本发明描述单晶纳米粒子，其为掺杂有至少一种金属的氮化钽。所述单晶纳米粒子可掺杂有两种金属，如Zr和Mg。所述单晶纳米粒子可为TasNsMg+Zr、或TasNsMg、或TasNs:Zr、或其任何组合。进一步描述含有单独的所述单晶纳米粒子或...

描述了高度球形的钽

描述了呈粉末形式的Ti

本发明描述了高度球形的铌合金粉末。所述铌合金粉末能在增材制造及其它用途中使用。进一步描述所述铌合金粉末的生产方法以及在增材制造工艺中利用所述铌合金粉末的方法。进一步描述使用所述铌合金粉末的所得产品或制品。

描述了由高度球形的粉末例如钽粉末制成的阳极。进一步描述了制造所述阳极的方法。

描述了高度球形的钽粉末。所述钽粉末在增材制造和其它用途中可为有用的。进一步描述了制造所述钽粉末的方法以及在增材制造工艺中使用所述钽粉末的方法。进一步描述了使用所述钽粉末得到的产品和制品。

本发明涉及溅射靶和其它金属制品以及其制造方法。更具体地，本发明涉及用于形成由包括球形金属粉末的金属粉末制成的粉末冶金溅射靶和其它冶金制品的方法、以及所得产品。

电容器级粉末的制造方法，其包括使用包含旋转雾化器盘的喷雾干燥器以形成团聚粉末，而且，该方法进一步包括热处理步骤。所述电容器级粉末优选为钽金属、铌金属、或者铌低价态氧化物、或者它们的任意组合。