改善对瞬态电压的抗干扰性并减小寄生阻抗的装置、方法和处 理。改善了对非钳制电感性切换事件的抗干扰性。例如，提供具有 SiGe源极的沟槽栅功率MOSFET装置，其中，SiGe源极通过减小 体或阱区域中的空穴电流来减小寄生npn晶体管增益，...