本公开涉及半导体器件。场板电极FP和栅极电极GE形成在多个沟槽TR1内。外围沟槽TR2在平面图中围绕多个沟槽TR1。场板电极FP(引出部分FPa)形成在外围沟槽TR2内。外围沟槽TR2具有在Y方向上延伸的延伸部TR2a、在X方向上延伸的...

本公开的各实施例涉及半导体设备。本公开提供了一种能够通过小面积ESD保护器来确保高等级ESD耐性并且保护半导体设备的技术。半导体设备包括输入/输出单元、核芯逻辑电路、第一电源单元、第二电源单元、第三电源单元和第四电源单元。每个电源单元包...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。接触场板电极的介电膜被形成在场板电极与栅极电极之间，并且凹陷被形成在介电膜的上表面处以及漏极区域与所述栅极电极之间。

本公开的各实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括半导体衬底、第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈、绝缘层和第一屏蔽件。该半导体衬底具有器件区域和周边区域。在平面图中，该周边区域存在于该器件区域周围。该第一线圈和该第二线圈被布置在该...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括p型半导体本体、p型半导体本体上的n型埋层和n型埋层上的p型半导体层。DTI区域穿透p型半导体层和n型埋层，并且到达p型半导体本体。作为齐纳二极管的阴极区域的n型半导体区域和齐纳二极管的p...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。场板电极FP经由绝缘膜IF1形成在沟槽TR内部。该绝缘膜IF1缩回使得该绝缘膜IF1的上表面的位置比该场板电极FP的上表面的位置低。形成嵌入的绝缘膜EF1以覆盖该场板电极FP和绝缘膜IF1。嵌...

本公开的各实施例涉及半导体器件。一种半导体器件包括：摄像头镜头，控制X轴、Y轴和Z轴以执行摄像头抖动校正；第一半导体芯片，接收摄像头镜头的X轴和Y轴的数据；第二半导体芯片，接收摄像头镜头的Z轴的数据；以及陀螺仪传感器，获取摄像头抖动状态...

本公开的各实施例涉及半导体器件、用于半导体器件的控制方法，以及控制程序。本发明提供一种能够在抑制干扰噪声的传播的同时进行精确地操作的半导体器件，一种用于该半导体器件的控制方法，以及一种控制程序。根据本公开的半导体器件包括：电荷再分配型顺...

本公开的各实施例涉及半导体器件。提供可以抑制变压器中的产热的半导体器件。半导体器件包括第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈、引线，以及绝缘层。引线被形成在与第一线圈和第二线圈相同的层上。第一线圈和第二线圈在平面图中通过引线彼此相邻并且...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。光电二极管的阳极区和阴极区形成在半导体衬底中。在半导体衬底的主表面处，多个第一STI区形成在阴极区上，并且氧化物膜形成在多个第一STI区之间。屏蔽电极形成在多个第一STI区和氧化物膜上。多个第...

本公开的各实施例涉及半导体器件。一种半导体器件包括暂存存储器、存储器控制器，和乘法累加(MAC)单元。暂存存储器被配置为存储N个通道的图像数据并且包括可单独访问的M个存储器，其中M是至少为2的整数并且N是至少为2的整数。存储器控制器控制...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底中，形成了n型阴极区域、n型阱区域、和p型阳极区域。阴极区域的杂质浓度比阱区域的杂质浓度高。在平面图中，阳极区域包括阴极区域，并且阱区域包括阳极区域和阴极区域。阱区域距半导体衬底的...

本公开的各实施例涉及信息处理装置、信息处理方法、半导体器件和功率转换设备。为了能够更恰当地检测异常。一种信息处理装置包括获取电路和估计电路。获取电路获取指示与功率转换设备和电动机的半导体元件相关的温度转变和电流转变的信息。并且估计电路基...

提供了一种A/D转换控制电路，该A/D转换控制电路包括扫描组控制单元和FIFO单元。该扫描组控制单元包括输入接收单元和仲裁单元。该FIFO单元包括分别与多个FIFO存储器相对应地提供的多个指针控制单元。指针控制单元中的每个指针控制单元根...

本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底SUB中形成沟槽TR1和沟槽TR2以便到达距半导体衬底SUB的上表面(TS)的预定深度。在沟槽TR1的下部处形成场板电极FP，并且在沟槽TR1的上部处形成栅极电极GE1。在沟槽TR...

本公开的各实施例涉及收发器中的片上噪声测量、方法及其系统。根据一方面，一种收发器包括：发射器部分，该发射器部分具有第一锁相环PLL，第一锁相环PLL向该发射器部分提供第一参考信号的；接收器部分，该接收器部分具有第二PLL，该第二PLL向...

本公开的各实施例涉及半导体器件。提供了一种能够抑制击穿电压的变化的半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘膜、第一电极和第二电极和半绝缘膜。该半导体衬底具有第一表面。在平面图中，该半导体衬底具有元件区和围绕该元件区的终端区。该半导体...

本公开的各实施例涉及半导体器件。提高了半导体器件的性能。在半导体衬底(SUB)中，沟槽TR1和沟槽TR2形成为从该半导体衬底(SUB)的上表面(TS)到达预定深度。在该沟槽TR1的下部处形成场板电极(FP)，并且在该沟槽TR1的上部处形...

提出了一种开关转换器。开关转换器具有在开关节点处耦合到低侧功率开关的高侧功率开关、驱动器和定时电路。驱动器生成具有导通时间的驱动信号以驱动高侧功率开关。定时电路生成控制信号以在负载暂态周期期间调整导通时间。

本公开的各实施例涉及处理设备和用于时间戳的方法。本公开涉及一种用于以诸如ASIL(汽车安全完整性等级)D的高完整性等级对数据执行加时间戳的处理设备和方法。处理设备处理包括数据的数据帧。此外，在接收到指示数据帧的处理的触发时，处理设备使用...