被配置为存储N个通道的图像数据并且包括可单独访问的M个存储器，其中M是至少为2的整数并且N是至少为2的整数。存储器控制器控制...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底中，形成了n型阴极区域、n型阱区域、和p型阳极区域。阴极区域的杂质浓度比阱区域的杂质浓度高。在平面图中，阳极区域包括阴极区域，并且阱区域包括阳极区域和阴极区域。阱区域距半导体衬底的...

本公开的各实施例涉及信息处理装置、信息处理方法、半导体器件和功率转换设备。为了能够更恰当地检测异常。一种信息处理装置包括获取电路和估计电路。获取电路获取指示与功率转换设备和电动机的半导体元件相关的温度转变和电流转变的信息。并且估计电路基...

提供了一种A/D转换控制电路，该A/D转换控制电路包括扫描组控制单元和FIFO单元。该扫描组控制单元包括输入接收单元和仲裁单元。该FIFO单元包括分别与多个FIFO存储器相对应地提供的多个指针控制单元。指针控制单元中的每个指针控制单元根...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底SUB中形成沟槽TR1和沟槽TR2以便到达距半导体衬底SUB的上表面(TS)的预定深度。在沟槽TR1的下部处形成场板电极FP，并且在沟槽TR1的上部处形成栅极电极GE1。在沟槽TR...

本公开的各实施例涉及收发器中的片上噪声测量、方法及其系统。根据一方面，一种收发器包括：发射器部分，该发射器部分具有第一锁相环PLL，第一锁相环PLL向该发射器部分提供第一参考信号的；接收器部分，该接收器部分具有第二PLL，该第二PLL向...

本公开的各实施例涉及半导体器件。提供了一种能够抑制击穿电压的变化的半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘膜、第一电极和第二电极和半绝缘膜。该半导体衬底具有第一表面。在平面图中，该半导体衬底具有元件区和围绕该元件区的终端区。该半导体...

本公开的各实施例涉及半导体器件。提高了半导体器件的性能。在半导体衬底(SUB)中，沟槽TR1和沟槽TR2形成为从该半导体衬底(SUB)的上表面(TS)到达预定深度。在该沟槽TR1的下部处形成场板电极(FP)，并且在该沟槽TR1的上部处形...

提出了一种开关转换器。开关转换器具有在开关节点处耦合到低侧功率开关的高侧功率开关、驱动器和定时电路。驱动器生成具有导通时间的驱动信号以驱动高侧功率开关。定时电路生成控制信号以在负载暂态周期期间调整导通时间。

本公开的各实施例涉及处理设备和用于时间戳的方法。本公开涉及一种用于以诸如ASIL(汽车安全完整性等级)D的高完整性等级对数据执行加时间戳的处理设备和方法。处理设备处理包括数据的数据帧。此外，在接收到指示数据帧的处理的触发时，处理设备使用...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：经由第一键合材料安装在芯片安装部分上的第一半导体芯片；以及经由第二键合材料安装在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：保护膜；以及在保护膜的第一开口部分中从保护膜被暴...

本公开的各实施例涉及半导体器件。半导体器件包括分别经由栅极绝缘膜(GI)形成在一对沟槽TR内部的一对栅极电极GE。一对列区PC在Y方向上彼此间隔开。一对沟槽TR在Y方向上彼此分开地设置，并且在Y方向上设置在一对列区PC之间，并且在X方向...

本公开的各实施例涉及半导体设备。半导体设备包括输出具有指定频率的时钟信号的频率输出电路、实现预定功能的电路块以及根据时钟信号控制电路块的待机模式的待机控制器。这里，待机控制器包括控制电路和频率选择电路，控制电路输出与待机模式的控制相对应...

本公开的各实施例涉及用于栅极驱动器的骤降注入。描述了用于将电流注入的系统和方法。开关变换器可以包括高侧开关和高侧开关。驱动器电路可以被配置为驱动开关转换器中的高侧开关和低侧开关。控制器可以被配置为提供控制信号以控制驱动器电路。驱动器电路...

一种半导体器件或图像处理系统包括接口电路和信道复合电路。接口电路输出包括第k行的行数据的第一分组，第k行的行数据被包括在第一信道的图像数据中，并且然后输出包括第k行的行数据的第二分组，第k行的行数据被包括在第二信道的图像数据中。信道组合...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。改进了半导体器件的性能。栅极绝缘膜被形成在半导体衬底上。栅极电极被形成在栅极绝缘膜上。铁电膜和金属膜被形成在栅极绝缘膜与栅极电极之间。金属膜的厚度比铁电膜的厚度小。金属膜是非晶的。

本公开的各实施例涉及平衡‑不平衡转换器电路和半导体设备。平衡‑不平衡转换器电路设置在发送器与公共天线端子之间，该发送器和接收器耦合到该公共天线端子。该平衡‑不平衡转换器包括在一端或两端处耦合到该发送器的电感器L1、该接收器的输入节点、以...

根据一个实施例，一种半导体设备包括：算术处理单元；多个外围电路，由所述算术处理单元控制；定时管理电路，将根据来自所述外围电路中的每个外围电路的所述时间测量的请求而执行的时间测量的结果输出到所述外围电路，并且所述定时管理电路根据所述时间测...

本公开涉及一种视频数据处理装置和视频数据处理方法，其中视频数据处理装置包括：至少一个第一功能模块，其执行针对每个第一处理单元数据而预设的第一处理；至少一个第二功能模块，其执行针对小于第一处理单元数据的每个第二处理单元数据而预设的第二处理...