本技术提供了一种带有保护装置的IGBT模块，属于IGBT技术领域，包括IGBT模块本体、支架组件和弹力柱组件，弹力柱组件贯穿通孔与导向板的后侧固定连接，导向板的前侧轴心处开设有电线孔，导向板的前侧开设有导向孔，导向杆固定设置在IGBT模...

本发明提供了一种双面散热结构的IGBT结构及设计方法，属于IGBT技术领域，IGBT芯片、绝缘壳和基板，绝缘壳设置在IGBT芯片的外侧，IGBT芯片的上方设置有陶瓷覆铜板a，IGBT芯片的下方设置有陶瓷覆铜板b，IGBT芯片与陶瓷覆铜板...

本发明提供了一种FRD器件及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域，该一种FRD器件具有正面金属区和背面金属区，包括衬底，所述背面金属区位于所述衬底的下表面，所述衬底上依次设有外延层和漂移区，所述漂移区内设有P型区，并沿所述P型区形成对...

本实用新型提供了一种异型槽分离栅IGBT结构，涉及IGBT结构技术领域。集电极的上方设置有n型衬底，n型衬底的内部设置有规律排布的竖向沟槽，竖向沟槽包括相连的上沟槽和下沟槽，上沟槽和下沟槽内部分别有氧化层和多晶层，在相邻的沟槽间设有p型...

本实用新型涉及IGBT技术领域，且公开了一种沟槽式分离栅IGBT结构，包括集电极金属和p+集电极：集电极金属的上方设有n型衬底，n型衬底的内部设有有规律排布的沟槽体，沟槽体的底部设有下沟槽发射极栅氧化层与下沟槽发射极多晶层，下沟槽发射极...

本实用新型提供了一种低应力碳化硅单晶的生长装置，包括生长组件、反应组件、温度调节组件、降温组件和控制组件，籽晶直接放置在籽晶托上不需要进行固定，将原料升华后通过温度梯度向下方运行与籽晶接触，减小了碳化硅晶体生成过程中产生的应力，在碳化硅...

本实用新型涉及IGBT技术领域，且公开了一种带载流子存储层的沟槽式分离栅IGBT结构，包括集电极金属，所述集电极金属的内部设有P+集电极，所述P+集电极的上方设置有n型衬底，所述n型衬底的内部设置有规律排布的下沟槽和上沟槽，所述下沟槽的...

本实用新型提供了一种沟槽式IGBT结构，涉及IGBT结构技术领域。集电极的上方设置有n型衬底，n型衬底的内部设置规律排布的纵向的沟槽,沟槽底部形貌呈半圆柱形，沟槽底部置于深p型阱中，沟槽的内侧壁及底壁上形成有栅极氧化层和栅极多晶层，在相...

本实用新型提供了一种双控制极模块封装结构，属于封装技术领域。该封装结构，包括散热板，散热板的一侧设置有铜基岛，铜基岛的表面一侧设置有芯片，芯片的一侧设置有导热片，散热板、铜基岛、芯片和导热片上设置有塑封壳体，塑封壳体的内部设置有引脚，引...

本实用新型涉及IGBT技术领域，且公开了一种带外延层的沟槽式分离栅IGBT结构，包括集电极金属，所述集电极金属的上方设置有n型衬底，n型衬底的内部设置有规律排布的下沟槽和上沟槽，下沟槽内部设有发射极栅氧化层和下沟槽发射极多晶层，所述下沟...

本实用新型涉及IGBT技术领域，且公开了一种带载流子存储层的沟槽式IGBT结构，包括集电极金属和p+集电极：集电极金属的上方设有n型衬底，n型衬底的内部设有有规律排布的沟槽，沟槽的侧边设有深p型阱以及n型载流子存储层，沟槽的中上位置附近...

本实用新型提供了一种高可靠性的终端结构，涉及终端结构技术领域。衬底下方设置有漏极、上方设置有n型缓冲区，n型缓冲区内部设置有规律排布的p型阱，p型阱上方设置有栅氧氧化层和多晶层，BODY I区P阱和BODY II区P阱内置n+型源级和p...

本实用新型涉及电子设备技术领域，且公开了一种带有保护装置的IGBT模块，包括：IGBT模块本体，所述IGBT模块本体的表面固定安装有放置盒，所述放置盒的内壁设有圆形铁块，所述圆形铁块的表面活动连接有线圈。该带有保护装置的IGBT模块，通...

本实用新型提供了一种封装结构的IGBT功率模块，包括散热组件和温度监测组件，在IGBT模块工作过程中产生的热量通过IGBT模块上设置的散热基板进行散热，同时散热组件增强IGBT模块的散热能力，在IGBT模块芯片的温度超过105℃时，散热...

本实用新型提供了一种半导体智能功率模块，属于智能功率模块技术领域，该一种半导体智能功率模块包括封装体，所述封装体的底部呈对称设置有两个加强层，两个加强层之间形成填充区，并在两个所述加强层与所述封装体相对的一侧形成散热区，在所述填充区内依...

本发明提供了用于功率器件改善Mark点形貌的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，该用于功率器件改善Mark点形貌的制备方法包括步骤S1，提供一晶圆硅片，该晶圆硅片具有第一表面和第二表面，对晶圆硅片进行抛光处理；步骤S2，接着将晶圆硅片...

本发明提供了一种降低MOS电容的结构及其制造方法，属于半导体器件的制造技术领域，该一种降低MOS电容的制造方法包括步骤S1，提供一半导体衬底，利用外延生长法在所述半导体衬底的上表面形成一外延层；步骤S2，对所述外延层的上表面有源区进行选...

本发明涉及集成电路设计制造技术领域，本发明提供了一种适用于IGBT抵消应力的方法，包括沟槽蚀刻、通过干法蚀刻工艺，对晶圆正面进行沟槽和划片槽的制作，通过划片槽将晶圆分割为各晶片区域，使得属于同一晶片内的沟槽方向与相邻的晶片的沟槽方向相互...

本发明提供了一种IGBT功率器件有源层的制造方法及其结构，属于半导体集成电路制造技术领域，该一种IGBT功率器件有源层的制造方法包括步骤S1，提供一衬底，利用外延生长法在半导体衬底的上表面依次生长形成N型区和P型区；步骤S2，采用离子注...

本发明提供了一种低应力碳化硅单晶的生长装置和生长工艺，包括生长组件、反应组件、温度调节组件、降温组件和控制组件，籽晶直接放置在籽晶托上不需要进行固定，将原料升华后通过温度梯度向下方运行与籽晶接触，减小了碳化硅晶体生成过程中产生的应力，在...