公开了一种特征化测量盒内的膜层的系统。该系统获得对应于第一X射线束的第一混合分数，该混合分数表示第一X射线束在晶圆样品的测量盒内的分数，该测量盒表示设置在衬底之上的孔结构，并且具有设置于孔结构内部的膜层。系统获得对应于第一X射线束的测量...

本申请公开了确定集成电路IC的层的性质的方法。通过执行下列步骤实现确定集成电路(IC)的层的性质，层形成在底层之上：照射IC，由此从IC发射电子；采集从IC发射的电子并且确定发射电子的动能，由此计算从层发射的电子和从底层发射的电子的发射...

本发明涉及使用结合的XPS和XRF技术测定锗化硅厚度和组成。本发明具体描述了用于使用结合的XPS和XRF技术测定锗化硅厚度和组成的系统和途径。在实例中，用于表征锗化硅膜的方法包括产生X射线束。将样品定位于所述X射线束的路径中。收集通过用...

公开了沉积过程中的钝化和选择性的量化。所述钝化通过计算图案线和空间上的膜厚度进行估算。使用XPS信号，其采用X射线通量数进行归一化。该方法对于计算选择性沉积过程中的厚度是有效的，其中所述厚度能够用作测量选择性的度量。每种材料的所测量光电...

本申请涉及通过X射线反射散射测量来测量样本的方法和系统。公开了使用多角度X射线反射散射测量(XRS)用于测量周期结构的方法和系统。例如，通过X射线反射散射测量以测量样本的方法包括，使入射X射线束撞击具有周期结构的样本以生成散射X射线束，...

公开了使用XPS和XRF技术的多层和多过程信息的前馈。在示例中，薄膜表征的方法包括测量用于具有在基底上方的第一层的样品的第一XPS和XRF强度信号。基于第一XPS和XRF强度信号确定第一层的厚度。组合用于第一层的信息和用于基底的信息以估...

一种用于二次离子质谱仪的离子检测器，该检测器具有：电子发射板，耦接至第一电势并被配置为根据离子的入射而发射电子；闪烁体，耦接至不同于上述第一电势的第二电势，该闪烁体具有后侧和面向电子发射板的前侧，该闪烁体被配置为在电子入射到前侧时从后侧...

通过执行下列步骤实现确定集成电路(IC)的层的性质，层形成在底层之上：照射IC，由此从IC发射电子；采集从IC发射的电子并且确定发射电子的动能，由此计算从层发射的电子和从底层发射的电子的发射强度，从而计算从层发射的电子与从底层发射的电子...