本发明公开了一种垂直型霍尔磁场感测元件，通过在半导体基板上设置相互平行的两个深层布植层作为电流传导的载体层，以及在不同的深层布植层分别设置多个以N型井区环绕的浅层布植层，用以形成与深层布植层电性连接的多个导体接垫，并且允许电流经由导体接...

本实用新型公开了一种垂直型霍尔磁场感测元件，通过在半导体基板上设置相互平行的两个深层布植层作为电流传导的载体层，以及在不同的深层布植层分别设置多个以N型井区环绕的浅层布植层，用以形成与深层布植层电性连接的多个导体接垫，并且允许电流经由导...

本实用新型公开了一种双E型霍尔磁场感测元件，通过在半导体基板上设置第一E型深层布植层及第二E型深层布植层以作为电流传导的载体层，其中，第一E型深层布植层的位置与该第二E型深层布植层的位置以镜射轴呈镜射关系，接着将包含N型井区及浅层布植层...