本发明提供一种能够适当地控制荷电粒子的动作的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括处理室(2)。在处理室(2)的内部包括：载台(3)，供作为被处理物的被处理基板(H1)设置；天线(4)，用于在处理室(2)的内部产生感应耦合性的等离...

本发明提供一种能够提高靶附近的等离子体密度的溅镀装置。溅镀装置(1)包括：靶(Tr)，具有与载置于载台(H)上的被处理物(H1)相向的相向面(Tr1)，且配置于真空容器(2)的内部；高频窗(11)，包括具有狭缝(12a)的金属板(12)...

本发明提供一种能够提高靶附近的等离子体密度的溅镀装置。溅镀装置(1)包括：靶(Tr)，以与载置于载台(H)上的被处理物(H1)相向的方式，配置于真空容器(2)的内部；高频窗(11)，包括具有狭缝(12s)的金属板(12)及介电体(13)...

本发明提供一种能够对连续地供给的膜进行等离子体处理的小型的等离子体处理装置。等离子体处理装置(1)包括对被处理基板(H1)进行规定的等离子体处理的处理室(2)。处理室(2)的内部包括：滚筒(6)，导引连续地供给至处理室(2)的被处理基板...

一种成膜装置，包括：真空容器，配置有基材；天线，在所述真空容器内产生感应耦合型等离子体，且具有电相互串联连接的导体部件与电容元件；高频电源，向所述天线供给高频电流；以及气体供给机构，向所述真空容器内供给包含C、H及O的原料气体，通过等离...

一种溅镀装置，使用通过向天线供给高频电力而产生的等离子体来对靶进行溅镀，且所述溅镀装置包括：虚设电极，设置于所述靶的周围且与所述靶等电位；以及阳极电极，以覆盖所述虚设电极中的与所述靶的溅镀面朝向相同的方向的表面的方式设置且为接地电位。

本发明在谋求天线所包括的电容元件的静电电容的增大的情况下，使电流在电容元件所包括的各第二电极中充分且均匀地流动。天线(3)包括天线元件(31)及电容元件(32)，电容元件(32)包括第一电极(32A)及第二电极(32B)，在第一电极(3...

一种等离子体处理装置，使高频电流流经设置于真空容器的外部的天线而在所述真空容器内产生等离子体，所述等离子体处理装置包括：狭缝板，堵塞形成于所述真空容器的面向所述天线的位置的开口；介电板，自所述真空容器的外侧堵塞形成于所述狭缝板的狭缝；以...

一种固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘膜内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。

一种固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘层内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘层后，对所述绝缘层的表层部进行离子注入，在所述离子注入后的所述绝缘层的表面形成包含金属膜或绝缘膜的顶盖层，对在表面形成有所述顶盖层...

一种金刚石传感器单元，包括：金刚石，具有色心，所述色心带有电子自旋；激发光照射部，向金刚石照射激发光；第一贴片天线，接收电磁波；电磁波照射部，向金刚石照射由第一贴片天线接收到的电磁波；检测部，检测在向金刚石照射激发光及电磁波之后从金刚石...

金刚石光磁传感器包含：金刚石，其具有带电子自旋的色心，并且被照射激发光；以及照射部，其向金刚石照射色心的激发光以及磁共振用的电磁波，照射部接收振幅调制后的调制光，调制光的调制频率包含在微波的频带中

金刚石光磁传感器包含：金刚石，其具有带电子自旋的色心；以及反射面，其反射经由光学系统传播并射入到金刚石的内部的激发光，反射面反射从被激发光激发的色心放射的放射光，使其向光学系统的方向聚光

本发明的金刚石光磁传感器

本发明的课题在于使电介质板的处理变得容易并且降低电介质板因电介质板的热膨胀而破损的可能性。等离子体处理装置(1)包括真空容器(2)、天线(6)以及磁场导入窗(3)，磁场导入窗(3)具有形成有多个狭缝(41)且具有桥接部(42)的金属板(...

本发明遍及靶的整个表面地供给气体。溅镀装置(1)的真空容器(2)包括保持靶(30)的至少一个靶保持器(32)。靶保持器包括：气体导入部(51)，导入气体(10)；以及一对气体放出口(54)，设置于靶周围的至少一部分的相向位置且将气体放出...

本发明的课题在于降低在真空容器内移动的粒子附着于电介质罩的可能性。设置于真空容器(2)的壁面的磁场导入窗(3)包括：金属板(31)，形成有多个狭缝(311)；电介质罩(32)，覆盖多个狭缝(311)；垫圈(33)，设置于电介质罩(32)...

本发明的课题在于利用直线状的天线部、并且降低电容耦合等离子体的生成。设置于真空容器的内部的直线状的天线部(3)包括：天线导体(31)，在其中流动高频电流；以及法拉第屏蔽件(33)，设置于天线导体(31)的至少一部分的周围。围。围。

本发明的课题在于在真空容器的内部生成抑制了静电耦合性成分的等离子体。等离子体处理装置(1)包括：真空容器(2)；天线(7)，产生高频磁场；以及磁场导入窗(3)，将高频磁场导入至真空容器(2)的内部，磁场导入窗(3)具有：金属板(4)，形...

本发明对被处理物均匀地进行等离子体处理。等离子体处理装置(1)包括：真空容器(2)，在内部收容被处理物(W1)；天线(6)，设置于真空容器(2)的外部，且产生高频磁场；磁场导入窗(3)，设置于真空容器(2)的壁面(22)，且将高频磁场导...