本发明涉及一种用于测量样品(8)的表面曲率的仪器。该仪器包括光源(1)和掩模(2)，光源(1)照射掩模(2)以产生入射在样品表面上的光束(10)并形成被样品反射的光束(20)。根据本发明，掩模(2)包括透明背景和布置在预定位置的不透明图...

本发明涉及一种用于真空蒸发室的蒸发单元(1)，蒸发单元(1)包括：适于接收待升华或蒸发的固体或液体材料的坩埚(5)，用于加热坩埚中的材料的加热装置(3)，放置于坩埚(5)的开口端的喷嘴(6)，以及放置在喷嘴(6)上的罩帽(7)，喷嘴(6...

本发明涉及一种蒸发装置，该蒸发装置包括蒸发室，该蒸发室包括加热装置和坩埚，该坩埚具有上部开口端和下部的封闭底部，旨在接收负载，该蒸发装置适于通过负载材料的蒸发或升华来产生气相材料流。根据本发明，该蒸发装置包括过滤插入件，该过滤插入件包括...

本发明涉及一种蒸发单元，其用于将材料蒸发到设置在真空沉积室中的基材上并且包括：内封壳，内封壳界定接纳容纳材料的坩埚的蒸发室并具有用于将坩埚插入蒸发室中的开口；蒸发装置，蒸发装置设置于内封壳的外周以将坩埚置于蒸发状态；喷射管道，喷射管道用...

本发明涉及用于将材料(7)蒸发到安放在真空沉积室中的基质上的蒸发单元(10)的再加载方法，使包含待蒸发材料的第一坩埚(110)与该蒸发单元的蒸发室(100)接合，设置蒸发装置(101，131，132)以将第一坩埚置于蒸发条件下以便生成材...

本发明涉及一种用于通过真空蒸发沉积薄层的装置的喷射系统，所述喷射系统包括用于接纳待蒸发材料源的容器、用于加热所述容器从而能蒸发所述材料的装置、至少一个喷射架，所述喷射架包括与所述容器链接以接纳来自所述容器的所述蒸发材料的内导管和多个喷嘴...

本发明涉及用于真空沉积装置的蒸发设备，其允许控制待蒸发材料的加热持续时间和强度从而限制蒸发过程中待蒸发材料的退化。本发明提出用于真空沉积装置的蒸发设备，包括用于容纳待蒸发材料的坩埚，坩埚包括底部、主体和开口，和围绕坩埚的主体的至少一部分...

本发明涉及一种用于制造半导体材料薄片的分子束外延装置，该装置包括包围加工区域(2)的生长室(1)、至少具有侧部(10)的主低温面板(所述侧部(10)覆盖生长室(1)的侧壁(3)的内表面)、样品保持件(6)、能够使材料蒸发的至少一个喷射室...

本发明涉及一种用于在基片上沉积材料薄膜的装置以及一种再生方法。装置包括真空室(1)、布置在该真空室内的低温面板(10)、能够支承基片的样品保持件(6)、能够将气态先质注入真空室(1)的气体注射器(9)、连接至所述真空室(1)并能够捕集由...

本发明涉及一种用于真空蒸发沉积系统的喷射器，所述喷射器包括喷射导管和扩散器，所述喷射导管适于接纳来自真空蒸发源的蒸发物质，所述扩散器包括多个喷嘴以便将所述蒸发物质扩散至真空沉积室中，每一喷嘴包括适于将所述喷射导管连接至所述沉积室的通道。...

本发明涉及一种用于真空蒸发源的喷射器，该喷射器包括喷射管(1)，所述喷射管具有纵轴(11)并包括能够连接至真空蒸发源的入口(2)、以及用于扩散已蒸发物质的至少一个喷嘴(3)，所述喷嘴(3)具有侧面(4)以及上部面(5)。根据本发明，所述...

本发明涉及利用分子束通过蒸发来沉积材料的装置(6)和用于制造半导体薄片的装置，所述装置包括中央传送模块(2)，所述中央传送模块(2)具有多个侧部端口(3)并能够在高于10-8托的真空压力条件下运行。半导体薄片制造装置包括在高于10-8托...

一种用于包括至少一个具有第一主轴线（１３）的销（１２）的高电流电交接件（１１）的连接器，它包括第一组件，该第一组件包括具有第二主轴线（１６）的插座（１５）和用于至少部分地覆盖该插座（１５）的第一绝缘体（２１），所述插座（１５）用于连接到...

用控制在任意电子束直径和电流密度的电子束辐照在包括简单物质ＧａＡｓ和ＩｎＰ的Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ａｓ↓［ｚ］Ｐ↓［１－ｚ］（０≤ｘ＜１，０≤ｙ和ｚ≤１）衬底的表面上形成的薄膜的表面，以使在ＧａＡｓ表面上形成的任何...

本发明涉及一种压差式真空抽吸的材料蒸发室。该材料蒸发室包括一真空室（１０）和一用于抽吸所述室和材料源的第一抽吸单元（１３）。根据本发明，一可提供完全或部分真空密封的壁（２３）将所述室分成一第一空间（２５）和一第二空间（２２）。将具有一主...