日月新半导体威海有限公司专利技术

日月新半导体威海有限公司共有41项专利

  • 本发明涉及一种芯片堆叠封装体及其制造方法,特别是涉及半导体技术领域,为了避免第一芯片和第二芯片在键合在一起之后产生电性接触,进而选择在键合工艺之前,对第一芯片的凹凸表面进行氧离子注入工艺,以在所述硅衬底内部形成含氧硅层,并对第一芯片的背...
  • 本发明涉及一种半导体晶片的封装结构及其形成方法,涉及半导体技术领域,在本发明的半导体晶片的封装结构的形成方法中,形成屏蔽层的具体工艺为:在所述封装树脂层上形成第一金属纳米线层,在第一压力条件下沉积第一金属层,所述第一金属层覆盖所述第一金...
  • 本发明涉及一种扇出型半导体封装构件及其形成方法,涉及半导体技术领域,在本发明的扇出型半导体封装构件的形成方法中,通过对封装层的两个侧面进行处理以形成两个倾斜的侧面,进而形成金属纳米线层/金属层复合屏蔽结构,且通过对所述芯片封装体的四周边...
  • 本发明涉及一种集成电路封装体及其制备方法,涉及半导体技术领域,在本发明的集成电路封装体的制备方法中,对半导体晶圆进行切割之前,预先对半导体晶圆的背面进行氧离子注入工艺以在所述半导体晶圆的硅衬底内部形成含氧硅层,并对所述半导体晶圆进行高温...
  • 本发明涉及一种封装结构及其制造方法,涉及半导体技术领域,在本发明的封装结构的制造方法中,在形成电磁屏蔽层之前,预先对所述半导体芯片的上表面和侧面进行氧离子注入处理,以在所述半导体芯片的所述硅衬底内部形成含氧硅层,所述含氧硅层距离所述半导...
  • 本发明实施例提供了一种半导体芯片正面散热结构及其封装方法。该结构包括树脂封装部、引线框架、陶瓷散热片和晶粒;引线框架、陶瓷散热片和晶粒设置在树脂封装部内。其中:引线框架包括第一引脚和第二引脚;第一引脚从树脂封装部内向树脂封装部的下底面的...
  • 本发明涉及一种可返修半导体封装结构及其形成方法,属于半导体技术领域。在本发明的可返修半导体封装结构的形成方法中,通过在所述封装基底上形成可剥离粘结层,对所述可剥离粘结层进行图案化处理,以去除所述封装基底的边缘区域的可剥离粘结层,并在剩余...
  • 本发明提供一种基于新型散热铜的半导体封装结构。该半导体封装结构,包括:封装体,封装体内封装有芯片;散热件,散热件的至少一条边上设置有至少4个凸起,散热件安装在封装体上且单面外露,且至少4个凸起分别与封装体上的凹槽一一配合;引脚,引脚从封...
  • 本发明涉及一种3D半导体封装及其制造方法,属于半导体技术领域。在本发明的3D半导体封装的制造方法中,通过优化导电凸块的结构,使得该导电凸块包括金属板基体,该金属板基体的上表面和下表面相对设置有第一凹槽和第二凹槽,在所述第一凹槽中填充导电...
  • 本发明涉及一种半导体芯片的封装模块及其制备方法,涉及半导体技术领域。在本发明的半导体芯片的封装模块的制备方法中,将多个半导体芯片设置在导电基板上之后,直接利用导电构件实现相邻半导体芯片之间的电连接,省略了重新分布层的制备,且通过设置所述...
  • 本发明涉及一种半导体装置及其形成方法,涉及半导体技术领域,在本发明的半导体装置的形成方法中,通过ALD工艺形成致密氧化铝层,然后在致密氧化铝层上形成另一氧化铝层,且在该氧化铝层的形成过程中,向反应腔室中通入适量的封端剂,进而在后续的热处...
  • 本发明涉及一种半导体封装结构及其制备方法,涉及半导体技术领域,在本发明的半导体封装结构的制备方法中,先在半导体芯片的上表面和侧面形成第一氧化硅层和第一氧化铝层,由于形成第一氧化铝层的反应气体包括封端剂,在后续的热处理工艺可以使得使得所述...
  • 本发明提供一种基于新型陶瓷片的半导体封装结构。该半导体封装结构,包括:封装体,封装体内封装有芯片;陶瓷散热件,陶瓷散热件设于封装体上,单面外露;引脚,引脚从封装体内引出,引脚采用折弯牛角设计且向上延伸,引脚的宽度大于管脚的宽度;管脚的折...
  • 本技术公开了一种半导体封装构造的导线架,涉及半导体导线架技术领域,包括基板、芯片和导线安装架,基板的上端开设有安装槽,芯片位于安装槽的内部,安装槽内侧壁的四周均开设有隐藏槽,四个隐藏槽的内部均设置有限位板,四个限位板相背的一侧均固定连接...
  • 本发明提供一种半导体封装设计方法,该半导体封装设计方法,包括:提供一框架,所述框架为金属材料制成;在所述框架的正面进行点胶;提供一半导体芯片,将所述半导体芯片的正面通过点胶所形成的多个胶粒粘附在所述框架的正面,且所述半导体芯片的键合区与...
  • 本技术公开了一种铝带连接装置,包括两个铝带,两个所述铝带的底部和上方分别设置有下连接板和上连接板,所述下连接板的上端面左右两侧均固定连接有两个前后分布的限位块,两个所述铝带的上端面均贯穿开设有两个与限位块相匹配的方孔,将上连接板扣在两个...
  • 本技术公开了一种高功率器件晶体的散热结构,包括功率器件主体,所述功率器件主体的底面固定连接有等距离排列的引脚,所述功率器件主体的右侧面设置有硅脂层,所述功率器件主体的上表面固定连接有连接块,所述连接块的内部开设有连接孔一,所述连接孔一的...
  • 本技术公开了一种铜包铝扁线焊接装置,涉及铜包铝扁线技术领域,包括装置本体,装置本体包括底座,底座的后方设置有纵架,纵架的前方设置有横架,横架的上端贯穿开设有驱动槽,驱动槽的内部滑动连接有焊接机,横架的下方设置有与焊接机下端固定连接的焊接...
  • 本技术公开了一种便于装卸的半导体封装结构,包括基板,所述基板上端面固定安装有两个固定板,两个所述固定板之间设置有主体,所述主体对称设置有引脚,所述引脚对应的所述固定板上设置有插槽,两个所述固定板内均设置有滑槽,本实用在使用过程中,通过将...
  • 本发明实施例提供一种芯片的封装方法,该芯片的封装方法包括提供一框架,框架包括相对设置的第一引脚区和第二引脚区;对第二引脚区域进行处理,得到至少一个第二引脚对,第二引脚对中的引脚的尺寸大于第一预设需求尺寸;提供一芯片,将芯片封装在框架上