本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了提高阻挡金属膜的粘附性的技术。半导体器件包括：浮置区域，被形成在沟槽栅极电极与沟槽发射极电极之间；堆叠膜，被形成在浮置区域上；层间绝缘膜，被形成在堆叠膜上；插塞，穿透层间绝缘膜并且到达堆叠膜；阻挡...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在平面图中，半导体芯片的电极焊盘包括：第一区域，包含电极焊盘的暴露部分的中心；第二区域，位于第一区域周围；以及第三区域，位于第一区域周围并且位于第一区域与第二区域之间。在本文中，将形成在半导体...

本公开涉及一种半导体器件。改进半导体器件的可靠性。电阻元件Rg被填充在形成于半导体衬底的阱区PW中的沟槽TR中。电阻元件Rg和沟槽TR在平面图中具有无端环形状。电阻元件Rg连接到第一接触构件PG和第二接触构件PG，该第一接触构件PG电连...

本公开涉及存储器设备。提供了通过指定初始化数据批量初始化存储器单元数据的一种存储器设备，或通过部分地屏蔽初始化区域以批量初始化存储器单元数据的一种存储器设备。提供的存储器设备包括控制电路、IO(输入/输出)输入电路和选择电路，控制电路接...

本公开涉及功率级控制器。提出了一种用于控制具有一个或多个相的功率级的控制器。该控制器包括：参考电路，该参考电路生成参考信号；斜坡发生器，该斜坡发生器基于功率级的反馈信号来生成反馈斜坡信号；以及调制器，该调制器生成用于控制功率级的至少一个...

提出了一种功率转换器控制器。该控制器包括用于生成斜坡信号的斜坡生成器、以及斜坡调整器。斜坡调整器将转换器的反馈信号与阈值信号进行比较以获得比较信号，并且基于比较信号来调整斜坡信号的振幅。还提出了一种包括上述控制器的恒定导通时间COT功率...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。提高了半导体器件的可靠性。在本公开中，通过ALD方法在使用包含卤族元素和金属元素的材料气体的工艺中，在碳化硅半导体衬底上形成栅极绝缘膜。

本公开涉及半导体器件。半导体器件的所述性能可以被提高。半导体芯片的多个突出电极包括：多个第一突出电极，被布置在与绝缘层的第一区域重叠的位置处；多个第二突出电极，被布置在与所述绝缘层的第二区域重叠的位置处；以及多个第三突出电极，被布置在与...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一介电膜、在第一介电膜上设置的电阻器元件以及在电阻器元件上设置的第二介电膜。电阻器元件包括硅、铬和碳。电阻器元件中的硅浓度从电阻器元件的中心部分朝向电阻器元件的上表面增加，并且从电阻器元...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种包括具有改进的开关特性的IGBT的半导体器件。在有源单元的半导体衬底内部形成的沟槽内部，通过栅极绝缘膜形成沟槽栅极电极和沟槽发射极电极。n型孔隔离区被形成在位于沟槽之间的半导体衬底内部。p型基...

本公开涉及制造半导体器件的方法。提高所述半导体器件的所述可靠性。场板电极FP经由绝缘膜IF1被形成在所述沟槽TR内部。所述场板电极FP的所述其他部分选择性地朝向所述沟槽TR的所述底部缩回，使得所述场板电极FP的一部分保留为引出部分FPa...

本公开的各实施例涉及半导体设备。在抑制电压噪声的影响的同时，扩展了基于参考电压生成的电源电压的调整范围。该半导体设备包括参考电压生成电路、调节器、缓冲器和电压控制电路。该参考电压生成电路被配置为能够调整该参考电压。该调节器被配置为能够基...

本公开涉及非易失性存储器及其重写控制方法。本发明提供一种能够抑制对正常单元的过度应力并且确保正常单元的数据保留裕度的非易失性存储器系统。在该非易失性存储器系统的一个实施例中，它确定对于在擦除验证过程中被判断为失败的地址纠错是否可能，对被...

本公开涉及电子器件。电子器件的性能可以被改进。电子器件包括布线衬底、在布线衬底上设置的半导体存储器器件和在布线衬底上设置的半导体控制器器件。布线衬底包括第一固定电位布线和第二固定电位布线，以及在第一固定电位布线与第二固定电位布线之间设置...

本公开涉及半导体器件。场板电极FP和栅极电极GE形成在多个沟槽TR1内。外围沟槽TR2在平面图中围绕多个沟槽TR1。场板电极FP(引出部分FPa)形成在外围沟槽TR2内。外围沟槽TR2具有在Y方向上延伸的延伸部TR2a、在X方向上延伸的...

本公开的各实施例涉及半导体设备。本公开提供了一种能够通过小面积ESD保护器来确保高等级ESD耐性并且保护半导体设备的技术。半导体设备包括输入/输出单元、核芯逻辑电路、第一电源单元、第二电源单元、第三电源单元和第四电源单元。每个电源单元包...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。接触场板电极的介电膜被形成在场板电极与栅极电极之间，并且凹陷被形成在介电膜的上表面处以及漏极区域与所述栅极电极之间。

本公开的各实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括半导体衬底、第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈、绝缘层和第一屏蔽件。该半导体衬底具有器件区域和周边区域。在平面图中，该周边区域存在于该器件区域周围。该第一线圈和该第二线圈被布置在该...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括p型半导体本体、p型半导体本体上的n型埋层和n型埋层上的p型半导体层。DTI区域穿透p型半导体层和n型埋层，并且到达p型半导体本体。作为齐纳二极管的阴极区域的n型半导体区域和齐纳二极管的p...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。场板电极FP经由绝缘膜IF1形成在沟槽TR内部。该绝缘膜IF1缩回使得该绝缘膜IF1的上表面的位置比该场板电极FP的上表面的位置低。形成嵌入的绝缘膜EF1以覆盖该场板电极FP和绝缘膜IF1。嵌...