一种利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列，采用了一种具有在一层超薄介质（比如栅氧化层）周围制作的一种数据存储元件来存储信息。其方法是通过给超薄介质加应力使其击穿（软击穿或硬击穿）以建立起存储器单元的漏泄电流电平。存储器单元...

利用超薄介质击穿现象的可再编程不挥发性存储器，公开了一种可再编程不挥发性存储器阵列和构成这种存储器阵列的存储器单元。这些半导体存储器单元每一个都具有一个数据存储元件制作在一种超薄介质（比如一种栅氧化层）的周围。栅氧化层用于存储信息，其方...

一种具有利用超薄介质击穿现象的存储器的智能卡，系一种具有改进的不挥发性存储器的智能卡。智能卡可包括一个处理器和存储器。存储器由大量的存储器单元构成。这些半导体存储器单元每一个都有一个在一种超薄介质（如栅氧化层）周围构成的数据存储元件。栅...

利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列的编程方法和电路，编程电路包括一个字线解码器、一个可调电压发生器和一个列晶体管，该编程电路在编程一个含有选择晶体管和一个数据存储元件的存储器单元是有用的，数据存储元件是被编程电流编程的，...

本发明披露了一种现场可编程门阵列（ＦＰＧＡ）单元，它适用于包括列位线、读位线和行字线结构的ＦＰＧＡ阵列中。此单元包含一个电容、一个选择晶体管和一个开关；上述电容有两端，它的一端连接到一条列位线，另一端连接到一个开关控制节点，电容两端间由...

采用单个晶体管的高密度半导体存储器单元和存储器阵列，披露了一种在列位线和行字线交叉点处的单个晶体管组成的存储器单元。该晶体管的栅极由列位线形成，源极连接到行字线，通过在列位线和行字线间加一个电压电位，在晶体管的栅极下面的衬底中形成一个被...

一种测试可编程存储器单元的方法，该存储器单元可以用于拥有选择线和存取线存储器阵列中，存储器单元由两根存取线之间的选择晶体管以及与它相连的数据存储单元组成，此外选择晶体管的栅与一根选择线相连，而数据存取单元包含有用来物理存储数据的超薄绝缘...