本发明的课题在于提供一种具有防爆结构的电气安装单元，其控制气体提纯装置或气体回收装置，在万一发生氢泄漏的场合，于单元内部不会对氢发生点火；提供一种具有耐爆结构的电气安装单元，其耐爆结构用于万一于单元之外发生因氢造成的爆炸的情况下，仍减少...

本发明的课题在于提供一种气体提纯装置，其中，针对氢提纯装置以及于再生时采用氢的不活泼气体提纯装置具有耐爆结构，该结构用于在万一产生因氢而造成的爆炸的场合，使控制设备等的外设设备的损伤为最小限。一种气体提纯装置，其由多个金属制的单元构成，...

本发明提供一种氨的精制机构，其能够从粗氨中去除作为给气相成长带来不良影响的原因的油分等杂质，并且连续供给于氮化镓类化合物半导体工艺，该粗氨为作为工业用而市售的廉价的粗氨、以及从氮化镓类化合物半导体的制造工序中回收的粗氨。一种油分去除装置...

本发明的课题在于提供一种用于深冷气体分离装置的前步骤，可有效地去除原料气体中所包含的水和/或二氧化碳的深冷气体分离的前处理装置和前处理方法。一种深冷气体分离的前处理装置，其包括：二重管，在该二重管中，制冷剂在内侧流路中流通，原料气体在带...

本发明提供一种燃烧式净化装置，其具备：使由半导体制造工序排出的废气中所含的有害成分进行燃烧的燃烧室；在该燃烧室的下游侧的具有喷雾喷嘴的冷却室，其中，不需使用耐热性、耐腐蚀性优异的昂贵的特殊材料，即可高效地防止燃烧室与冷却室的结合部的法兰...

本发明的课题在于提供一种密封垫圈，该密封垫圈安装于阀门、接头等构造物的金属法兰间，该构造物使从氢气、氨气以及不活泼气体中选出的一种以上的气体在高温下流过。该密封垫圈具有优异的气密性，可在不因高温气体的影响而产生劣化的情况下长期维持优异的...

本发明提供一种氢精制方法，其为基于氢精制装置而进行的氢精制方法，所述氢精制方法可减少包含未透过钯合金细管的杂质的气体的取出量，可从二次侧空间高效地取出纯氢，所述氢精制装置的结构如下，利用一端被封闭的钯合金细管与支撑该细管的开口端的管板，...

本发明提供一种废气的燃烧式净化装置，可抑制或者防止通气性的侧面壁的裂纹、崩解、缺口等，该装置具有如下结构：为了防止固体颗粒状氧化物堆积于燃烧室内的侧面壁，因而将侧面壁设为具有通气性陶瓷壁的侧面壁，介由该通气性的侧面壁将含氧气体喷出到燃烧...

本发明涉及氢提纯装置及使用其的氢提纯系统，提供一种能在氢提纯装置中高效地加热被导入于盒的一次侧空间内且含杂质的原料氢的手段，在该氢提纯装置中，通过用一端被封住的钯合金细管和支撑该细管的开口端的管板，将盒的内部分隔为一次侧空间和二次侧空间...

本发明涉及一种钯合金膜组件、其收纳构造体以及采用它们的氢提炼方法。具体提供一种可在利用由钯合金细管构成的氢分离膜的氢提炼装置中，容易替换钯合金细管的机构。其中，可容易地将氢提炼装置分离为钯合金膜组件和其收纳构造体。钯合金膜组件由多根钯合...

本发明提供由氮化镓类化合物半导体的制造工序排出的废气的处理方法。将废气与通过将碱金属化合物添加于金属氧化物而成的净化剂接触，从该废气中去除有机金属化合物，然后在加热下将去除后的废气与氨气分解催化剂接触，从而将氨气分解为氮气以及氢气，进一...

本发明涉及氨气的回收方法以及使用其的氨气的再利用方法，提供可从废气中高效且容易地将氨气回收并且再利用的方法,该废气由氮化镓类化合物半导体的制造工序排出，氨气含有率低。将废气进行过滤器过滤而去除该废气中所含的固体化合物，然后进行加压处理以...

本发明涉及一种气相生长装置的构成部件的清洗装置和清洗方法。其中，所述清洗装置内置有托盘，通过利用轴承的旋转机构，该托盘以可自由旋转的方式保持多个基板架，还包括：托盘与基板架的收纳部；使托盘旋转的机构和/或使基板架旋转的机构；加热器；清洗...

本发明涉及一种加热器组件，该加热器组件将已加热的空气供给至复印机内的纸盒，其无需更多的设置空间，能高效地加热空气，供给到纸盒。该加热器组件具有下述构成：空气的导入部；已加热空气的导出部；以及金属板，该金属板的表面具有蜿蜒状或波状的凸部，...

本发明的课题在于提供一种III族氮化物半导体的气相生长装置，其包括保持基板的衬托器、该衬托器的相对面、用于对该基板进行加热的加热器、由该衬托器和该衬托器的相对面的间隙形成的反应炉、将原料气体从该反应炉的中心部供向周边部的原料气体导入部以...

本发明的课题在于提供一种ＩＩＩ族氮化物半导体的气相生长装置，其包括保持基板的托盘；该托盘的相对面；用于对该基板进行加热的加热器；由该托盘和该托盘的相对面的间隙形成的反应炉；将原料气体供给到该反应炉的原料气体导入部；反应气体排出部，可谋求...

本发明提供一种ＩＩＩ族氮化物半导体的气相生长装置，其包括用于保持基板的托盘；该托盘的抵抗面；用于对该基板进行加热的加热器；设置于该托盘的中心部的原料气体导入部；由该托盘和该托盘的抵抗面的间隙形成的反应炉等，即使在保持于具有较大直径的托盘...

一种气化供给方法，是用液体流量控制器控制液体ＣＶＤ原料的流量供给到气化器，气化后供给到半导体制造装置中的方法并联设置多个液体流量控制器，最好并联设置可控制的流量范围不同的两种以上液体流量控制器，在液体ＣＶＤ原料的气化供给中，通过单独使用...

本发明提供即使在减少随ＣＶＤ原料供给的载气的供给量来进行气化供给时，也能够防止气化室内固体ＣＶＤ原料的析出和附着，并且能够以所需的浓度和流量极为有效地气化供给的气化器和气化供给装置。制作ＣＶＤ原料供给部分至少具有ＣＶＤ原料流路和载气流路...

含有氮氟化物的气体的净化剂，其特征是作为有效成份，含有氧化亚锡，以及从碱土类金属的氧化物、氢氧化物、碳酸盐、镧系元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐中选出的１种以上的化合物。