Q电池公司专利技术

Q电池公司共有10项专利

  • 本发明涉及一种等离子体辅助的沉积方法,用于将至少一个介电质层沉积在一个含硅的基片(3)上,该方法具有以下步骤:向一个沉积设备(1)中供应至少一种适合于产生介电质层的气体;在至少一个第一波长或谱带上监测该气体的、在该沉积设备(1)中产生的...
  • 本发明涉及一种半导体设备(1)以及半导体设备(1)的制造方法,其中,所述半导体设备(1)包括:半导体层(2);和钝化层(3),其配置在所述半导体层(2)的表面上,用于使半导体层表面(20)钝化,其中,所述钝化层(3)包括化学钝化用钝化子...
  • 本发明涉及一种抗反射涂层(5a)、太阳能电池和太阳能模块。根据本发明的抗反射涂层(5a)至少包括具有高折射率的第一SiNx层(10)和具有较低折射率的第二SiNx层(11)。从而在叠入式太阳能模块中也能实现太阳能电池的更好光耦合和更好的...
  • 本发明涉及一种具有半导体晶片(1)的太阳能电池,该太阳能电池包括一个朝向入射光、具有一个基极(4)的正面(2)以及一个与该正面(2)相对、具有一个发射极(7)的背面(5),该基极连接到该半导体晶片(1)的一个基底层(3)上,该发射极连接...
  • 本发明涉及一种包含多个互相连接的太阳能电池2的薄层太阳能模块1,该薄层太阳能模块按所给的顺序包括以下各层:(a)一个基底3;(b)一个第一电极层4;(c)一个半导体层5;以及(d)一个第二电极层6;其中至少一个非线性凹陷7被布置在第一电...
  • 本发明涉及一种太阳能电池,其包括半导体衬底(1)、设于所述半导体衬底(1)的远光背面表面(11)上的背面钝化层(2)、设于所述背面钝化层(2)上的覆盖层(3)、以及设于所述覆盖层(3)上的金属化层(4),其特征在于,所述覆盖层(3)具有...
  • 本发明涉及半导体装置的一种制造工艺,其中包括下列工序:制造半导体衬底(1);在半导体衬底(1)的一个半导体表面(11)上生成一个功能层(2);通过从功能层(2)向半导体衬底(1)中压入掺杂材料,在半导体表面(11)上生成至少一个掺杂区(...
  • 本发明涉及一种太阳能电池,其包含首先掺杂的半导体层(1)、位于半导体层(1)上的感应层(3)和反型层或累积层(4),反型层或累积层(4)是由感应层(3)在感应层(3)下方的半导体层(1)中感应产生的,所述太阳能电池的特征在于,感应层(3...
  • 本发明涉及一种太阳能电池,其含半导体层(1)、收集层(6)和位于半导体层(1)与收集层(6)之间的缓冲层(3),其中收集层(6)用于收集来自半导体层(1)的自由载流子,缓冲层(3)被设计成位于半导体层(1)和收集层(6)之间的隧道触点(...
  • 本发明提供了一种太阳能电池串,包含:由晶片衬底(10)构成的太阳能电池单元(1),所述晶片衬底(10)带有平面电极接触段(11);与太阳能电池单元(1)相邻的另一个太阳能电池单元(2),所述太阳能电池单元(2)由另一块晶片衬底(20)构...
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