纳宇半导体材料深圳有限责任公司专利技术

纳宇半导体材料深圳有限责任公司共有2项专利

  • 本发明涉及一种基于热导率的热测试芯片及其制备方法,包括预处理衬底,预处理衬底包括衬底,衬底内间隔布设有多个P型区域,位于中心区域的P型区域内设有N型区域,各P型区域内设有两间隔设置的P+欧姆接触,N型区域内设有两个间隔设置的N+欧姆接触...
  • 本发明涉及基于热测试芯片的热界面材料的热导率测试方法及系统,测试方法包括如下步骤:制备热测试芯片,包括基板,基板上表面间隔分布有二极管CH、二极管AEFJ与热阻BI与热阻DG;将热测试芯片、TIM材料、散热板烧结封装;将热测试芯片的电极...
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