本发明公开一种用以产生有效的基于模型的亚分辨辅助特征（ＭＢ－ＳＲＡＦ）的方法。产生ＳＲＡＦ引导图，其中每个设计目标边缘位置为给定场点表决有关布置在该场点上的单像素ＳＲＡＦ将改善还是弱化整个过程窗口的空间图像。在一个实施例中，ＳＲＡＦ引导...

本发明公开了一种用于光刻过程窗口最大化光学邻近效应校正的方法和系统。进一步，本发明涉及一种有效的提高用于将具有多个特征的目标图案成像的光刻过程的成像性能的ＯＰＣ方法。该方法包括步骤：确定用于形成模拟图像的函数，该函数表征与光刻过程相关的...

本发明公开了一种用于光刻校准的方法和系统。一种有效的光学和抗蚀剂参数校准的方法，其基于模拟用来对具有多个特征的目标图案成像的光刻过程的图像性能。所述方法包括步骤：确定用于生成模拟图案的函数，其中所述函数表征与所述光刻过程相关的过程变化；...

本发明主要涉及用于光刻模型校准的图案选择的方法和设备。根据一些方面，本发明的图案选择算法可以被应用于任何已有的候选测试图案池。根据一些方面，本发明自动地选择这些测试图案，其能够更有效地由已有的候选测试图案池来确定优化的模型参数值，如与设...

这里描述和图示有许多发明。在一个方面中，本发明针对一种技术和系统，用于仿真、验证、检查、特征化、确定和／或评价平板印刷设计、技术和／或系统以及／或者由此执行的单独功能或其中使用的部件。在一个实施例中，本发明是一种系统和方法，该系统和方法...

本发明涉及一种技术和系统，用于仿真、验证、检查、特征化、确定和／或评价平板印刷设计、技术和／或系统以及／或者由此执行的单独功能或其中使用的部件；加速了平板印刷系统和处理技术的光学特征和／或属性以及效果和／或相互作用的平板印刷仿真、检查、...

一种有效地模拟用来成像具有多个特征的目标设计的光刻工艺的成像性能的方法，该方法包括如下步骤：确定产生被模拟的图像的函数，所述函数计算与所述光刻工艺相关的工艺变化；及采用所述函数产生所述被模拟的图像，所述被模拟的图像表示用于所述光刻工艺的...

一种用于形成光刻工艺的焦点曝光模型的方法，包括：　　　　选择光刻工艺模型，所述模型包括光学模型模块，所述模型包括一组模型参数，所述模型参数包括焦点、曝光以及一组具有可变数值的拟合参数；　　　　将光刻工艺的工艺窗口限定在焦点曝光空间中；　...

公开了系统和方法，所述系统和方法用于检验所制造的光刻掩模；从掩模检验数据中提取物理掩模数据；基于在所述物理掩模数据和掩模布局数据之间的差别确定系统的掩模误差数据；基于所述系统的掩模误差数据生成系统的掩模误差参数；形成具有系统的掩模误差参...

本发明公开了一种用于光学邻近效应校正的多变量求解器以及一种求解方法，其中本发明的方法遵循在掩模布局中的边缘片段的统一运动如何改变在所述布局中的控制点上的抗蚀剂图像值，以及如何同时确定针对在所述布局中的每个边缘片段的校正量。表示在掩模布局...

本发明公开了一种用于实现基于模型的扫描器调整方法，所述方法采用参考光刻系统对第一光刻系统进行调整，所述参考光刻系统和第一光刻系统中的每个都具有用于控制成像性能的可调整参数。所述方法包括以下步骤：定义测试图案和成像模型；采用参考光刻系统对...