一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的第一漂移层；位于所述第一漂移层背离所述半导体衬底层一侧表面的第二漂移层，所述第二漂移层的导电类型与所述第一漂移层的导电类型相同，所述第二漂移层的掺杂浓度大...

一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的漂移层；位于所述漂移层中的横向电流扩展层，所述横向电流扩展层的导电类型与所述漂移层的导电类型相同，所述横向电流扩展层的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度；位...